트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
LN100LA-G Microchip Technology	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 1200V 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Cascoded) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3000Ohm @ 2mA, 2.8V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.6V @ 10µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V 전력-최대: 350mW 작동 온도: -25°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-VFLGA 공급자 장치 패키지: 6-LFGA (3x3)	재고 있음3,204
LN60A01EP-LF Monolithic Power Systems Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8DIP 제조업체: Monolithic Power Systems Inc. 시리즈: - FET 유형: 3 N-Channel, Common Gate FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190Ohm @ 10mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.3W 작동 온도: -20°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음4,140
LN60A01ES-LF Monolithic Power Systems Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8SOIC 제조업체: Monolithic Power Systems Inc. 시리즈: - FET 유형: 3 N-Channel, Common Gate FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190Ohm @ 10mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.3W 작동 온도: -20°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음5,058
LN60A01ES-LF-Z Monolithic Power Systems Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8SOIC 제조업체: Monolithic Power Systems Inc. 시리즈: - FET 유형: 3 N-Channel, Common Gate FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190Ohm @ 10mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.3W 작동 온도: -20°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음5,004
LP1030DK1-G Microchip Technology	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 300V SOT23-5 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 300V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180Ohm @ 20mA, 7V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10.8pF @ 25V 전력-최대: - 작동 온도: -25°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753 공급자 장치 패키지: SOT-23-5	재고 있음4,284
MC7252KDW-TP Micro Commercial Co	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 N+P-CHANNELMOSFETEFFECTSOT-363 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 340mA, 180mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V, 8Ohm @ 100mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA, 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 40pF, 30pF @ 10V, 5V 전력-최대: 150mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SOT-363	재고 있음284,778
MCB40P1200LB-TUB IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 POWER MOSFET 제조업체: IXYS 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Source FET 기능: Silicon Carbide (SiC) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 58A Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 9-SMD Power Module 공급자 장치 패키지: SMPD	재고 있음8,514
MCCD2004-TP Micro Commercial Co	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 10A 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1955pF @ 10V 전력-최대: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-WFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: DFN2030-6	재고 있음5,508
MCCD2005-TP Micro Commercial Co	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 8A 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17.9nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1800pF @ 10V 전력-최대: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-WFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: DFN2030-6	재고 있음5,832
MCCD2007-TP Micro Commercial Co	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 7A 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1150pF @ 10V 전력-최대: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-WFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: DFN2030-6	재고 있음3,096
MCH6601-TL-E ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 30V 0.2A MCPH6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.4Ohm @ 50mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.43nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7.5pF @ 10V 전력-최대: 800mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 6-MCPH	재고 있음6,912
MCH6602-TL-E ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 0.35A MCPH6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 350mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 80mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.58nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7pF @ 10V 전력-최대: 800mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 6-MCPH	재고 있음6,318
MCH6603-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 50V 0.14A MCPH6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate, 1.5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 140mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23Ohm @ 40mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.4nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7.4pF @ 10V 전력-최대: 800mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 6-MCPH	재고 있음5,004
MCH6604-TL-E ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 50V 0.25A MCPH6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.8Ohm @ 50mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.57nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6.6pF @ 10V 전력-최대: 800mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 6-MCPH	재고 있음8,190
MCH6605-TL-E ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 50V 0.14A MCPH6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate, 4V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 140mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22Ohm @ 40mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.32nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6.2pF @ 10V 전력-최대: 800mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 6-MCPH	재고 있음2,862
MCH6605-TL-EX ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 INTEGRATED CIRCUIT 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,048
MCH6606-TL-E ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET PCH DUAL MCPH6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: * FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,444
MCH6606-TL-EX ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 INTEGRATED CIRCUIT 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,510
MCH6613-TL-E ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 30V MCPH6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 350mA, 200mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 80mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.58nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7pF @ 10V 전력-최대: 800mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 6-MCPH	재고 있음8,766
MCH6660-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 20V 2A/1.5A MCPH6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A, 1.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 136mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 128pF @ 10V 전력-최대: 800mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 6-MCPH	재고 있음5,922
MCH6660-TL-W ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 20V 2A/1.5A MCPH6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate, 1.8V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A, 1.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 136mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 128pF @ 10V 전력-최대: 800mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 6-MCPH	재고 있음154,722
MCH6661-TL-W ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 1.8A SOT363 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate, 4V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.8A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 188mOhm @ 900mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 88pF @ 10V 전력-최대: 800mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: SC-88FL/MCPH6	재고 있음77,466
MCH6662-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 2A MCPH6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 128pF @ 10V 전력-최대: 800mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 6-MCPH	재고 있음3,580
MCH6662-TL-W ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 2A MCPH6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate, 1.8V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 128pF @ 10V 전력-최대: 800mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: SC-88FL/MCPH6	재고 있음6,138
MCH6663-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 30V 1.8/1.5A MCPH6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.8A, 1.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 188mOhm @ 900mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 88pF @ 10V 전력-최대: 800mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 6-MCPH	재고 있음5,706
MCH6663-TL-W ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 30V 1.8/1.5A MCPH6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate, 4V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.8A, 1.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 188mOhm @ 900mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 88pF @ 10V 전력-최대: 800mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: SC-88FL/MCPH6	재고 있음8,280
MCH6664-TL-W ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 30V 1.5A SOT363 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 800mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.2nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 82pF @ 10V 전력-최대: 800mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: SC-88FL/MCPH6	재고 있음22
MCM2301-TP Micro Commercial Co	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 P-CHANNEL,MOSFETS,DFN2020-6L PAC 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.8A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.9A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 0.9V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14.5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 880pF @ 6V 전력-최대: 1.4W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: DFN2020-6	재고 있음7,002
MCM3400A-TP Micro Commercial Co	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 N-CHANNEL,MOSFETS,DFN2020-6L PAC 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - FET 유형: N-Channel FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1155pF @ 15V 전력-최대: 1.4W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: DFN2020-6L	재고 있음675,120
MCMNP517-TP Micro Commercial Co	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 12V 6A/4.1A 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate, 1.8V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A, 4.1A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 630pF @ 10V 전력-최대: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: DFN2020-6U	재고 있음25,122

