트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
NTLUD3A260PZTBG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 1.3A UDFN6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 300pF @ 10V 전력-최대: 500mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-UFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 6-UDFN (1.6x1.6)	재고 있음6,498
NTLUD3A50PZTAG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 2.8A UDFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.8A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.4nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 920pF @ 15V 전력-최대: 500mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 6-UDFN (2x2)	재고 있음2,214
NTLUD3A50PZTBG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 2.8A UDFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.8A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.4nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 920pF @ 15V 전력-최대: 500mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 6-UDFN (2x2)	재고 있음4,194
NTLUD4C26NTAG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2 N-CH 30V 9.1A 6UDFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: µCool™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.1A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 460pF @ 15V 전력-최대: 2.63W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 6-UDFN (2x2)	재고 있음6,192
NTLUD4C26NTBG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2 N-CH 30V 9.1A 6UDFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: µCool™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.1A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 460pF @ 15V 전력-최대: 2.63W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 6-UDFN (2x2)	재고 있음4,842
NTMC1300R2 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.2A, 1.8A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 300pF @ 20V 전력-최대: 2W 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음4,806
NTMD2C02R2 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.2A, 3.4A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 10V 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음5,076
NTMD2C02R2G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.2A, 3.4A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 10V 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음5,256
NTMD2C02R2SG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.2A, 3.4A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 10V 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음8,226
NTMD2P01R2 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 16V 2.3A 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 16V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 750pF @ 16V 전력-최대: 710mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음3,618
NTMD2P01R2G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 16V 2.3A 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 16V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 750pF @ 16V 전력-최대: 710mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음3,420
NTMD3P03R2G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 30V 2.34A 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.34A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.05A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 750pF @ 24V 전력-최대: 730mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음2,178
NTMD4820NR2G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.9A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.7nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 940pF @ 15V 전력-최대: 750mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음21,066
NTMD4840NR2G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.5nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 520pF @ 15V 전력-최대: 680mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음19,584
NTMD4N03R2G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 20V 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음359,082
NTMD5836NLR2G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 40V 9A/5.7A SO-8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A, 5.7A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2120pF @ 20V 전력-최대: 1.5W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음3,418
NTMD5838NLR2G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 40V 7.4A 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.4A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 785pF @ 20V 전력-최대: 2.1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음3,492
NTMD6601NR2G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 80V 1.1A 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.1A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 215mOhm @ 2.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 25V 전력-최대: 600mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음5,706
NTMD6N02R2 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SO 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.92A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 16V 전력-최대: 730mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음6,156
NTMD6N02R2G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SO 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.92A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 16V 전력-최대: 730mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음24,192
NTMD6N03R2 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 950pF @ 24V 전력-최대: 1.29W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음3,204
NTMD6N03R2G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 950pF @ 24V 전력-최대: 1.29W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음3,726
NTMD6N04R2G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 900pF @ 32V 전력-최대: 1.29W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음8,460
NTMD6P02R2G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.8A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 6.2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1700pF @ 16V 전력-최대: 750mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음51,396
NTMD6P02R2SG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.8A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 6.2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1700pF @ 16V 전력-최대: 750mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음4,608
NTMFD4901NFT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 8DFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual), Schottky FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.3A, 17.9A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.7nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1150pF @ 15V 전력-최대: 1.1W, 1.2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)	재고 있음3,456
NTMFD4901NFT3G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 8DFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual), Schottky FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.3A, 17.9A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.7nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1150pF @ 15V 전력-최대: 1.1W, 1.2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)	재고 있음2,502
NTMFD4902NFT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 8DFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual), Schottky FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.3A, 13.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.7nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1150pF @ 15V 전력-최대: 1.1W, 1.16W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)	재고 있음5,112
NTMFD4902NFT3G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 8DFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual), Schottky FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.3A, 13.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.7nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1150pF @ 15V 전력-최대: 1.1W, 1.16W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)	재고 있음7,218
NTMFD4C20NT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V SO8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.1A, 13.7A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.3nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 970pF @ 15V 전력-최대: 1.09W, 1.15W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)	재고 있음44,869

