트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
IRF7757TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 4.8A 8TSSOP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.8A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.8A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1340pF @ 15V 전력-최대: 1.2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP	재고 있음2,988
IRF7901D1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: FETKY™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.5nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 780pF @ 16V 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음8,208
IRF7901D1TR Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: FETKY™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.5nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 780pF @ 16V 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음8,694
IRF7901D1TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: FETKY™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.5nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 780pF @ 16V 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음2,628
IRF7902PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 6.4A/9.7A 8SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.4A, 9.7A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 6.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.25V @ 25µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.9nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 580pF @ 15V 전력-최대: 1.4W, 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음6,534
IRF7902TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 6.4A/9.7A 8SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.4A, 9.7A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 6.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.25V @ 25µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.9nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 580pF @ 15V 전력-최대: 1.4W, 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음4,320
IRF7904PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 7.6A/11A 8SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.6A, 11A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 7.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.25V @ 25µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 910pF @ 15V 전력-최대: 1.4W, 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음25,122
IRF7904TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 7.6A/11A 8-SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.6A, 11A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 7.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.25V @ 25µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 910pF @ 15V 전력-최대: 1.4W, 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음7,110
IRF7904TRPBF-1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 7.6A/11A 8-SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,776
IRF7905PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 7.8A/8.9A 8SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.8A, 8.9A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21.8mOhm @ 7.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.25V @ 25µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.9nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 600pF @ 15V 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음226
IRF7905TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 7.8A/8.9A 8SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.8A, 8.9A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21.8mOhm @ 7.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.25V @ 25µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.9nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 600pF @ 15V 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음7,704
IRF7907PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.1A, 11A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16.4mOhm @ 9.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 25µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 850pF @ 15V 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음3,384
IRF7907TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8-SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.1A, 11A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16.4mOhm @ 9.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 25µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 850pF @ 15V 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음6,624
IRF7910PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 12V 10A 8-SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1730pF @ 6V 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음262
IRF7910TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 12V 10A 8SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1730pF @ 6V 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음4,698
IRF8313PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.7A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 9.7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 25µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 90nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 760pF @ 15V 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음3,834
IRF8313TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.7A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 9.7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 25µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 760pF @ 15V 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음93,444
IRF8513PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A, 11A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 25µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 766pF @ 15V 전력-최대: 1.5W, 2.4W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음6,264
IRF8513TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A, 11A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 25µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 766pF @ 15V 전력-최대: 1.5W, 2.4W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음5,724
IRF8852TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 25V 7.8A 8TSSOP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.8A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 7.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 25µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1151pF @ 20V 전력-최대: 1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP	재고 있음8,658
IRF8910GPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SO 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.55V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 960pF @ 10V 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음6,984
IRF8910GTRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.55V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 960pF @ 10V 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음7,740
IRF8910PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.55V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 960pF @ 10V 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음3,582
IRF8910TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.55V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 960pF @ 10V 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음7,470
IRF8915 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.9A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18.3mOhm @ 8.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 540pF @ 10V 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음378
IRF8915TR Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.9A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18.3mOhm @ 8.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 540pF @ 10V 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음7,884
IRF8915TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.9A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18.3mOhm @ 8.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 540pF @ 10V 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음27,822
IRF9358PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 9.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 25µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1740pF @ 25V 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음3,744
IRF9358TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 9.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 25µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1740pF @ 25V 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음73,791
IRF9362PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 25µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 39nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1300pF @ 25V 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음3,762

IRF7757TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 4.8A 8TSSOP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.8A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1340pF @ 15V
전력-최대: 1.2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-TSSOP

재고 있음2,988

IRF7901D1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8SOIC

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: FETKY™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.5nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 780pF @ 16V
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음8,208

IRF7901D1TR

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8SOIC

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: FETKY™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.5nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 780pF @ 16V
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음8,694

IRF7901D1TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8SOIC

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: FETKY™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.5nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 780pF @ 16V
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음2,628

IRF7902PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 6.4A/9.7A 8SOIC

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.4A, 9.7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 6.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.25V @ 25µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.9nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 580pF @ 15V
전력-최대: 1.4W, 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음6,534

IRF7902TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 6.4A/9.7A 8SOIC

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.4A, 9.7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 6.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.25V @ 25µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.9nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 580pF @ 15V
전력-최대: 1.4W, 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음4,320

IRF7904PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 7.6A/11A 8SOIC

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.6A, 11A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 7.6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.25V @ 25µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 910pF @ 15V
전력-최대: 1.4W, 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음25,122

IRF7904TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 7.6A/11A 8-SOIC

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.6A, 11A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 7.6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.25V @ 25µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 910pF @ 15V
전력-최대: 1.4W, 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음7,110

IRF7904TRPBF-1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 7.6A/11A 8-SOIC

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,776

IRF7905PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 7.8A/8.9A 8SOIC

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.8A, 8.9A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21.8mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.25V @ 25µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.9nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 600pF @ 15V
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음226

IRF7905TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 7.8A/8.9A 8SOIC

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.8A, 8.9A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21.8mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.25V @ 25µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.9nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 600pF @ 15V
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음7,704

IRF7907PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8SOIC

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.1A, 11A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16.4mOhm @ 9.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 25µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 850pF @ 15V
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음3,384

IRF7907TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8-SOIC

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.1A, 11A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16.4mOhm @ 9.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 25µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 850pF @ 15V
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음6,624

IRF7910PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 12V 10A 8-SOIC

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1730pF @ 6V
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음262

IRF7910TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 12V 10A 8SOIC

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1730pF @ 6V
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음4,698

IRF8313PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 25µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 90nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 760pF @ 15V
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음3,834

IRF8313TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 25µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 760pF @ 15V
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음93,444

IRF8513PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A, 11A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 25µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 766pF @ 15V
전력-최대: 1.5W, 2.4W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음6,264

IRF8513TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A, 11A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 25µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 766pF @ 15V
전력-최대: 1.5W, 2.4W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음5,724

IRF8852TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 25V 7.8A 8TSSOP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 25µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1151pF @ 20V
전력-최대: 1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-TSSOP

재고 있음8,658

IRF8910GPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SO

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.55V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 960pF @ 10V
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음6,984

IRF8910GTRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.55V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 960pF @ 10V
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음7,740

IRF8910PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.55V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 960pF @ 10V
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음3,582

IRF8910TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.55V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 960pF @ 10V
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음7,470

IRF8915

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.9A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18.3mOhm @ 8.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 540pF @ 10V
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음378

IRF8915TR

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.9A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18.3mOhm @ 8.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 540pF @ 10V
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음7,884

IRF8915TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.9A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18.3mOhm @ 8.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 540pF @ 10V
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음27,822

IRF9358PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SOIC

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 9.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 25µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1740pF @ 25V
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음3,744

IRF9358TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SOIC

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 9.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 25µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1740pF @ 25V
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음73,791

IRF9362PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 25µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 39nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1300pF @ 25V
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음3,762

Send Message

Certifications

자원

지원

Social Media

Need Help?
Send Message