트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
FDW9926NZ ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 4.5A 8-TSSOP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 600pF @ 10V 전력-최대: 1.1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP	재고 있음6,966
FDWS9420-F085 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2 N-CH 40V 20A 8-PQFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 43nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2100pF @ 20V 전력-최대: 75W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6)	재고 있음4,788
FDWS9520L-F085 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 PT8P 40V LL DUAL PQFN56 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60.8A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2370pF @ 20V 전력-최대: 75W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6)	재고 있음3,780
FDY1002PZ ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 0.83A SC89-6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 830mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 830mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.1nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 135pF @ 10V 전력-최대: 446mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-563F	재고 있음524,364
FDY2000PZ ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 0.35A SOT-563F 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 350mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 100pF @ 10V 전력-최대: 446mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-563F	재고 있음23,484
FDY2001PZ ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 0.15A SOT-563F 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 100pF @ 10V 전력-최대: 446mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-563F	재고 있음7,794
FDY3000NZ ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 0.6A SC89 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 600mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 60pF @ 10V 전력-최대: 446mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-563F	재고 있음808,290
FDY3001NZ ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 0.2A SOT-563F 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 60pF @ 10V 전력-최대: 446mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-563F	재고 있음5,472
FDY4000CZ ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 20V SC89-6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 600mA, 350mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 60pF @ 10V 전력-최대: 446mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-563F	재고 있음746,448
FDY4001CZ ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 20V SC89-6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA, 150mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 60pF @ 10V 전력-최대: 446mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-563F	재고 있음7,020
FDZ1323NZ ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 10A 6WLCSP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2055pF @ 10V 전력-최대: 500mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-XFBGA, WLCSP 공급자 장치 패키지: 6-WLCSP (1.3x2.3)	재고 있음2,664
FDZ1416NZ ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 4-WLCSP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 500mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-XFBGA, WLCSP 공급자 장치 패키지: 4-WLCSP (1.6x1.4)	재고 있음50,106
FDZ1905PZ ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 6-WLCSP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 900mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-UFBGA, WLCSP 공급자 장치 패키지: 6-WLCSP (1.0x1.5)	재고 있음7,466
FDZ2553N ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 9.6A BGA 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.6A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1299pF @ 10V 전력-최대: 2.1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 18-WFBGA 공급자 장치 패키지: 18-BGA (2.5x4)	재고 있음4,608
FDZ2553NZ ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 9.6A BGA 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.6A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1240pF @ 10V 전력-최대: 2.1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 18-WFBGA 공급자 장치 패키지: 18-BGA (2.5x4)	재고 있음5,256
FDZ2554P ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 6.5A BGA 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1900pF @ 10V 전력-최대: 2.1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 18-WFBGA 공급자 장치 패키지: 18-BGA (2.5x4)	재고 있음974
FDZ2554PZ ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 6.5A BGA 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1430pF @ 10V 전력-최대: 2.1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 18-WFBGA 공급자 장치 패키지: 18-BGA (2.5x4)	재고 있음2,646
FF11MR12W1M1B11BOMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2 N-CH 1200V 100A MODULE 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolSiC™+ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Silicon Carbide (SiC) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 100A, 15V Vgs (th) (최대) @ Id: 5.55V @ 40mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 250nC @ 15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7950pF @ 800V 전력-최대: - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음8,316
FF23MR12W1M1B11BOMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2 N-CH 1200V 50A MODULE 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolSiC™+ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Silicon Carbide (SiC) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 50A, 15V Vgs (th) (최대) @ Id: 5.55V @ 20mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 125nC @ 15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3950pF @ 800V 전력-최대: 20mW 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음4,356
FF45MR12W1M1B11BOMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET MODULE 1200V 50A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolSiC™+ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Silicon Carbide (SiC) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Tj) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 15V (Typ) Vgs (th) (최대) @ Id: 5.55V @ 10mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 62nC @ 15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1840pF @ 800V 전력-최대: 20mW (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: AG-EASY1BM-2	재고 있음7,632
FF6MR12W2M1B11BOMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET MODULE 1200V 200A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolSiC™+ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Silicon Carbide (SiC) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200A (Tj) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.63mOhm @ 200A, 15V Vgs (th) (최대) @ Id: 5.55V @ 10mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 496nC @ 15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14700pF @ 800V 전력-최대: 20mW (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: AG-EASY2BM-2	재고 있음8,226
FF8MR12W2M1B11BOMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET MODULE 1200V 150A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolSiC™+ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Silicon Carbide (SiC) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150A (Tj) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 150A, 15V (Typ) Vgs (th) (최대) @ Id: 5.55V @ 60mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 372nC @ 15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11000pF @ 800V 전력-최대: 20mW (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: AG-EASY2BM-2	재고 있음7,560
FG6943010R Panasonic Electronic Components	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 30V 0.1A SSMINI6 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SSMini6-F3-B	재고 있음1,417,080
FMK75-01F IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 100V 75A I4-PAC-5 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 180nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: i4-Pac™-5 공급자 장치 패키지: ISOPLUS i4-PAC™	재고 있음3,366
FMM110-015X2F IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 150V 53A I4-PAC 제조업체: IXYS 시리즈: GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 53A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 55A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 150nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8600pF @ 25V 전력-최대: 180W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: i4-Pac™-5 공급자 장치 패키지: ISOPLUS i4-PAC™	재고 있음4,428
FMM150-0075P IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 75V 150A I4-PAC-5 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 120A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 225nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: i4-Pac™-5 공급자 장치 패키지: ISOPLUS i4-PAC™	재고 있음4,050
FMM150-0075X2F IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 75V 120A I4-PAC-5 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™, TrenchT2™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 178nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10500pF @ 25V 전력-최대: 170W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: ISOPLUSi5-Pak™ 공급자 장치 패키지: ISOPLUS i4-PAC™	재고 있음2,304
FMM22-05PF IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 500V 13A I4-PAC 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™, PolarHT™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2630pF @ 25V 전력-최대: 132W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: i4-Pac™-5 공급자 장치 패키지: ISOPLUS i4-PAC™	재고 있음7,200
FMM22-06PF IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 600V 12A I4-PAC 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™, PolarHT™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 58nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3600pF @ 25V 전력-최대: 130W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: i4-Pac™-5 공급자 장치 패키지: ISOPLUS i4-PAC™	재고 있음6,786
FMM300-0055P IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 55V 300A I4-PAC-5 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 150A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 2mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 172nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: i4-Pac™-5 공급자 장치 패키지: ISOPLUS i4-PAC™	재고 있음5,022

