트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
NVMFD5875NLWFT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 540pF @ 25V 전력-최대: 3.2W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)	재고 있음6,660
NVMFD5875NLWFT3G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 540pF @ 25V 전력-최대: 3.2W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)	재고 있음5,832
NVMFD5877NLT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 6A 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 540pF @ 25V 전력-최대: 3.2W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)	재고 있음68,442
NVMFD5877NLT3G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 6A 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 540pF @ 25V 전력-최대: 3.2W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)	재고 있음4,536
NVMFD5877NLWFT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 6A SO8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 540pF @ 25V 전력-최대: 3.2W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)	재고 있음6,084
NVMFD5877NLWFT3G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 6A SO8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 540pF @ 25V 전력-최대: 3.2W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)	재고 있음2,646
NVMFD5C446NLT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 40V 145A S08FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Ta), 145A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 90µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3170pF @ 25V 전력-최대: 3.5W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)	재고 있음15,174
NVMFD5C446NLWFT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 40V 145A S08FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Ta), 145A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 90µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3170pF @ 25V 전력-최대: 3.5W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)	재고 있음3,798
NVMFD5C446NT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 40V 2.9 MOHM T8 S08FL DUA 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Ta), 127A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2450pF @ 25V 전력-최대: 3.2W (Ta), 89W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)	재고 있음8,298
NVMFD5C446NWFT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 40V 2.9 MOHM T8 S08FL DUA 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Ta), 127A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2450pF @ 25V 전력-최대: 3.2W (Ta), 89W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)	재고 있음7,290
NVMFD5C462NLT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 40V 84A S08FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Ta), 84A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 40µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1300pF @ 25V 전력-최대: 3W (Ta), 50W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)	재고 있음34,230
NVMFD5C462NLWFT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 40V 84A S08FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Ta), 84A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 40µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1300pF @ 25V 전력-최대: 3W (Ta), 50W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)	재고 있음16,686
NVMFD5C462NT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 40V 5.4 MOHM T8 S08FL DUA 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17.6A (Ta), 70A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1020pF @ 25V 전력-최대: 3.2W (Ta), 50W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)	재고 있음7,128
NVMFD5C462NWFT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 40V 5.4 MOHM T8 S08FL DUA 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,316
NVMFD5C466NLT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 40V 52A S08FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta), 52A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 30µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 997pF @ 25V 전력-최대: 3W (Ta), 40W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)	재고 있음2,376
NVMFD5C466NLWFT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 40V 52A S08FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta), 52A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 30µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 997pF @ 25V 전력-최대: 3W (Ta), 40W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)	재고 있음16,194
NVMFD5C466NT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 40V 8.1 MOHM T8 S08FL DUA 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta), 49A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 650pF @ 25V 전력-최대: 3W (Ta), 38W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)	재고 있음3,654
NVMFD5C466NWFT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 40V 8.1 MOHM T8 S08FL DUA 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta), 49A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 650pF @ 25V 전력-최대: 3W (Ta), 38W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)	재고 있음5,508
NVMFD5C470NLT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 40V 36A S08FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta), 36A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 20µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 590pF @ 25V 전력-최대: 3W (Ta), 24W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)	재고 있음7,128
NVMFD5C470NLWFT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 40V 36A S08FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta), 36A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 20µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 590pF @ 25V 전력-최대: 3W (Ta), 24W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)	재고 있음7,722
NVMFD5C470NT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 40V 11.7 MOHM T8 S08FL DU 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.7A (Ta), 36A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 420pF @ 25V 전력-최대: 3.1W (Ta), 28W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)	재고 있음3,598
NVMFD5C470NWFT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 40V 11.7 MOHM T8 S08FL DU 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.7A (Ta), 36A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 420pF @ 25V 전력-최대: 3.1W (Ta), 28W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)	재고 있음3,726
NVMFD5C478NLT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 40V 14.5 MOHM T8 S08FL DU 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.5A (Ta), 29A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 20µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.1nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 420pF @ 25V 전력-최대: 3.1W (Ta), 23W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)	재고 있음5,706
NVMFD5C478NLWFT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 40V 14.5 MOHM T8 S08FL DU 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.5A (Ta), 29A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 20µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.1nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 420pF @ 25V 전력-최대: 3.1W (Ta), 23W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)	재고 있음3,294
NVMFD5C478NT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 40V 17 MOHM T6 S08FL DUAL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.8A (Ta), 27A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 20µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.3nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 325pF @ 25V 전력-최대: 3.1W (Ta), 23W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)	재고 있음14,148
NVMFD5C478NWFT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 40V 17 MOHM T8 S08FL DUAL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.8A (Ta), 27A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 20µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.3nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 325pF @ 25V 전력-최대: 3.1W (Ta), 23W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)	재고 있음5,922
NVMFD5C650NLT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Ta), 111A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 98µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2546pF @ 25V 전력-최대: 3.5W (Ta), 125W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)	재고 있음2,088
NVMFD5C650NLWFT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Ta), 111A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 98µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2546pF @ 25V 전력-최대: 3.5W (Ta), 125W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)	재고 있음6,624
NVMFD5C668NLT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 T6 60V S08FL DUAL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15.5A (Ta), 68A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21.3nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1440pF @ 25V 전력-최대: 3W (Ta), 57.5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)	재고 있음4,320
NVMFD5C668NLWFT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 T6 60V S08FL DUAL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,118

