트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
NDS9952A ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.7A, 2.9A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 320pF @ 10V 전력-최대: 900mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음24,282
NDS9953A ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8-SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 10V 전력-최대: 900mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음3,960
NDS9955 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 345pF @ 25V 전력-최대: 900mW 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음2,829
NDS9956A ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 8-SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.7A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 320pF @ 10V 전력-최대: 900mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음5,166
NDS9957 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8-SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 30V 전력-최대: 900mW 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음3,240
NDS9958 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 20V 3A 8-SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 525pF @ 10V 전력-최대: 900mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음6,858
NDS9959 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 250pF @ 25V 전력-최대: 900mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음4,428
NSTJD1155LT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 8V 1.3A SC88 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,798
NSTJD4001NT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET P-CH SC88 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: * FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,190
NTD5C668NLT4G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 T6 60V LL DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Ta), 48A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: DPAK (SINGLE GAUGE)	재고 있음6,372
NTD5C688NLT4G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 T6 60V LL DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A (Ta), 17A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: DPAK (SINGLE GAUGE)	재고 있음8,856
NTGD3133PT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6TSOP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 2.2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 10V 전력-최대: 560mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지: 6-TSOP	재고 있음3,636
NTGD3148NT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 3A 6TSOP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.8nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 300pF @ 10V 전력-최대: 900mW 작동 온도: -50°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지: 6-TSOP	재고 있음100,080
NTGD3149CT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.2A, 2.4A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 387pF @ 10V 전력-최대: 900mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지: 6-TSOP	재고 있음6,192
NTGD4161PT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 30V 1.5A 6-TSOP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.1nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 281pF @ 15V 전력-최대: 600mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지: 6-TSOP	재고 있음3,978
NTGD4167CT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.6A, 1.9A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 295pF @ 15V 전력-최대: 900mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지: 6-TSOP	재고 있음1,080,234
NTHC5513T1 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A, 2.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 180pF @ 10V 전력-최대: 1.1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: ChipFET™	재고 있음5,976
NTHC5513T1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 20V 1206A 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A, 2.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 180pF @ 10V 전력-최대: 1.1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: ChipFET™	재고 있음114,192
NTHD2102PT1 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.4A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 3.4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 2.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 715pF @ 6.4V 전력-최대: 1.1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: ChipFET™	재고 있음4,662
NTHD2102PT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.4A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 3.4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 2.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 715pF @ 6.4V 전력-최대: 1.1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: ChipFET™	재고 있음8,820
NTHD3100CT1 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A, 3.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 165pF @ 10V 전력-최대: 1.1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: ChipFET™	재고 있음4,932
NTHD3100CT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A, 3.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 165pF @ 10V 전력-최대: 1.1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: ChipFET™	재고 있음101,868
NTHD3100CT3 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A, 3.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 165pF @ 10V 전력-최대: 1.1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: ChipFET™	재고 있음4,050
NTHD3100CT3G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A, 3.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 165pF @ 10V 전력-최대: 1.1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: ChipFET™	재고 있음3,834
NTHD3102CT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.1A 1206A 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A, 3.1A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.9nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 510pF @ 10V 전력-최대: 1.1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: ChipFET™	재고 있음116,646
NTHD4102PT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 750pF @ 16V 전력-최대: 1.1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: ChipFET™	재고 있음730,854
NTHD4102PT3G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 750pF @ 16V 전력-최대: 1.1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: ChipFET™	재고 있음2,880
NTHD4401PT1 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.1A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 300pF @ 10V 전력-최대: 1.1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: ChipFET™	재고 있음6,390
NTHD4401PT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.1A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 300pF @ 10V 전력-최대: 1.1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: ChipFET™	재고 있음3,726
NTHD4401PT3 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.1A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 300pF @ 10V 전력-최대: 1.1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: ChipFET™	재고 있음2,502

NDS9952A

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.7A, 2.9A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 320pF @ 10V
전력-최대: 900mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음24,282

NDS9953A

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8-SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 10V
전력-최대: 900mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음3,960

NDS9955

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 345pF @ 25V
전력-최대: 900mW
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음2,829

NDS9956A

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 8-SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 320pF @ 10V
전력-최대: 900mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음5,166

NDS9957

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8-SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 30V
전력-최대: 900mW
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음3,240

NDS9958

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V 3A 8-SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 525pF @ 10V
전력-최대: 900mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음6,858

NDS9959

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 250pF @ 25V
전력-최대: 900mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음4,428

NSTJD1155LT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 8V 1.3A SC88

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,798

NSTJD4001NT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET P-CH SC88

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: *
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,190

NTD5C668NLT4G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

T6 60V LL DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: DPAK (SINGLE GAUGE)

재고 있음6,372

NTD5C688NLT4G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

T6 60V LL DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A (Ta), 17A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: DPAK (SINGLE GAUGE)

재고 있음8,856

NTGD3133PT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6TSOP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 10V
전력-최대: 560mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지: 6-TSOP

재고 있음3,636

NTGD3148NT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 3A 6TSOP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.8nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 300pF @ 10V
전력-최대: 900mW
작동 온도: -50°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지: 6-TSOP

재고 있음100,080

NTGD3149CT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.2A, 2.4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 387pF @ 10V
전력-최대: 900mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지: 6-TSOP

재고 있음6,192

NTGD4161PT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 30V 1.5A 6-TSOP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.1nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 281pF @ 15V
전력-최대: 600mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지: 6-TSOP

재고 있음3,978

NTGD4167CT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.6A, 1.9A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 295pF @ 15V
전력-최대: 900mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지: 6-TSOP

재고 있음1,080,234

NTHC5513T1

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A, 2.2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 180pF @ 10V
전력-최대: 1.1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: ChipFET™

재고 있음5,976

NTHC5513T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V 1206A

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A, 2.2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 180pF @ 10V
전력-최대: 1.1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: ChipFET™

재고 있음114,192

NTHD2102PT1

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 8V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 3.4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 2.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 715pF @ 6.4V
전력-최대: 1.1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: ChipFET™

재고 있음4,662

NTHD2102PT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 8V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 3.4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 2.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 715pF @ 6.4V
전력-최대: 1.1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: ChipFET™

재고 있음8,820

NTHD3100CT1

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A, 3.2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 165pF @ 10V
전력-최대: 1.1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: ChipFET™

재고 있음4,932

NTHD3100CT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A, 3.2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 165pF @ 10V
전력-최대: 1.1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: ChipFET™

재고 있음101,868

NTHD3100CT3

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A, 3.2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 165pF @ 10V
전력-최대: 1.1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: ChipFET™

재고 있음4,050

NTHD3100CT3G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A, 3.2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 165pF @ 10V
전력-최대: 1.1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: ChipFET™

재고 있음3,834

NTHD3102CT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.1A 1206A

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A, 3.1A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.9nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 510pF @ 10V
전력-최대: 1.1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: ChipFET™

재고 있음116,646

NTHD4102PT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 750pF @ 16V
전력-최대: 1.1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: ChipFET™

재고 있음730,854

NTHD4102PT3G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 750pF @ 16V
전력-최대: 1.1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: ChipFET™

재고 있음2,880

NTHD4401PT1

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.1A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 300pF @ 10V
전력-최대: 1.1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: ChipFET™

재고 있음6,390

NTHD4401PT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.1A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 300pF @ 10V
전력-최대: 1.1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: ChipFET™

재고 있음3,726

NTHD4401PT3

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.1A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 300pF @ 10V
전력-최대: 1.1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: ChipFET™

재고 있음2,502

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