LN100LA-G

Microchip Technology

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 1200V

제조업체: Microchip Technology
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Cascoded)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV)
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3000Ohm @ 2mA, 2.8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.6V @ 10µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
전력-최대: 350mW
작동 온도: -25°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-VFLGA
공급자 장치 패키지: 6-LFGA (3x3)

재고 있음3,204

LN60A01EP-LF

Monolithic Power Systems Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8DIP

제조업체: Monolithic Power Systems Inc.
시리즈: -
FET 유형: 3 N-Channel, Common Gate
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190Ohm @ 10mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.3W
작동 온도: -20°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 8-PDIP

재고 있음4,140

LN60A01ES-LF

Monolithic Power Systems Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8SOIC

제조업체: Monolithic Power Systems Inc.
시리즈: -
FET 유형: 3 N-Channel, Common Gate
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190Ohm @ 10mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.3W
작동 온도: -20°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음5,058

LN60A01ES-LF-Z

Monolithic Power Systems Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8SOIC

제조업체: Monolithic Power Systems Inc.
시리즈: -
FET 유형: 3 N-Channel, Common Gate
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190Ohm @ 10mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.3W
작동 온도: -20°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음5,004

LP1030DK1-G

Microchip Technology

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 300V SOT23-5

제조업체: Microchip Technology
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 300V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180Ohm @ 20mA, 7V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10.8pF @ 25V
전력-최대: -
작동 온도: -25°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753
공급자 장치 패키지: SOT-23-5

재고 있음4,284

MC7252KDW-TP

Micro Commercial Co

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

N+P-CHANNELMOSFETEFFECTSOT-363

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 340mA, 180mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V, 8Ohm @ 100mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA, 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 40pF, 30pF @ 10V, 5V
전력-최대: 150mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SOT-363

재고 있음284,778

MCB40P1200LB-TUB

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

POWER MOSFET

제조업체: IXYS
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Source
FET 기능: Silicon Carbide (SiC)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV)
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 58A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 9-SMD Power Module
공급자 장치 패키지: SMPD

재고 있음8,514

MCCD2004-TP

Micro Commercial Co

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 10A

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1955pF @ 10V
전력-최대: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-WFDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: DFN2030-6