FDW9926NZ

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 4.5A 8-TSSOP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 600pF @ 10V
전력-최대: 1.1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-TSSOP

재고 있음6,966

FDWS9420-F085

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 40V 20A 8-PQFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 43nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2100pF @ 20V
전력-최대: 75W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6)

재고 있음4,788

FDWS9520L-F085

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

PT8P 40V LL DUAL PQFN56

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60.8A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2370pF @ 20V
전력-최대: 75W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6)

재고 있음3,780

FDY1002PZ

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 0.83A SC89-6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 830mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 830mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.1nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 135pF @ 10V
전력-최대: 446mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-563F

재고 있음524,364

FDY2000PZ

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 0.35A SOT-563F

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 350mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 100pF @ 10V
전력-최대: 446mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-563F

재고 있음23,484

FDY2001PZ

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 0.15A SOT-563F

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 100pF @ 10V
전력-최대: 446mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-563F

재고 있음7,794

FDY3000NZ

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 0.6A SC89

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 600mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 60pF @ 10V
전력-최대: 446mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-563F

재고 있음808,290

FDY3001NZ

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 0.2A SOT-563F

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 60pF @ 10V
전력-최대: 446mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-563F

재고 있음5,472

FDY4000CZ

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V SC89-6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 600mA, 350mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 60pF @ 10V
전력-최대: 446mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-563F

재고 있음746,448

FDY4001CZ

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V SC89-6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA, 150mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 60pF @ 10V
전력-최대: 446mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-563F

재고 있음7,020

FDZ1323NZ

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 10A 6WLCSP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2055pF @ 10V
전력-최대: 500mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-XFBGA, WLCSP
공급자 장치 패키지: 6-WLCSP (1.3x2.3)

재고 있음2,664

FDZ1416NZ

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 4-WLCSP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 500mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-XFBGA, WLCSP
공급자 장치 패키지: 4-WLCSP (1.6x1.4)

재고 있음50,106

FDZ1905PZ

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 6-WLCSP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 900mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-UFBGA, WLCSP
공급자 장치 패키지: 6-WLCSP (1.0x1.5)

