트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
NVJD5121NT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 295mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 26pF @ 20V 전력-최대: 250mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363	재고 있음87,984
NVLJD4007NZTAG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 0.245A WDFN6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 245mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 125mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 20pF @ 5V 전력-최대: 755mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 6-WDFN (2x2)	재고 있음55,134
NVLJD4007NZTBG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 0.245A WDFN6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 245mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 125mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 20pF @ 5V 전력-최대: 755mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 6-WDFN (2x2)	재고 있음4,842
NVMD3P03R2G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 30V 2.34A 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.34A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.05A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 750pF @ 24V 전력-최대: 730mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음24,732
NVMD4N03R2G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 4A SO8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 20V 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음8,640
NVMD6N03R2G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 950pF @ 24V 전력-최대: 1.29W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음3,600
NVMD6N04R2G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8-SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 900pF @ 32V 전력-최대: 1.29W 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음3,888
NVMD6P02R2G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8-SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.8A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 6.2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1700pF @ 16V 전력-최대: 750mW 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음4,482
NVMFD5483NLT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 6.4A 8DFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.4A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23.4nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 668pF @ 25V 전력-최대: 3.1W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)	재고 있음4,014
NVMFD5483NLT3G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 6.4A 8DFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.4A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23.4nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 668pF @ 25V 전력-최대: 3.1W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)	재고 있음6,066
NVMFD5483NLWFT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 6.4A 8DFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.4A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23.4nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 668pF @ 25V 전력-최대: 3.1W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)	재고 있음7,650
NVMFD5483NLWFT3G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 6.4A 8DFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.4A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23.4nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 668pF @ 25V 전력-최대: 3.1W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)	재고 있음5,526
NVMFD5485NLT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 5.3A DFN8 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 560pF @ 25V 전력-최대: 2.9W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)	재고 있음7,056
NVMFD5485NLT3G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 5.3A DFN8 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 560pF @ 25V 전력-최대: 2.9W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)	재고 있음8,802
NVMFD5485NLWFT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 5.3A DFN8 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 560pF @ 25V 전력-최대: 2.9W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)	재고 있음5,202
NVMFD5485NLWFT3G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 5.3A DFN8 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 560pF @ 25V 전력-최대: 2.9W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)	재고 있음7,938
NVMFD5489NLT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 4.5A DFN8 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.4nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 330pF @ 25V 전력-최대: 3W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)	재고 있음8,784
NVMFD5489NLT3G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 4.5A DFN8 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.4nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 330pF @ 25V 전력-최대: 3W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)	재고 있음2,574
NVMFD5489NLWFT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 4.5A DFN8 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.4nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 330pF @ 25V 전력-최대: 3W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)	재고 있음3,726
NVMFD5489NLWFT3G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 4.5A DFN8 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.4nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 330pF @ 25V 전력-최대: 3W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)	재고 있음8,712
NVMFD5852NLT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 40V 15A SO8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1800pF @ 25V 전력-최대: 3.2W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)	재고 있음14,712
NVMFD5852NLWFT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 40V 15A SO8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1800pF @ 25V 전력-최대: 3.2W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)	재고 있음17,964
NVMFD5853NLT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 40V 12A SO8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 25V 전력-최대: 3W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)	재고 있음3,400
NVMFD5853NLWFT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 40V 12A SO8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 25V 전력-최대: 3W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)	재고 있음4,842
NVMFD5853NT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 40V 12A SO8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1225pF @ 25V 전력-최대: 3.1W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)	재고 있음8,910
NVMFD5853NWFT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 40V 12A SO8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1225pF @ 25V 전력-최대: 3.1W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)	재고 있음8,424
NVMFD5873NLT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 10A SO8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30.5nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1560pF @ 25V 전력-최대: 3.1W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)	재고 있음26,281
NVMFD5873NLWFT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 10A SO8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30.5nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1560pF @ 25V 전력-최대: 3.1W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)	재고 있음8,028
NVMFD5875NLT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 540pF @ 25V 전력-최대: 3.2W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)	재고 있음5,994
NVMFD5875NLT3G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 540pF @ 25V 전력-최대: 3.2W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)	재고 있음7,992