재고 있음5,508

MCCD2005-TP

Micro Commercial Co

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 8A

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17.9nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1800pF @ 10V
전력-최대: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-WFDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: DFN2030-6

재고 있음5,832

MCCD2007-TP

Micro Commercial Co

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 7A

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1150pF @ 10V
전력-최대: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-WFDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: DFN2030-6

재고 있음3,096

MCH6601-TL-E

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 30V 0.2A MCPH6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.4Ohm @ 50mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.43nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7.5pF @ 10V
전력-최대: 800mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: 6-MCPH

재고 있음6,912

MCH6602-TL-E

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 0.35A MCPH6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 350mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 80mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.58nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7pF @ 10V
전력-최대: 800mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: 6-MCPH

재고 있음6,318

MCH6603-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 50V 0.14A MCPH6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate, 1.5V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 140mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23Ohm @ 40mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7.4pF @ 10V
전력-최대: 800mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: 6-MCPH

재고 있음5,004

MCH6604-TL-E

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 50V 0.25A MCPH6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.8Ohm @ 50mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.57nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6.6pF @ 10V
전력-최대: 800mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: 6-MCPH

재고 있음8,190

MCH6605-TL-E

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 50V 0.14A MCPH6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate, 4V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 140mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22Ohm @ 40mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.32nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6.2pF @ 10V
전력-최대: 800mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: 6-MCPH

재고 있음2,862

MCH6605-TL-EX

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

INTEGRATED CIRCUIT

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,048

MCH6606-TL-E

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET PCH DUAL MCPH6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: *
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,444

MCH6606-TL-EX

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

INTEGRATED CIRCUIT

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,510

MCH6613-TL-E

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V MCPH6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 350mA, 200mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 80mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.58nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7pF @ 10V
전력-최대: 800mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: 6-MCPH

재고 있음8,766

MCH6660-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V 2A/1.5A MCPH6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A, 1.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 136mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 128pF @ 10V
전력-최대: 800mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: 6-MCPH

재고 있음5,922

MCH6660-TL-W

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V 2A/1.5A MCPH6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate, 1.8V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A, 1.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 136mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 128pF @ 10V
전력-최대: 800mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: 6-MCPH

재고 있음154,722

MCH6661-TL-W

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 1.8A SOT363

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate, 4V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 188mOhm @ 900mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 88pF @ 10V
전력-최대: 800mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: SC-88FL/MCPH6

재고 있음77,466

MCH6662-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 2A MCPH6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 128pF @ 10V
전력-최대: 800mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: 6-MCPH

재고 있음3,580

MCH6662-TL-W

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 2A MCPH6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate, 1.8V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 128pF @ 10V
전력-최대: 800mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: SC-88FL/MCPH6

재고 있음6,138

MCH6663-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 1.8/1.5A MCPH6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.8A, 1.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 188mOhm @ 900mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 88pF @ 10V
전력-최대: 800mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: 6-MCPH

재고 있음5,706

MCH6663-TL-W

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 1.8/1.5A MCPH6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate, 4V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.8A, 1.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 188mOhm @ 900mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 88pF @ 10V
전력-최대: 800mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: SC-88FL/MCPH6

재고 있음8,280

MCH6664-TL-W

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 30V 1.5A SOT363

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 800mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.2nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 82pF @ 10V
전력-최대: 800mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: SC-88FL/MCPH6

재고 있음22

MCM2301-TP

Micro Commercial Co

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

P-CHANNEL,MOSFETS,DFN2020-6L PAC

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.9A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 0.9V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 880pF @ 6V
전력-최대: 1.4W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-VDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: DFN2020-6

재고 있음7,002

MCM3400A-TP

Micro Commercial Co

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

N-CHANNEL,MOSFETS,DFN2020-6L PAC

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1155pF @ 15V
전력-최대: 1.4W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-VDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: DFN2020-6L

재고 있음675,120

MCMNP517-TP

Micro Commercial Co

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 12V 6A/4.1A

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate, 1.8V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A, 4.1A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 630pF @ 10V
전력-최대: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-VDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: DFN2020-6U

재고 있음25,122

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