트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
PMDT290UNE,115 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 800mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 83pF @ 10V 전력-최대: 500mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-666	재고 있음189,366
PMDT290UNEYL Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 PMDT290UNE/SOT666/SOT6 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 800mA (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 83pF @ 10V 전력-최대: 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-666	재고 있음6,408
PMDT670UPE,115 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT666 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 550mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 400mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.14nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 87pF @ 10V 전력-최대: 330mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-666	재고 있음145,830
PMDXB1200UPEZ Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 30V 0.41A 6DFN 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 410mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 43.2pF @ 15V 전력-최대: 285mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-XFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: DFN1010B-6	재고 있음105,240
PMDXB550UNEZ Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 0.59A 6DFN 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 590mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 590mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.05nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 30.3pF @ 15V 전력-최대: 285mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-XFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: DFN1010B-6	재고 있음8,118
PMDXB600UNELZ Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 20 V, DUAL N-CHANNEL TRENCH MOSF 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 600mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 21.3pF @ 10V 전력-최대: 380mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-XFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: DFN1010B-6	재고 있음3,454
PMDXB600UNEZ Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: TrenchFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 600mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 21.3pF @ 10V 전력-최대: 265mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-XFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: DFN1010B-6	재고 있음153,000
PMDXB950UPELZ Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 20 V, DUAL P-CHANNEL TRENCH MOSF 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 43pF @ 10V 전력-최대: 380mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-XFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: DFN1010B-6	재고 있음48,132
PMDXB950UPEZ Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 43pF @ 10V 전력-최대: 265mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-XFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: DFN1010B-6	재고 있음3,582
PMGD130UN,115 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 1.2A 6TSSOP 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 1.2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.3nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 83pF @ 10V 전력-최대: 390mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP	재고 있음6,120
PMGD175XN,115 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 0.9A 6TSSOP 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 900mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 75pF @ 15V 전력-최대: 390mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP	재고 있음5,976
PMGD175XNEAX Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2 N-CH 30V 900MA SOT363 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 900mA (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 252mOhm @ 900mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.25V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.65nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 81pF @ 15V 전력-최대: 390mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP	재고 있음8,640
PMGD175XNEX Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2 N-CH 30V 870MA 6TSSOP 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 870mA (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 252mOhm @ 900mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.25V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.65nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 81pF @ 15V 전력-최대: 260mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP	재고 있음225,348
PMGD280UN,115 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 0.87A 6TSSOP 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: TrenchMOS™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 870mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.89nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 45pF @ 20V 전력-최대: 400mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP	재고 있음57,954
PMGD290UCEAX Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 20V 6TSSOP 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 725mA, 500mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 83pF @ 10V 전력-최대: 280mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP	재고 있음2,196
PMGD290XN,115 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: TrenchMOS™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 860mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.72nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 34pF @ 20V 전력-최대: 410mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP	재고 있음1,393,986
PMGD370XN,115 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 0.74A 6TSSOP 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: TrenchMOS™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 740mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.65nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 37pF @ 25V 전력-최대: 410mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP	재고 있음5,418
PMGD400UN,115 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 0.71A 6TSSOP 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: TrenchMOS™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 710mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.89nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 43pF @ 25V 전력-최대: 410mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP	재고 있음4,680
PMGD780SN,115 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 0.49A 6TSSOP 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: TrenchMOS™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 490mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 920mOhm @ 300mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.05nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 23pF @ 30V 전력-최대: 410mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP	재고 있음108,426
PMGD8000LN,115 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: TrenchMOS™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 125mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.35nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 18.5pF @ 5V 전력-최대: 200mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP	재고 있음5,634
PMWD15UN,518 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 11.6A 8TSSOP 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: TrenchMOS™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22.2nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1450pF @ 16V 전력-최대: 4.2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP	재고 있음3,024
PMWD16UN,518 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 9.9A 8TSSOP 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: TrenchMOS™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.9A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23.6nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1366pF @ 16V 전력-최대: 3.1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP	재고 있음7,902
PMWD19UN,518 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: TrenchMOS™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1478pF @ 10V 전력-최대: 2.3W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP	재고 있음4,176
PMWD20XN,118 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 10.4A 8TSSOP 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: TrenchMOS™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.4A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.6nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 740pF @ 16V 전력-최대: 4.2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP	재고 있음6,282
PMWD26UN,518 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 7.8A 8TSSOP 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: TrenchMOS™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.8A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23.6nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1366pF @ 16V 전력-최대: 3.1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP	재고 있음4,176
PMWD30UN,518 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 5A 8TSSOP 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: TrenchMOS™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1478pF @ 10V 전력-최대: 2.3W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP	재고 있음6,192
QH8JA1TCR Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 20V PCH+PCH MIDDLE POWER MOSFET, 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.2nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 720pF @ 10V 전력-최대: 1.5W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: TSMT8	재고 있음3,744
QH8K22TCR Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 QH8K22 IS LOW ON - RESISTANCE MO 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 6.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 10µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.6nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 195pF @ 20V 전력-최대: 1.1W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: TSMT8	재고 있음22,350
QH8K26TR Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 QH8K26 IS LOW ON-RESISTANCE AND 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.9nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 275pF @ 20V 전력-최대: 1.1W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: TSMT8	재고 있음27,846
QH8K51TR Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 QH8K51 IS THE LOW ON - RESISTANC 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.7nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 290pF @ 25V 전력-최대: 1.1W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: TSMT8	재고 있음26,208

PMDT290UNE,115

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 800mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 83pF @ 10V
전력-최대: 500mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-666

