트랜지스터

IPG20N06S3L-35

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 11A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 15µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1730pF @ 25V
• 전력-최대: 30W
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
• 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-4

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IPG20N06S415AATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 8TDSON

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 20µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2260pF @ 25V
• 전력-최대: 50W
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount, Wettable Flank
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
• 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-10

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IPG20N06S415ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 8TDSON

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 20µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2260pF @ 25V
• 전력-최대: 50W
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
• 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-4

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IPG20N06S415ATMA2

Infineon Technologies

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MOSFET 2N-CH 8TDSON

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 20µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2260pF @ 25V
• 전력-최대: 50W
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
• 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-4

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IPG20N06S4L11AATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 8TDSON

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 17A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 28µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 53nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4020pF @ 25V
• 전력-최대: 65W
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount, Wettable Flank
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
• 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-10

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IPG20N06S4L11ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 8TDSON

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 17A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 28µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 53nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4020pF @ 25V
• 전력-최대: 65W
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
• 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-4

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IPG20N06S4L14AATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 8TDSON

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13.7mOhm @ 17A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 20µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 39nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2890pF @ 25V
• 전력-최대: 50W
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount, Wettable Flank
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
• 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-10

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IPG20N06S4L14ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 8TDSON

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13.7mOhm @ 17A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 20µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 39nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2890pF @ 25V
• 전력-최대: 50W
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
• 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-4

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IPG20N06S4L14ATMA2

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 8TDSON

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13.7mOhm @ 17A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 20µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 39nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2890pF @ 25V
• 전력-최대: 50W
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
• 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-4

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IPG20N06S4L26AATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 8TDSON

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 17A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 10µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1430pF @ 25V
• 전력-최대: 33W
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount, Wettable Flank
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
• 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-10

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IPG20N06S4L26ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 20A TDSON-8

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 17A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 10µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1430pF @ 25V
• 전력-최대: 33W
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
• 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-4

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IPG20N10S436AATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 8TDSON

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 17A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 16µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 990pF @ 25V
• 전력-최대: 43W
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount, Wettable Flank
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
• 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-10

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IPG20N10S4L22AATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 100V 20A TDSON-8

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 17A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 25µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1755pF @ 25V
• 전력-최대: 60W
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount, Wettable Flank
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
• 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-10

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IPG20N10S4L22ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 8TDSON

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 17A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 25µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1755pF @ 25V
• 전력-최대: 60W
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
• 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-4

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IPG20N10S4L35AATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 8TDSON

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 17A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 16µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17.4nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1105pF @ 25V
• 전력-최대: 43W
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount, Wettable Flank
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
• 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-10

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IPG20N10S4L35ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 8TDSON

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 17A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 16µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17.4nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1105pF @ 25V
• 전력-최대: 43W
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
• 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-4

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IRF3546MTRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 25V 16A/20A 41PQFN

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• FET 유형: 4 N-Channel
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Tc), 20A (Tc)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 27A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 35µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1310pF @ 13V
• 전력-최대: -
• 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 41-PowerVFQFN
• 공급자 장치 패키지: 41-PQFN (6x8)

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IRF3575DTRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 25V 303A PQFN

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 303A (Tc)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• 전력-최대: -
• 작동 온도: -
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 32-PowerWFQFN
• 공급자 장치 패키지: 32-PQFN (6x6)

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IRF40H233XTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

TRENCH <= 40V

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• 전력-최대: -
• 작동 온도: -
• 장착 유형: -
• 패키지 / 케이스: -
• 공급자 장치 패키지: -

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IRF5810

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6TSOP

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.9A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.6nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 650pF @ 16V
• 전력-최대: 960mW
• 작동 온도: -
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
• 공급자 장치 패키지: 6-TSOP

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IRF5810TR

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.9A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.6nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 650pF @ 16V
• 전력-최대: 960mW
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
• 공급자 장치 패키지: 6-TSOP

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IRF5810TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.9A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.6nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 650pF @ 16V
• 전력-최대: 960mW
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
• 공급자 장치 패키지: 6-TSOP

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IRF5850

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6TSOP

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.2A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2.2A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.4nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 320pF @ 15V
• 전력-최대: 960mW
• 작동 온도: -
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
• 공급자 장치 패키지: 6-TSOP

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IRF5850TR

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6-TSOP

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.2A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2.2A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.4nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 320pF @ 15V
• 전력-최대: 960mW
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
• 공급자 장치 패키지: 6-TSOP

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IRF5850TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6-TSOP

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.2A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2.2A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.4nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 320pF @ 15V
• 전력-최대: 960mW
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
• 공급자 장치 패키지: 6-TSOP

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IRF5851

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/PCH 20V 2.7A/2.2A 6TSOP

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: N and P-Channel
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.7A, 2.2A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.7A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.25V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 15V
• 전력-최대: 960mW
• 작동 온도: -
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
• 공급자 장치 패키지: 6-TSOP

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IRF5851TR

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: N and P-Channel
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.7A, 2.2A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.7A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.25V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 15V
• 전력-최대: 960mW
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
• 공급자 장치 패키지: 6-TSOP

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IRF5851TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V 2.7A 6-TSOP

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: N and P-Channel
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.7A, 2.2A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.7A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.25V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 15V
• 전력-최대: 960mW
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
• 공급자 장치 패키지: 6-TSOP

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IRF5852

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.7A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.7A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.25V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 15V
• 전력-최대: 960mW
• 작동 온도: -
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
• 공급자 장치 패키지: 6-TSOP

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

IRF5852TR

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.7A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.7A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.25V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 15V
• 전력-최대: 960mW
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
• 공급자 장치 패키지: 6-TSOP

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