재고 있음7,466

FDZ2553N

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 9.6A BGA

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.6A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1299pF @ 10V
전력-최대: 2.1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 18-WFBGA
공급자 장치 패키지: 18-BGA (2.5x4)

재고 있음4,608

FDZ2553NZ

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 9.6A BGA

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.6A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1240pF @ 10V
전력-최대: 2.1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 18-WFBGA
공급자 장치 패키지: 18-BGA (2.5x4)

재고 있음5,256

FDZ2554P

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 6.5A BGA

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1900pF @ 10V
전력-최대: 2.1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 18-WFBGA
공급자 장치 패키지: 18-BGA (2.5x4)

재고 있음974

FDZ2554PZ

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 6.5A BGA

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1430pF @ 10V
전력-최대: 2.1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 18-WFBGA
공급자 장치 패키지: 18-BGA (2.5x4)

재고 있음2,646

FF11MR12W1M1B11BOMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 1200V 100A MODULE

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolSiC™+
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Silicon Carbide (SiC)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV)
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 100A, 15V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5.55V @ 40mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 250nC @ 15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7950pF @ 800V
전력-최대: -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음8,316

FF23MR12W1M1B11BOMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 1200V 50A MODULE

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolSiC™+
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Silicon Carbide (SiC)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV)
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 50A, 15V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5.55V @ 20mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 125nC @ 15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3950pF @ 800V
전력-최대: 20mW
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음4,356

FF45MR12W1M1B11BOMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET MODULE 1200V 50A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolSiC™+
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Silicon Carbide (SiC)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Tj)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 15V (Typ)
Vgs (th) (최대) @ Id: 5.55V @ 10mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 62nC @ 15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1840pF @ 800V
전력-최대: 20mW (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: AG-EASY1BM-2

재고 있음7,632

FF6MR12W2M1B11BOMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET MODULE 1200V 200A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolSiC™+
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Silicon Carbide (SiC)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200A (Tj)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.63mOhm @ 200A, 15V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5.55V @ 10mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 496nC @ 15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14700pF @ 800V
전력-최대: 20mW (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: AG-EASY2BM-2

재고 있음8,226

FF8MR12W2M1B11BOMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET MODULE 1200V 150A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolSiC™+
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Silicon Carbide (SiC)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150A (Tj)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 150A, 15V (Typ)
Vgs (th) (최대) @ Id: 5.55V @ 60mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 372nC @ 15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11000pF @ 800V
전력-최대: 20mW (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: AG-EASY2BM-2

재고 있음7,560

FG6943010R

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 0.1A SSMINI6

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SSMini6-F3-B

재고 있음1,417,080

FMK75-01F

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 100V 75A I4-PAC-5

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 4mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 180nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: i4-Pac™-5
공급자 장치 패키지: ISOPLUS i4-PAC™

재고 있음3,366

FMM110-015X2F

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 150V 53A I4-PAC

제조업체: IXYS
시리즈: GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 53A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 150nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8600pF @ 25V
전력-최대: 180W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: i4-Pac™-5
공급자 장치 패키지: ISOPLUS i4-PAC™

재고 있음4,428

FMM150-0075P

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 75V 150A I4-PAC-5

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 120A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 225nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: i4-Pac™-5
공급자 장치 패키지: ISOPLUS i4-PAC™

재고 있음4,050

FMM150-0075X2F

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 75V 120A I4-PAC-5

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™, TrenchT2™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 178nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10500pF @ 25V
전력-최대: 170W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: ISOPLUSi5-Pak™
공급자 장치 패키지: ISOPLUS i4-PAC™

재고 있음2,304

FMM22-05PF

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 500V 13A I4-PAC

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™, PolarHT™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2630pF @ 25V
전력-최대: 132W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: i4-Pac™-5
공급자 장치 패키지: ISOPLUS i4-PAC™

재고 있음7,200

FMM22-06PF

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 600V 12A I4-PAC

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™, PolarHT™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 58nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3600pF @ 25V
전력-최대: 130W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: i4-Pac™-5
공급자 장치 패키지: ISOPLUS i4-PAC™

재고 있음6,786

FMM300-0055P

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 55V 300A I4-PAC-5

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 150A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 2mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 172nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: i4-Pac™-5
공급자 장치 패키지: ISOPLUS i4-PAC™

재고 있음5,022

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