트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
PHKD13N03LT,518 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 10.4A 8SOIC 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: TrenchMOS™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.4A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.7nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 752pF @ 15V 전력-최대: 3.57W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음6,552
PHKD3NQ10T,518 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: TrenchMOS™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 633pF @ 20V 전력-최대: 2W 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음4,572
PHKD6N02LT,518 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 10.9A SOT96-1 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: TrenchMOS™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.9A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 3A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15.3nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 950pF @ 10V 전력-최대: 4.17W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음6,336
PHN203,518 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 6.3A SOT96-1 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: TrenchMOS™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14.6nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 560pF @ 20V 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음3,690
PHN210,118 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: TrenchMOS™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 250pF @ 20V 전력-최대: 2W 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음6,264
PHN210T,118 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: TrenchMOS™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 250pF @ 20V 전력-최대: 2W 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음4,122
PHP225,118 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8SOIC 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 250pF @ 20V 전력-최대: 2W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음3,582
PMCM650CUNEZ Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 PMCM650CUNE NAX000 NONE 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 556mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-XFBGA, WLCSP 공급자 장치 패키지: 6-WLCSP (1.48x0.98)	재고 있음5,814
PMCPB5530X,115 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 20V 6HUSON 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta), 3.4A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21.7nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 660pF @ 10V 전력-최대: 490mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 6-HUSON-EP (2x2)	재고 있음318,150
PMCXB1000UEZ Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 30V DFN1010B-6 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel Complementary FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 590mA (Ta), 410mA (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 590mA, 4.5V, 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.05nC @ 4.5V, 1.2nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 30.3pF @ 15V, 43.2pF @ 15V 전력-최대: 285mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-XFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: DFN1010B-6	재고 있음4,302
PMCXB900UELZ Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 20 V, COMPLEMENTARY N/P-CHANNEL 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel Complementary FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 600mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 21.3pF @ 10V 전력-최대: 380mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-XFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: DFN1010B-6	재고 있음8,874
PMCXB900UEZ Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 20V 0.6A/0.5A 6DFN 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N and P-Channel Complementary FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 600mA, 500mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 21.3pF @ 10V 전력-최대: 265mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-XFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: DFN1010B-6	재고 있음550,872
PMDPB28UN,115 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 4.6A HUSON6 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 4.6A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.7nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 265pF @ 10V 전력-최대: 510mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: DFN2020-6	재고 있음4,716
PMDPB30XN,115 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21.7nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 660pF @ 10V 전력-최대: 490mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 6-HUSON-EP (2x2)	재고 있음4,536
PMDPB38UNE,115 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 4A HUSON6 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.4nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 268pF @ 10V 전력-최대: 510mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: DFN2020-6	재고 있음6,426
PMDPB42UN,115 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 3.9A HUSON6 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.9A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.9A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 185pF @ 10V 전력-최대: 510mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: DFN2020-6	재고 있음7,128
PMDPB55XP,115 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 6HUSON 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.4A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 785pF @ 10V 전력-최대: 490mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 6-HUSON-EP (2x2)	재고 있음3,492
PMDPB56XN,115 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 3.1A HUSON6 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.1A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 3.1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.9nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 170pF @ 15V 전력-최대: 510mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: DFN2020-6	재고 있음2,862
PMDPB56XNEAX Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 3.1A DFN2020D-6 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.1A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.25V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 256pF @ 15V 전력-최대: 485mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: DFN2020D-6	재고 있음5,670
PMDPB58UPE,115 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 3.6A HUSON6 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 804pF @ 10V 전력-최대: 515mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 6-HUSON-EP (2x2)	재고 있음67,674
PMDPB65UP,115 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 3.5A SOT1118 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 380pF @ 10V 전력-최대: 520mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: DFN2020-6	재고 있음3,762
PMDPB70EN,115 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 6DFN 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.5nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 130pF @ 15V 전력-최대: 510mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 6-HUSON-EP (2x2)	재고 있음7,704
PMDPB70XP,115 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6DFN 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 2.9A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.8nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 680pF @ 15V 전력-최대: 490mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 6-HUSON-EP (2x2)	재고 있음2,448
PMDPB70XPE,115 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 3A 6HUSON 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.25V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 600pF @ 10V 전력-최대: 515mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 6-HUSON-EP (2x2)	재고 있음144,852
PMDPB760ENX WeEn Semiconductors	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET AXIAL 제조업체: WeEn Semiconductors 시리즈: * FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,092
PMDPB80XP,115 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 2.7A HUSON6 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate, 1.8V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.7A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 2.7A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 550pF @ 10V 전력-최대: 485mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 6-HUSON-EP (2x2)	재고 있음6,048
PMDPB85UPE,115 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6HUSON 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 1.3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.1nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 514pF @ 10V 전력-최대: 515mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 6-HUSON-EP (2x2)	재고 있음6,228
PMDPB95XNE,115 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 2.4A HUSON6 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.4A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 143pF @ 15V 전력-최대: 475mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: DFN2020-6	재고 있음3,924
PMDPB95XNE2X Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2 N-CH 30V 2.7A 6HUSON 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.7A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 2.8A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.25V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 258pF @ 15V 전력-최대: 510mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 6-HUSON-EP (2x2)	재고 있음22,344
PMDT290UCE,115 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 20V SOT666 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 800mA, 550mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 83pF @ 10V 전력-최대: 500mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-666	재고 있음344,952

