트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
IRF5852TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.7A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.7A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.25V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 15V 전력-최대: 960mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지: 6-TSOP	재고 있음7,974
IRF6150 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 7.9A FLIP-FET 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.9A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 7.9A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 3W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-WFBGA 공급자 장치 패키지: 16-FlipFet™	재고 있음6,840
IRF6156 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 6.5A FLIP-FET 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 950pF @ 15V 전력-최대: 2.5W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-FlipFet™ 공급자 장치 패키지: 6-FlipFet™	재고 있음7,002
IRF6702M2DTR1PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 25µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1380pF @ 15V 전력-최대: 2.7W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MA 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MA	재고 있음5,166
IRF6702M2DTRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 25µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1380pF @ 15V 전력-최대: 2.7W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MA 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MA	재고 있음3,942
IRF6723M2DTR1P Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 25µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1380pF @ 15V 전력-최대: 2.7W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MA 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MA	재고 있음3,492
IRF6723M2DTRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 25µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1380pF @ 15V 전력-최대: 2.7W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MA 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MA	재고 있음8,478
IRF6802SDTR1PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 25V 16A SA 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 35µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1350pF @ 13V 전력-최대: 1.7W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric SA 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ SA	재고 있음5,022
IRF6802SDTRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 25V 16A SA 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 35µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1350pF @ 13V 전력-최대: 1.7W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric SA 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ SA	재고 있음2,772
IRF7101PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 3.5A 8-SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 320pF @ 15V 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음7,470
IRF7101TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 3.5A 8-SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 320pF @ 15V 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음35,256
IRF7102 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.6nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 120pF @ 25V 전력-최대: 2W 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음7,578
IRF7103PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 290pF @ 25V 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음3,400
IRF7103Q Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 255pF @ 25V 전력-최대: 2.4W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음10,656
IRF7103QTRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 255pF @ 25V 전력-최대: 2.4W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음6,732
IRF7103TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 290pF @ 25V 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음570,672
IRF7104PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 290pF @ 15V 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음6
IRF7104TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 290pF @ 15V 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음2,196
IRF7105PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 25V 8-SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A, 2.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 330pF @ 15V 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음4,104
IRF7105QTRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 25V 8-SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A, 2.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 330pF @ 15V 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음4,626
IRF7105TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 25V 8-SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A, 2.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 330pF @ 15V 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음35,652
IRF7106 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.5A 8-SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A, 2.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 300pF @ 15V 전력-최대: 2W 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음6,642
IRF7301PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.6A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 660pF @ 15V 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음7,776
IRF7301TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.6A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 660pF @ 15V 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음7,200
IRF7303PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.9A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 520pF @ 25V 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음7,236
IRF7303QTRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.9A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 520pF @ 25V 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음2,268
IRF7303TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.9A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 520pF @ 25V 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음29,412
IRF7304 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8-SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 610pF @ 15V 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음250,962
IRF7304PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8-SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 610pF @ 15V 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음7,416
IRF7304QTRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 610pF @ 15V 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음8,010

IRF5852TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.7A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.25V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 15V
전력-최대: 960mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지: 6-TSOP

재고 있음7,974

IRF6150

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 7.9A FLIP-FET

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.9A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 7.9A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 3W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-WFBGA
공급자 장치 패키지: 16-FlipFet™

재고 있음6,840

IRF6156

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 6.5A FLIP-FET

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 950pF @ 15V
전력-최대: 2.5W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-FlipFet™
공급자 장치 패키지: 6-FlipFet™

재고 있음7,002

IRF6702M2DTR1PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 25µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1380pF @ 15V
전력-최대: 2.7W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MA
공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MA

재고 있음5,166

IRF6702M2DTRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 25µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1380pF @ 15V
전력-최대: 2.7W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MA
공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MA

재고 있음3,942

IRF6723M2DTR1P

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 25µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1380pF @ 15V
전력-최대: 2.7W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MA
공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MA

재고 있음3,492

IRF6723M2DTRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 25µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1380pF @ 15V
전력-최대: 2.7W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MA
공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MA

재고 있음8,478

IRF6802SDTR1PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 25V 16A SA

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 35µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1350pF @ 13V
전력-최대: 1.7W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric SA
공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ SA

재고 있음5,022

IRF6802SDTRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 25V 16A SA

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 35µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1350pF @ 13V
전력-최대: 1.7W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric SA
공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ SA

재고 있음2,772

IRF7101PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 3.5A 8-SOIC

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 320pF @ 15V
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음7,470

IRF7101TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 3.5A 8-SOIC

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 320pF @ 15V
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음35,256

IRF7102

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.6nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 120pF @ 25V
전력-최대: 2W
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음7,578

IRF7103PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 290pF @ 25V
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음3,400

IRF7103Q

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 255pF @ 25V
전력-최대: 2.4W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음10,656

IRF7103QTRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 255pF @ 25V
전력-최대: 2.4W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음6,732

IRF7103TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 290pF @ 25V
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음570,672

IRF7104PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 290pF @ 15V
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음6

IRF7104TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 290pF @ 15V
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음2,196

IRF7105PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 25V 8-SOIC

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A, 2.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 330pF @ 15V
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음4,104

IRF7105QTRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 25V 8-SOIC

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A, 2.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 330pF @ 15V
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음4,626

IRF7105TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 25V 8-SOIC

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A, 2.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 330pF @ 15V
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음35,652

IRF7106

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.5A 8-SOIC

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A, 2.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 300pF @ 15V
전력-최대: 2W
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음6,642

IRF7301PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.6A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 660pF @ 15V
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음7,776

IRF7301TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.6A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 660pF @ 15V
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음7,200

IRF7303PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.9A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 520pF @ 25V
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음7,236

IRF7303QTRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.9A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 520pF @ 25V
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음2,268

IRF7303TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.9A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 520pF @ 25V
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음29,412

IRF7304

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8-SOIC

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 610pF @ 15V
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음250,962

IRF7304PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8-SOIC

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 610pF @ 15V
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음7,416

IRF7304QTRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8SOIC

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 610pF @ 15V
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음8,010

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