트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
GWM160-0055X1-SLSAM IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 6N-CH 55V 150A ISOPLUS 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 105nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 17-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: ISOPLUS-DIL™	재고 있음5,490
GWM160-0055X1-SMD IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 6N-CH 55V 150A ISOPLUS 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 105nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 17-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: ISOPLUS-DIL™	재고 있음8,604
GWM160-0055X1-SMDSAM IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 6N-CH 55V 150A ISOPLUS 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 105nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 17-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: ISOPLUS-DIL™	재고 있음8,820
GWM180-004X2-SL IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 6N-CH 40V 180A 17-SMD 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 110nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 17-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: ISOPLUS-DIL™	재고 있음5,922
GWM180-004X2-SLSAM IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 6N-CH 40V 180A 17-SMD 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 110nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 17-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: ISOPLUS-DIL™	재고 있음4,734
GWM180-004X2-SMD IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 6N-CH 40V 180A 17-SMD 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 110nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 17-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: ISOPLUS-DIL™	재고 있음3,816
GWM180-004X2-SMDSAM IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 6N-CH 40V 180A 17-SMD 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 110nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 17-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: ISOPLUS-DIL™	재고 있음5,886
GWM220-004P3-SL IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 6N-CH 40V 180A ISOPLUS 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180A Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 94nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 17-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: ISOPLUS-DIL™	재고 있음3,402
GWM220-004P3-SL SAM IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 6N-CH 40V 180A ISOPLUS 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180A Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 94nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 17-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: ISOPLUS-DIL™	재고 있음2,340
GWM220-004P3-SMD IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 6N-CH 40V 180A ISOPLUS 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180A Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 94nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 17-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: ISOPLUS-DIL™	재고 있음2,412
GWM220-004P3-SMD SAM IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 6N-CH 40V 180A ISOPLUS 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180A Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 94nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 17-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: ISOPLUS-DIL™	재고 있음5,238
GWM70-01P2 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 6N-CH 100V 70A ISODIL 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 70A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 110nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: ISOPLUS-DIL™ 공급자 장치 패키지: ISOPLUS-DIL™	재고 있음7,344
GWS4621L Renesas Electronics America Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.1A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 4V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1125pF @ 10V 전력-최대: 3.6W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-XFLGA, CSP 공급자 장치 패키지: 4-WLCSP (1.82x1.82)	재고 있음7,254
GWS9293 Renesas Electronics America Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2 N-CH 20V 9.4A 4QFN 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.4A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.5nC @ 4V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 10V 전력-최대: 3.6W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-VDFN 공급자 장치 패키지: 4-QFN (2x2)	재고 있음2,502
GWS9294 Renesas Electronics America Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2 N-CH 20V 10.1A 4QFN 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.1A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 4V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 900pF @ 10V 전력-최대: 3.6W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-VDFN 공급자 장치 패키지: 4-QFN (2x2)	재고 있음3,454
HAT1126RWS-E Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET P-CH SOP8 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate, 4.5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 37nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2300pF @ 10V 전력-최대: 3W (Ta) 작동 온도: 150°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음4,464
HAT2038R-EL-E Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SOP 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 520pF @ 10V 전력-최대: 3W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음3,708
HAT2038RWS-E Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N-CH SOP8 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate, 4V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 520pF @ 10V 전력-최대: 3W (Ta) 작동 온도: 150°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음3,132
HAT2092R-EL-E Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 11A 8-SOP 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1400pF @ 10V 전력-최대: 3W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음2,070
HAT2210RWS-E Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N-PAK 8SOP 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual), Schottky FET 기능: Logic Level Gate, 4.5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A (Ta), 8A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 3.75A, 10V, 22mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V, 11nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 630pF @ 10V, 1330pF @ 10V 전력-최대: 1.5W (Ta) 작동 온도: 150°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음3,600
HCT802 TT Electronics/Optek Technology	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 90V 2A/1.1A SMD 제조업체: TT Electronics/Optek Technology 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 90V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A, 1.1A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 70pF @ 25V 전력-최대: 500mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음7,488
HCT802TX TT Electronics/Optek Technology	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 90V 2A/1.1A SMD 제조업체: TT Electronics/Optek Technology 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 90V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A, 1.1A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 70pF @ 25V 전력-최대: 500mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음7,506
HCT802TXV TT Electronics/Optek Technology	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 90V 2A/1.1A SMD 제조업체: TT Electronics/Optek Technology 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 90V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A, 1.1A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 70pF @ 25V 전력-최대: 500mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음8,622
HP8K22TB Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 30V NCH+NCH MID POWER MOSFET 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 27A, 57A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16.8nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1080pF @ 15V 전력-최대: 25W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-HSOP	재고 있음41,502
HP8K24TB Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 HP8K24 IS THE HIGH RELIABILITY T 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Ta), 27A (Tc), 26A (Ta), 80A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V, 3mOhm @ 26A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC, 36nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 590pF, 2410pF @ 15V 전력-최대: 3W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-HSOP	재고 있음25,728
HP8KA1TB Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 14A HSOP8 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 10mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2550pF @ 15V 전력-최대: 3W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-HSOP	재고 있음4,482
HP8M31TB1 Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 HP8M31TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.5A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 8.5A, 10V, 70mOhm @ 8.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.3nC, 38nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 470pF, 2300pF @ 30V 전력-최대: 3W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-HSOP	재고 있음3,564
HP8M51TB1 Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 HP8M51TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 4.5A, 10V, 290mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC, 26.2nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 600pF @ 50V 전력-최대: 3W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-HSOP	재고 있음7,884
HP8MA2TB1 Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 HP8MA2 IS LOW ON-RESISTANCE AND 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Ta), 15A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 18A, 10V, 17.9mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC, 25nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF, 1250pF @ 15V 전력-최대: 3W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-HSOP	재고 있음24,906
HP8S36TB Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET, 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 27A, 80A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 32A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 47nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6100pF @ 15V 전력-최대: 29W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-HSOP	재고 있음4,428

