트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
FW812-TL-E ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 35V 10A 8SOP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 35V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 960pF @ 20V 전력-최대: 2.5W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음2,016
FW813-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SOP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 725pF @ 20V 전력-최대: 2.5W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음6,876
FW906-TL-E ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 30V 8A/6A 8SOP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A, 6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 690pF @ 10V 전력-최대: 2.5W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음3,580
FW907-TL-E ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 30V 10A/8A 8SOP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A, 8A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1000pF @ 10V 전력-최대: 2.5W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음6,408
GA100SCPL12-227E GeneSiC Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 SIC PHASE LEG BRIDGE 100A 1.2KV 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,598
GMM3X100-01X1-SMD IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 6N-CH 100V 90A 24-SMD 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 90nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 24-SMD	재고 있음8,982
GMM3X100-01X1-SMDSAM IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 6N-CH 100V 90A 24-SMD 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 90nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 24-SMD	재고 있음7,686
GMM3X120-0075X2-SMDSAM IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 6N-CH 75V 110A 24-SMD 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 110A Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 115nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 24-SMD	재고 있음5,166
GMM3X160-0055X2-SMD IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 6N-CH 55V 150A 24-SMD 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150A Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 110nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 24-SMD	재고 있음3,906
GMM3X160-0055X2-SMDSAM IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 6N-CH 55V 150A 24-SMD 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150A Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 110nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 24-SMD	재고 있음7,812
GMM3X180-004X2-SMD IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 6N-CH 40V 180A 24-SMD 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180A Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 110nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 24-SMD	재고 있음4,914
GMM3X180-004X2-SMDSAM IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 6N-CH 40V 180A 24-SMD 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180A Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 110nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 24-SMD	재고 있음5,400
GMM3X60-015X2-SMD IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 6N-CH 150V 50A 24-SMD 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 38A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 97nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5800pF @ 25V 전력-최대: - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: ISOPLUS-DIL™ 공급자 장치 패키지: ISOPLUS-DIL™	재고 있음3,204
GMM3X60-015X2-SMDSAM IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 6N-CH 150V 50A 24-SMD 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 38A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 97nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5800pF @ 25V 전력-최대: - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: ISOPLUS-DIL™ 공급자 장치 패키지: ISOPLUS-DIL™	재고 있음5,904
GWM100-0085X1-SMD IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 6N-CH 85V 103A ISOPLUS 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 85V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 103A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 114nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 17-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: ISOPLUS-DIL™	재고 있음5,688
GWM100-0085X1-SMD SAM IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 6N-CH 85V 103A ISOPLUS 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 85V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 103A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 114nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 17-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: ISOPLUS-DIL™	재고 있음4,914
GWM100-01X1-SL IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 6N-CH 100V 90A ISOPLUS 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 90nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 17-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: ISOPLUS-DIL™	재고 있음6,174
GWM100-01X1-SLSAM IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 6N-CH 100V 90A ISOPLUS 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 90nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 17-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: ISOPLUS-DIL™	재고 있음8,082
GWM100-01X1-SMD IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 6N-CH 100V 90A ISOPLUS 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 90nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 17-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: ISOPLUS-DIL™	재고 있음6,624
GWM100-01X1-SMDSAM IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 6N-CH 100V 90A ISOPLUS 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 90nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 17-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: ISOPLUS-DIL™	재고 있음3,636
GWM120-0075P3 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 6N-CH 75V 118A ISOPLUS 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 118A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 100nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: ISOPLUS-DIL™ 공급자 장치 패키지: ISOPLUS-DIL™	재고 있음2,844
GWM120-0075P3-SL IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 6N-CH 75V 118A ISOPLUS 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 118A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 100nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 17-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: ISOPLUS-DIL™	재고 있음4,554
GWM120-0075P3-SMD IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 6N-CH 75V 118A ISOPLUS 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 118A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 100nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 17-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: ISOPLUS-DIL™	재고 있음6,894
GWM120-0075P3-SMD SAM IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 6N-CH 75V 118A ISOPLUS 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 118A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 100nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 17-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: ISOPLUS-DIL™	재고 있음7,002
GWM120-0075X1-SL IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 6N-CH 75V 110A ISOPLUS 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 110A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 115nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 17-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: ISOPLUS-DIL™	재고 있음8,082
GWM120-0075X1-SLSAM IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 6N-CH 75V 110A ISOPLUS 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 110A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 115nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 17-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: ISOPLUS-DIL™	재고 있음3,454
GWM120-0075X1-SMD IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 6N-CH 75V 110A ISOPLUS 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 110A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 115nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 17-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: ISOPLUS-DIL™	재고 있음6,714
GWM120-0075X1-SMDSAM IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 6N-CH 75V 110A ISOPLUS 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 110A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 115nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 17-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: ISOPLUS-DIL™	재고 있음3,600
GWM160-0055P3 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 6N-CH 55V 160A ISODIL 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 160A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 90nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: ISOPLUS-DIL™ 공급자 장치 패키지: ISOPLUS-DIL™	재고 있음2,100
GWM160-0055X1-SL IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 6N-CH 55V 150A ISOPLUS 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 105nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 17-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: ISOPLUS-DIL™	재고 있음5,490