NVJD5121NT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 295mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 26pF @ 20V
전력-최대: 250mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363

재고 있음87,984

NVLJD4007NZTAG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 0.245A WDFN6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 245mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 125mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 20pF @ 5V
전력-최대: 755mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 6-WDFN (2x2)

재고 있음55,134

NVLJD4007NZTBG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 0.245A WDFN6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 245mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 125mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 20pF @ 5V
전력-최대: 755mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 6-WDFN (2x2)

재고 있음4,842

NVMD3P03R2G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 30V 2.34A 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.34A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.05A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 750pF @ 24V
전력-최대: 730mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음24,732

NVMD4N03R2G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 4A SO8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 20V
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음8,640

NVMD6N03R2G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 950pF @ 24V
전력-최대: 1.29W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음3,600

NVMD6N04R2G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8-SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 900pF @ 32V
전력-최대: 1.29W
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음3,888

NVMD6P02R2G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8-SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 6.2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1700pF @ 16V
전력-최대: 750mW
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음4,482

NVMFD5483NLT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 6.4A 8DFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23.4nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 668pF @ 25V
전력-최대: 3.1W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

재고 있음4,014

NVMFD5483NLT3G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 6.4A 8DFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23.4nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 668pF @ 25V
전력-최대: 3.1W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

재고 있음6,066

NVMFD5483NLWFT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 6.4A 8DFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23.4nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 668pF @ 25V
전력-최대: 3.1W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

재고 있음7,650

NVMFD5483NLWFT3G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 6.4A 8DFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23.4nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 668pF @ 25V
전력-최대: 3.1W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

재고 있음5,526

NVMFD5485NLT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 5.3A DFN8

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 560pF @ 25V
전력-최대: 2.9W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

재고 있음7,056

NVMFD5485NLT3G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 5.3A DFN8

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 560pF @ 25V
전력-최대: 2.9W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

재고 있음8,802

NVMFD5485NLWFT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 5.3A DFN8

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 560pF @ 25V
전력-최대: 2.9W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

재고 있음5,202

NVMFD5485NLWFT3G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 5.3A DFN8

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 560pF @ 25V
전력-최대: 2.9W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

재고 있음7,938

NVMFD5489NLT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 4.5A DFN8

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.4nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 330pF @ 25V
전력-최대: 3W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

재고 있음8,784

NVMFD5489NLT3G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 4.5A DFN8

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.4nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 330pF @ 25V
전력-최대: 3W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

재고 있음2,574

NVMFD5489NLWFT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 4.5A DFN8

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.4nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 330pF @ 25V
전력-최대: 3W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

재고 있음3,726

NVMFD5489NLWFT3G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 4.5A DFN8

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.4nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 330pF @ 25V
전력-최대: 3W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

재고 있음8,712

NVMFD5852NLT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 40V 15A SO8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1800pF @ 25V
전력-최대: 3.2W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

재고 있음14,712

NVMFD5852NLWFT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 40V 15A SO8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1800pF @ 25V
전력-최대: 3.2W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

재고 있음17,964

NVMFD5853NLT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 40V 12A SO8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 25V
전력-최대: 3W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

재고 있음3,400

NVMFD5853NLWFT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 40V 12A SO8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 25V
전력-최대: 3W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

재고 있음4,842

NVMFD5853NT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 40V 12A SO8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1225pF @ 25V
전력-최대: 3.1W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

재고 있음8,910

NVMFD5853NWFT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 40V 12A SO8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1225pF @ 25V
전력-최대: 3.1W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

재고 있음8,424

NVMFD5873NLT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 10A SO8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30.5nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1560pF @ 25V
전력-최대: 3.1W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

재고 있음26,281

NVMFD5873NLWFT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 10A SO8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30.5nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1560pF @ 25V
전력-최대: 3.1W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

재고 있음8,028

NVMFD5875NLT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 540pF @ 25V
전력-최대: 3.2W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

재고 있음5,994

NVMFD5875NLT3G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 540pF @ 25V
전력-최대: 3.2W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

재고 있음7,992

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