GWM160-0055X1-SLSAM

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 6N-CH 55V 150A ISOPLUS

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 105nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 17-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: ISOPLUS-DIL™

재고 있음5,490

GWM160-0055X1-SMD

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 6N-CH 55V 150A ISOPLUS

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 105nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 17-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: ISOPLUS-DIL™

재고 있음8,604

GWM160-0055X1-SMDSAM

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 6N-CH 55V 150A ISOPLUS

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 105nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 17-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: ISOPLUS-DIL™

재고 있음8,820

GWM180-004X2-SL

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 6N-CH 40V 180A 17-SMD

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 110nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 17-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: ISOPLUS-DIL™

재고 있음5,922

GWM180-004X2-SLSAM

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 6N-CH 40V 180A 17-SMD

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 110nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 17-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: ISOPLUS-DIL™

재고 있음4,734

GWM180-004X2-SMD

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 6N-CH 40V 180A 17-SMD

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 110nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 17-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: ISOPLUS-DIL™

재고 있음3,816

GWM180-004X2-SMDSAM

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 6N-CH 40V 180A 17-SMD

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 110nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 17-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: ISOPLUS-DIL™

재고 있음5,886

GWM220-004P3-SL

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 6N-CH 40V 180A ISOPLUS

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 94nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 17-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: ISOPLUS-DIL™

재고 있음3,402

GWM220-004P3-SL SAM

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 6N-CH 40V 180A ISOPLUS

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 94nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 17-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: ISOPLUS-DIL™

재고 있음2,340

GWM220-004P3-SMD

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 6N-CH 40V 180A ISOPLUS

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 94nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 17-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: ISOPLUS-DIL™

재고 있음2,412

GWM220-004P3-SMD SAM

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 6N-CH 40V 180A ISOPLUS

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 94nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 17-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: ISOPLUS-DIL™

재고 있음5,238

GWM70-01P2

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 6N-CH 100V 70A ISODIL

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 70A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 110nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: ISOPLUS-DIL™
공급자 장치 패키지: ISOPLUS-DIL™