NTLUD3A260PZTBG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 1.3A UDFN6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 300pF @ 10V
전력-최대: 500mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-UFDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 6-UDFN (1.6x1.6)

재고 있음6,498

NTLUD3A50PZTAG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 2.8A UDFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.4nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 920pF @ 15V
전력-최대: 500mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 6-UDFN (2x2)

재고 있음2,214

NTLUD3A50PZTBG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 2.8A UDFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.4nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 920pF @ 15V
전력-최대: 500mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 6-UDFN (2x2)

재고 있음4,194

NTLUD4C26NTAG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 30V 9.1A 6UDFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: µCool™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.1A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 460pF @ 15V
전력-최대: 2.63W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 6-UDFN (2x2)

재고 있음6,192

NTLUD4C26NTBG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 30V 9.1A 6UDFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: µCool™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.1A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 460pF @ 15V
전력-최대: 2.63W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 6-UDFN (2x2)

재고 있음4,842

NTMC1300R2

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.2A, 1.8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 300pF @ 20V
전력-최대: 2W
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음4,806

NTMD2C02R2

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.2A, 3.4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 10V
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음5,076

NTMD2C02R2G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.2A, 3.4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 10V
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음5,256

NTMD2C02R2SG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.2A, 3.4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 10V
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음8,226

NTMD2P01R2

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 16V 2.3A 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 16V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 750pF @ 16V
전력-최대: 710mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음3,618

NTMD2P01R2G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 16V 2.3A 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 16V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 750pF @ 16V
전력-최대: 710mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음3,420

NTMD3P03R2G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 30V 2.34A 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.34A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.05A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 750pF @ 24V
전력-최대: 730mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음2,178

NTMD4820NR2G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.9A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.7nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 940pF @ 15V
전력-최대: 750mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음21,066

NTMD4840NR2G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.5nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 520pF @ 15V
전력-최대: 680mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음19,584

NTMD4N03R2G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 20V
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음359,082

NTMD5836NLR2G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 40V 9A/5.7A SO-8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A, 5.7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2120pF @ 20V
전력-최대: 1.5W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음3,418

NTMD5838NLR2G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 40V 7.4A 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 785pF @ 20V
전력-최대: 2.1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음3,492

NTMD6601NR2G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 80V 1.1A 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.1A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 215mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 25V
전력-최대: 600mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음5,706

NTMD6N02R2

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SO

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.92A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 16V
전력-최대: 730mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음6,156

NTMD6N02R2G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SO

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.92A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 16V
전력-최대: 730mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음24,192

NTMD6N03R2

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 950pF @ 24V
전력-최대: 1.29W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음3,204

NTMD6N03R2G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 950pF @ 24V
전력-최대: 1.29W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음3,726

NTMD6N04R2G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 900pF @ 32V
전력-최대: 1.29W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음8,460

NTMD6P02R2G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 6.2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1700pF @ 16V
전력-최대: 750mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음51,396

NTMD6P02R2SG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 6.2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1700pF @ 16V
전력-최대: 750mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음4,608

NTMFD4901NFT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 8DFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), Schottky
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.3A, 17.9A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.7nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1150pF @ 15V
전력-최대: 1.1W, 1.2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)

재고 있음3,456

NTMFD4901NFT3G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 8DFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), Schottky
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.3A, 17.9A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.7nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1150pF @ 15V
전력-최대: 1.1W, 1.2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)

재고 있음2,502

NTMFD4902NFT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 8DFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), Schottky
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.3A, 13.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.7nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1150pF @ 15V
전력-최대: 1.1W, 1.16W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)

재고 있음5,112

NTMFD4902NFT3G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 8DFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), Schottky
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.3A, 13.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.7nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1150pF @ 15V
전력-최대: 1.1W, 1.16W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)

재고 있음7,218

NTMFD4C20NT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V SO8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.1A, 13.7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.3nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 970pF @ 15V
전력-최대: 1.09W, 1.15W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)

재고 있음44,869

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