FW812-TL-E

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 35V 10A 8SOP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 35V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 960pF @ 20V
전력-최대: 2.5W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음2,016

FW813-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SOP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 725pF @ 20V
전력-최대: 2.5W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음6,876

FW906-TL-E

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 8A/6A 8SOP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A, 6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 690pF @ 10V
전력-최대: 2.5W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음3,580

FW907-TL-E

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 10A/8A 8SOP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A, 8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1000pF @ 10V
전력-최대: 2.5W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음6,408

GA100SCPL12-227E

GeneSiC Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

SIC PHASE LEG BRIDGE 100A 1.2KV

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,598

GMM3X100-01X1-SMD

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 6N-CH 100V 90A 24-SMD

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 90nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 24-SMD

재고 있음8,982

GMM3X100-01X1-SMDSAM

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 6N-CH 100V 90A 24-SMD

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 90nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 24-SMD

재고 있음7,686

GMM3X120-0075X2-SMDSAM

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 6N-CH 75V 110A 24-SMD

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 110A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 115nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 24-SMD

재고 있음5,166

GMM3X160-0055X2-SMD

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 6N-CH 55V 150A 24-SMD

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 110nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 24-SMD

재고 있음3,906

GMM3X160-0055X2-SMDSAM

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 6N-CH 55V 150A 24-SMD

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 110nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 24-SMD

재고 있음7,812

GMM3X180-004X2-SMD

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 6N-CH 40V 180A 24-SMD

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 110nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 24-SMD

재고 있음4,914

GMM3X180-004X2-SMDSAM

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 6N-CH 40V 180A 24-SMD

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 110nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 24-SMD

재고 있음5,400

GMM3X60-015X2-SMD

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 6N-CH 150V 50A 24-SMD

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 38A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 97nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5800pF @ 25V
전력-최대: -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: ISOPLUS-DIL™
공급자 장치 패키지: ISOPLUS-DIL™

재고 있음3,204

GMM3X60-015X2-SMDSAM

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 6N-CH 150V 50A 24-SMD

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 38A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 97nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5800pF @ 25V
전력-최대: -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: ISOPLUS-DIL™
공급자 장치 패키지: ISOPLUS-DIL™

재고 있음5,904

GWM100-0085X1-SMD

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 6N-CH 85V 103A ISOPLUS

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 85V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 103A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 114nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 17-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: ISOPLUS-DIL™

재고 있음5,688

GWM100-0085X1-SMD SAM

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 6N-CH 85V 103A ISOPLUS

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 85V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 103A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 114nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 17-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: ISOPLUS-DIL™

재고 있음4,914

GWM100-01X1-SL

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 6N-CH 100V 90A ISOPLUS

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 90nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 17-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: ISOPLUS-DIL™

재고 있음6,174

GWM100-01X1-SLSAM

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 6N-CH 100V 90A ISOPLUS

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 90nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 17-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: ISOPLUS-DIL™

재고 있음8,082

GWM100-01X1-SMD

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 6N-CH 100V 90A ISOPLUS

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 90nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 17-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: ISOPLUS-DIL™

재고 있음6,624

GWM100-01X1-SMDSAM

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 6N-CH 100V 90A ISOPLUS

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 90nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 17-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: ISOPLUS-DIL™

재고 있음3,636

GWM120-0075P3

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 6N-CH 75V 118A ISOPLUS

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 118A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 100nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: ISOPLUS-DIL™
공급자 장치 패키지: ISOPLUS-DIL™

재고 있음2,844

GWM120-0075P3-SL

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 6N-CH 75V 118A ISOPLUS

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 118A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 100nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 17-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: ISOPLUS-DIL™

재고 있음4,554

GWM120-0075P3-SMD

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 6N-CH 75V 118A ISOPLUS

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 118A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 100nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 17-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: ISOPLUS-DIL™

재고 있음6,894

GWM120-0075P3-SMD SAM

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 6N-CH 75V 118A ISOPLUS

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 118A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 100nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 17-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: ISOPLUS-DIL™

재고 있음7,002

GWM120-0075X1-SL

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 6N-CH 75V 110A ISOPLUS

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 110A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 115nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 17-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: ISOPLUS-DIL™

재고 있음8,082

GWM120-0075X1-SLSAM

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 6N-CH 75V 110A ISOPLUS

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 110A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 115nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 17-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: ISOPLUS-DIL™

재고 있음3,454

GWM120-0075X1-SMD

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 6N-CH 75V 110A ISOPLUS

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 110A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 115nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 17-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: ISOPLUS-DIL™

재고 있음6,714

GWM120-0075X1-SMDSAM

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 6N-CH 75V 110A ISOPLUS

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 110A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 115nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 17-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: ISOPLUS-DIL™

재고 있음3,600

GWM160-0055P3

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 6N-CH 55V 160A ISODIL

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 160A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 90nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: ISOPLUS-DIL™
공급자 장치 패키지: ISOPLUS-DIL™

재고 있음2,100

GWM160-0055X1-SL

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 6N-CH 55V 150A ISOPLUS

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 105nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 17-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: ISOPLUS-DIL™

재고 있음5,490

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