재고 있음7,344

GWS4621L

Renesas Electronics America Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH

제조업체: Renesas Electronics America Inc.
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.1A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 4V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1125pF @ 10V
전력-최대: 3.6W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-XFLGA, CSP
공급자 장치 패키지: 4-WLCSP (1.82x1.82)

재고 있음7,254

GWS9293

Renesas Electronics America Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 20V 9.4A 4QFN

제조업체: Renesas Electronics America Inc.
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.4A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.5nC @ 4V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 10V
전력-최대: 3.6W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-VDFN
공급자 장치 패키지: 4-QFN (2x2)

재고 있음2,502

GWS9294

Renesas Electronics America Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 20V 10.1A 4QFN

제조업체: Renesas Electronics America Inc.
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.1A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 4V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 900pF @ 10V
전력-최대: 3.6W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-VDFN
공급자 장치 패키지: 4-QFN (2x2)

재고 있음3,454

HAT1126RWS-E

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET P-CH SOP8

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate, 4.5V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 37nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2300pF @ 10V
전력-최대: 3W (Ta)
작동 온도: 150°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음4,464

HAT2038R-EL-E

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SOP

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 520pF @ 10V
전력-최대: 3W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음3,708

HAT2038RWS-E

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N-CH SOP8

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate, 4V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 520pF @ 10V
전력-최대: 3W (Ta)
작동 온도: 150°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음3,132

HAT2092R-EL-E

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 11A 8-SOP

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1400pF @ 10V
전력-최대: 3W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음2,070

HAT2210RWS-E

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N-PAK 8SOP

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), Schottky
FET 기능: Logic Level Gate, 4.5V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A (Ta), 8A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 3.75A, 10V, 22mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V, 11nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 630pF @ 10V, 1330pF @ 10V
전력-최대: 1.5W (Ta)
작동 온도: 150°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음3,600

HCT802

TT Electronics/Optek Technology

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 90V 2A/1.1A SMD

제조업체: TT Electronics/Optek Technology
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 90V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A, 1.1A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 70pF @ 25V
전력-최대: 500mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, No Lead
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음7,488

HCT802TX

TT Electronics/Optek Technology

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 90V 2A/1.1A SMD

제조업체: TT Electronics/Optek Technology
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 90V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A, 1.1A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 70pF @ 25V
전력-최대: 500mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, No Lead
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음7,506

HCT802TXV

TT Electronics/Optek Technology

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 90V 2A/1.1A SMD

제조업체: TT Electronics/Optek Technology
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 90V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A, 1.1A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 70pF @ 25V
전력-최대: 500mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, No Lead
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음8,622

HP8K22TB

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

30V NCH+NCH MID POWER MOSFET

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 27A, 57A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16.8nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1080pF @ 15V
전력-최대: 25W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-HSOP

재고 있음41,502

HP8K24TB

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

HP8K24 IS THE HIGH RELIABILITY T

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Ta), 27A (Tc), 26A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V, 3mOhm @ 26A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC, 36nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 590pF, 2410pF @ 15V
전력-최대: 3W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-HSOP

재고 있음25,728

HP8KA1TB

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 14A HSOP8

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 10mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2550pF @ 15V
전력-최대: 3W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-HSOP

재고 있음4,482

HP8M31TB1

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

HP8M31TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.5A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 8.5A, 10V, 70mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.3nC, 38nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 470pF, 2300pF @ 30V
전력-최대: 3W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-HSOP

재고 있음3,564

HP8M51TB1

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

HP8M51TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 4.5A, 10V, 290mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC, 26.2nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 600pF @ 50V
전력-최대: 3W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-HSOP

재고 있음7,884

HP8MA2TB1

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

HP8MA2 IS LOW ON-RESISTANCE AND

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Ta), 15A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 18A, 10V, 17.9mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC, 25nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF, 1250pF @ 15V
전력-최대: 3W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-HSOP

재고 있음24,906

HP8S36TB

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET,

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 27A, 80A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 32A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 47nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6100pF @ 15V
전력-최대: 29W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-HSOP

재고 있음4,428

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