NVMFD5875NLWFT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 540pF @ 25V
전력-최대: 3.2W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

재고 있음6,660

NVMFD5875NLWFT3G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 540pF @ 25V
전력-최대: 3.2W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

재고 있음5,832

NVMFD5877NLT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 6A 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 540pF @ 25V
전력-최대: 3.2W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

재고 있음68,442

NVMFD5877NLT3G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 6A 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 540pF @ 25V
전력-최대: 3.2W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

재고 있음4,536

NVMFD5877NLWFT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 6A SO8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 540pF @ 25V
전력-최대: 3.2W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

재고 있음6,084

NVMFD5877NLWFT3G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 6A SO8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 540pF @ 25V
전력-최대: 3.2W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

재고 있음2,646

NVMFD5C446NLT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 40V 145A S08FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Ta), 145A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 90µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3170pF @ 25V
전력-최대: 3.5W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

재고 있음15,174

NVMFD5C446NLWFT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 40V 145A S08FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Ta), 145A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 90µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3170pF @ 25V
전력-최대: 3.5W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

재고 있음3,798

NVMFD5C446NT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

40V 2.9 MOHM T8 S08FL DUA

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Ta), 127A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2450pF @ 25V
전력-최대: 3.2W (Ta), 89W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

재고 있음8,298

NVMFD5C446NWFT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

40V 2.9 MOHM T8 S08FL DUA

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Ta), 127A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2450pF @ 25V
전력-최대: 3.2W (Ta), 89W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

재고 있음7,290

NVMFD5C462NLT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 40V 84A S08FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Ta), 84A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 40µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1300pF @ 25V
전력-최대: 3W (Ta), 50W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

재고 있음34,230

NVMFD5C462NLWFT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 40V 84A S08FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Ta), 84A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 40µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1300pF @ 25V
전력-최대: 3W (Ta), 50W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

재고 있음16,686

NVMFD5C462NT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

40V 5.4 MOHM T8 S08FL DUA

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17.6A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1020pF @ 25V
전력-최대: 3.2W (Ta), 50W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

재고 있음7,128

NVMFD5C462NWFT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

40V 5.4 MOHM T8 S08FL DUA

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,316

NVMFD5C466NLT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 40V 52A S08FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 30µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 997pF @ 25V
전력-최대: 3W (Ta), 40W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

재고 있음2,376

NVMFD5C466NLWFT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 40V 52A S08FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 30µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 997pF @ 25V
전력-최대: 3W (Ta), 40W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

재고 있음16,194

NVMFD5C466NT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

40V 8.1 MOHM T8 S08FL DUA

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 650pF @ 25V
전력-최대: 3W (Ta), 38W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

재고 있음3,654

NVMFD5C466NWFT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

40V 8.1 MOHM T8 S08FL DUA

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 650pF @ 25V
전력-최대: 3W (Ta), 38W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

재고 있음5,508

NVMFD5C470NLT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 40V 36A S08FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 20µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 590pF @ 25V
전력-최대: 3W (Ta), 24W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

재고 있음7,128

NVMFD5C470NLWFT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 40V 36A S08FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 20µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 590pF @ 25V
전력-최대: 3W (Ta), 24W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

재고 있음7,722

NVMFD5C470NT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

40V 11.7 MOHM T8 S08FL DU

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.7A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 420pF @ 25V
전력-최대: 3.1W (Ta), 28W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

재고 있음3,598

NVMFD5C470NWFT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

40V 11.7 MOHM T8 S08FL DU

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.7A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 420pF @ 25V
전력-최대: 3.1W (Ta), 28W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

재고 있음3,726

NVMFD5C478NLT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

40V 14.5 MOHM T8 S08FL DU

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.5A (Ta), 29A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 20µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.1nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 420pF @ 25V
전력-최대: 3.1W (Ta), 23W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

재고 있음5,706

NVMFD5C478NLWFT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

40V 14.5 MOHM T8 S08FL DU

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.5A (Ta), 29A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 20µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.1nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 420pF @ 25V
전력-최대: 3.1W (Ta), 23W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

재고 있음3,294

NVMFD5C478NT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

40V 17 MOHM T6 S08FL DUAL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.8A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 20µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.3nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 325pF @ 25V
전력-최대: 3.1W (Ta), 23W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

재고 있음14,148

NVMFD5C478NWFT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

40V 17 MOHM T8 S08FL DUAL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.8A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 20µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.3nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 325pF @ 25V
전력-최대: 3.1W (Ta), 23W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

재고 있음5,922

NVMFD5C650NLT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Ta), 111A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 98µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2546pF @ 25V
전력-최대: 3.5W (Ta), 125W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

재고 있음2,088

NVMFD5C650NLWFT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Ta), 111A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 98µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2546pF @ 25V
전력-최대: 3.5W (Ta), 125W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

재고 있음6,624

NVMFD5C668NLT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

T6 60V S08FL DUAL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15.5A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 50µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21.3nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1440pF @ 25V
전력-최대: 3W (Ta), 57.5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

재고 있음4,320

NVMFD5C668NLWFT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

T6 60V S08FL DUAL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,118

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