재고 있음189,366

PMDT290UNEYL

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

PMDT290UNE/SOT666/SOT6

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 800mA (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 83pF @ 10V
전력-최대: 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-666

재고 있음6,408

PMDT670UPE,115

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT666

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 550mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 400mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.14nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 87pF @ 10V
전력-최대: 330mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-666

재고 있음145,830

PMDXB1200UPEZ

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 30V 0.41A 6DFN

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 410mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 43.2pF @ 15V
전력-최대: 285mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-XFDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: DFN1010B-6

재고 있음105,240

PMDXB550UNEZ

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 0.59A 6DFN

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 590mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 590mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.05nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 30.3pF @ 15V
전력-최대: 285mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-XFDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: DFN1010B-6

재고 있음8,118

PMDXB600UNELZ

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

20 V, DUAL N-CHANNEL TRENCH MOSF

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 600mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 21.3pF @ 10V
전력-최대: 380mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-XFDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: DFN1010B-6

재고 있음3,454

PMDXB600UNEZ

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 600mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 21.3pF @ 10V
전력-최대: 265mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-XFDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: DFN1010B-6

재고 있음153,000

PMDXB950UPELZ

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

20 V, DUAL P-CHANNEL TRENCH MOSF

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 43pF @ 10V
전력-최대: 380mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-XFDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: DFN1010B-6

재고 있음48,132

PMDXB950UPEZ

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 43pF @ 10V
전력-최대: 265mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-XFDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: DFN1010B-6

재고 있음3,582

PMGD130UN,115

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 1.2A 6TSSOP

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.3nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 83pF @ 10V
전력-최대: 390mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: 6-TSSOP

재고 있음6,120

PMGD175XN,115

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 0.9A 6TSSOP

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 900mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 75pF @ 15V
전력-최대: 390mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: 6-TSSOP

재고 있음5,976

PMGD175XNEAX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 30V 900MA SOT363

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 900mA (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 252mOhm @ 900mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.25V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.65nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 81pF @ 15V
전력-최대: 390mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: 6-TSSOP

재고 있음8,640

PMGD175XNEX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 30V 870MA 6TSSOP

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 870mA (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 252mOhm @ 900mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.25V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.65nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 81pF @ 15V
전력-최대: 260mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: 6-TSSOP

재고 있음225,348

PMGD280UN,115

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 0.87A 6TSSOP

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: TrenchMOS™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 870mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.89nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 45pF @ 20V
전력-최대: 400mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: 6-TSSOP

재고 있음57,954

PMGD290UCEAX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V 6TSSOP

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 725mA, 500mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 83pF @ 10V
전력-최대: 280mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: 6-TSSOP

재고 있음2,196

PMGD290XN,115

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: TrenchMOS™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 860mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.72nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 34pF @ 20V
전력-최대: 410mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: 6-TSSOP

재고 있음1,393,986

PMGD370XN,115

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 0.74A 6TSSOP

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: TrenchMOS™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 740mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.65nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 37pF @ 25V
전력-최대: 410mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: 6-TSSOP

재고 있음5,418

PMGD400UN,115

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 0.71A 6TSSOP

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: TrenchMOS™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 710mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.89nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 43pF @ 25V
전력-최대: 410mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: 6-TSSOP

재고 있음4,680

PMGD780SN,115

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 0.49A 6TSSOP

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: TrenchMOS™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 490mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 920mOhm @ 300mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.05nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 23pF @ 30V
전력-최대: 410mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: 6-TSSOP

재고 있음108,426

PMGD8000LN,115

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: TrenchMOS™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 125mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.35nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 18.5pF @ 5V
전력-최대: 200mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: 6-TSSOP

재고 있음5,634

PMWD15UN,518

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 11.6A 8TSSOP

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: TrenchMOS™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22.2nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1450pF @ 16V
전력-최대: 4.2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-TSSOP

재고 있음3,024

PMWD16UN,518

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 9.9A 8TSSOP

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: TrenchMOS™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.9A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23.6nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1366pF @ 16V
전력-최대: 3.1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-TSSOP

재고 있음7,902

PMWD19UN,518

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: TrenchMOS™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1478pF @ 10V
전력-최대: 2.3W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-TSSOP

재고 있음4,176

PMWD20XN,118

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 10.4A 8TSSOP

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: TrenchMOS™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.6nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 740pF @ 16V
전력-최대: 4.2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-TSSOP

재고 있음6,282

PMWD26UN,518

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 7.8A 8TSSOP

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: TrenchMOS™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23.6nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1366pF @ 16V
전력-최대: 3.1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-TSSOP

재고 있음4,176

PMWD30UN,518

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 5A 8TSSOP

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: TrenchMOS™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1478pF @ 10V
전력-최대: 2.3W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-TSSOP

재고 있음6,192

QH8JA1TCR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

20V PCH+PCH MIDDLE POWER MOSFET,

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.2nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 720pF @ 10V
전력-최대: 1.5W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: TSMT8

재고 있음3,744

QH8K22TCR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

QH8K22 IS LOW ON - RESISTANCE MO

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 10µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.6nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 195pF @ 20V
전력-최대: 1.1W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: TSMT8

재고 있음22,350

QH8K26TR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

QH8K26 IS LOW ON-RESISTANCE AND

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.9nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 275pF @ 20V
전력-최대: 1.1W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: TSMT8

재고 있음27,846

QH8K51TR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

QH8K51 IS THE LOW ON - RESISTANC

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.7nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 290pF @ 25V
전력-최대: 1.1W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: TSMT8

재고 있음26,208

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