트랜지스터

IRF7324

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 9A 8-SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 63nC @ 5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2940pF @ 15V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

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IRF7324PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 9A 8-SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 63nC @ 5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2940pF @ 15V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

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IRF7324TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 9A 8-SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 63nC @ 5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2940pF @ 15V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

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IRF7325

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8-SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.8A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2020pF @ 10V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

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IRF7325PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8-SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.8A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2020pF @ 10V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

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IRF7325TR

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8-SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.8A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2020pF @ 10V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

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IRF7325TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8-SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.8A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2020pF @ 10V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

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IRF7328PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 78nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2675pF @ 25V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

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IRF7328TR

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 78nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2675pF @ 25V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

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IRF7328TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 78nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2675pF @ 25V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

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IRF7329PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.2A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9.2A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 57nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3450pF @ 10V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

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IRF7329TR

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.2A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9.2A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 57nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3450pF @ 10V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

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IRF7329TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.2A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9.2A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 57nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3450pF @ 10V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

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IRF7331

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1340pF @ 16V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

IRF7331PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1340pF @ 16V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

IRF7331TR

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1340pF @ 16V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

IRF7331TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1340pF @ 16V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

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IRF7331TRPBF-1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: *
• FET 유형: -
• FET 기능: -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• 전력-최대: -
• 작동 온도: -
• 장착 유형: -
• 패키지 / 케이스: -
• 공급자 장치 패키지: -

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IRF7335D1TR

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 10A 14-SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: FETKY™
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 10A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1500pF @ 15V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 14-SOIC

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IRF7338PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 12V 6.3A/3A 8-SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: N and P-Channel
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.3A, 3A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 640pF @ 9V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

IRF7338TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 12V 6.3A 8-SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: N and P-Channel
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.3A, 3A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 640pF @ 9V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

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IRF7341GTRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N-CH 55V 5.1A

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.1A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 44nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 780pF @ 25V
• 전력-최대: 2.4W
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

IRF7341PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.7A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 740pF @ 25V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

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IRF7341QTRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8-SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.1A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 44nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 780pF @ 25V
• 전력-최대: 2.4W
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

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IRF7341TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.7A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 740pF @ 25V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

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IRF7342PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.4A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 690pF @ 25V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

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IRF7342QTRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.4A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 690pF @ 25V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

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IRF7342TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.4A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 690pF @ 25V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

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IRF7343PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: N and P-Channel
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.7A, 3.4A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 740pF @ 25V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

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IRF7343QTRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: N and P-Channel
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.7A, 3.4A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 740pF @ 25V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

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