PHKD13N03LT,518

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 10.4A 8SOIC

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: TrenchMOS™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.7nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 752pF @ 15V
전력-최대: 3.57W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음6,552

PHKD3NQ10T,518

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: TrenchMOS™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 633pF @ 20V
전력-최대: 2W
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음4,572

PHKD6N02LT,518

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 10.9A SOT96-1

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: TrenchMOS™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.9A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 3A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15.3nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 950pF @ 10V
전력-최대: 4.17W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음6,336

PHN203,518

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 6.3A SOT96-1

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: TrenchMOS™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14.6nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 560pF @ 20V
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음3,690

PHN210,118

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: TrenchMOS™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 250pF @ 20V
전력-최대: 2W
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음6,264

PHN210T,118

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: TrenchMOS™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 250pF @ 20V
전력-최대: 2W
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음4,122

PHP225,118

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8SOIC

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 250pF @ 20V
전력-최대: 2W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음3,582

PMCM650CUNEZ

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

PMCM650CUNE NAX000 NONE

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 556mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-XFBGA, WLCSP
공급자 장치 패키지: 6-WLCSP (1.48x0.98)

재고 있음5,814

PMCPB5530X,115

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V 6HUSON

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta), 3.4A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21.7nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 660pF @ 10V
전력-최대: 490mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 6-HUSON-EP (2x2)

재고 있음318,150

PMCXB1000UEZ

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V DFN1010B-6

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel Complementary
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 590mA (Ta), 410mA (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 590mA, 4.5V, 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.05nC @ 4.5V, 1.2nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 30.3pF @ 15V, 43.2pF @ 15V
전력-최대: 285mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-XFDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: DFN1010B-6

재고 있음4,302

PMCXB900UELZ

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

20 V, COMPLEMENTARY N/P-CHANNEL

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel Complementary
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 600mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 21.3pF @ 10V
전력-최대: 380mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-XFDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: DFN1010B-6

재고 있음8,874

PMCXB900UEZ

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V 0.6A/0.5A 6DFN

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N and P-Channel Complementary
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 600mA, 500mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 21.3pF @ 10V
전력-최대: 265mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-XFDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: DFN1010B-6

재고 있음550,872

PMDPB28UN,115

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 4.6A HUSON6

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 4.6A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.7nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 265pF @ 10V
전력-최대: 510mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: DFN2020-6

재고 있음4,716

PMDPB30XN,115

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21.7nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 660pF @ 10V
전력-최대: 490mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 6-HUSON-EP (2x2)

재고 있음4,536

PMDPB38UNE,115

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 4A HUSON6

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.4nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 268pF @ 10V
전력-최대: 510mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: DFN2020-6

재고 있음6,426

PMDPB42UN,115

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 3.9A HUSON6

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.9A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.9A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 185pF @ 10V
전력-최대: 510mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: DFN2020-6

재고 있음7,128

PMDPB55XP,115

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 6HUSON

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 785pF @ 10V
전력-최대: 490mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 6-HUSON-EP (2x2)

재고 있음3,492

PMDPB56XN,115

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 3.1A HUSON6

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.1A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 3.1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.9nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 170pF @ 15V
전력-최대: 510mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: DFN2020-6

재고 있음2,862

PMDPB56XNEAX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 3.1A DFN2020D-6

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.1A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.25V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 256pF @ 15V
전력-최대: 485mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: DFN2020D-6

재고 있음5,670

PMDPB58UPE,115

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 3.6A HUSON6

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 804pF @ 10V
전력-최대: 515mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 6-HUSON-EP (2x2)

재고 있음67,674

PMDPB65UP,115

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 3.5A SOT1118

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 380pF @ 10V
전력-최대: 520mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: DFN2020-6

재고 있음3,762

PMDPB70EN,115

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 6DFN

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.5nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 130pF @ 15V
전력-최대: 510mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 6-HUSON-EP (2x2)

재고 있음7,704

PMDPB70XP,115

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6DFN

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.8nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 680pF @ 15V
전력-최대: 490mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 6-HUSON-EP (2x2)

재고 있음2,448

PMDPB70XPE,115

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 3A 6HUSON

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.25V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 600pF @ 10V
전력-최대: 515mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 6-HUSON-EP (2x2)

재고 있음144,852

PMDPB760ENX

WeEn Semiconductors

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET AXIAL

제조업체: WeEn Semiconductors
시리즈: *
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,092

PMDPB80XP,115

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 2.7A HUSON6

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate, 1.8V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 2.7A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 550pF @ 10V
전력-최대: 485mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 6-HUSON-EP (2x2)

재고 있음6,048

PMDPB85UPE,115

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6HUSON

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 1.3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.1nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 514pF @ 10V
전력-최대: 515mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 6-HUSON-EP (2x2)

재고 있음6,228

PMDPB95XNE,115

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 2.4A HUSON6

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 143pF @ 15V
전력-최대: 475mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: DFN2020-6

재고 있음3,924

PMDPB95XNE2X

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 30V 2.7A 6HUSON

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.7A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.25V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 258pF @ 15V
전력-최대: 510mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 6-HUSON-EP (2x2)

재고 있음22,344

PMDT290UCE,115

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V SOT666

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 800mA, 550mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 83pF @ 10V
전력-최대: 500mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-666

재고 있음344,952

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