트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
HS8K11TB Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A, 11A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17.9mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.1nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 500pF @ 15V 전력-최대: 2W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: HSML3030L10	재고 있음3,438
HS8K1TB Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 30V NCH+NCH POWER MOSFET 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta), 11A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 10A, 10V, 11.8mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC, 7.4nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 348pF, 429pF @ 15V 전력-최대: 2W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: HSML3030L10	재고 있음27,732
HTMN5130SSD-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 55V 2.6A 8SOIC 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.9nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 218.7pF @ 25V 전력-최대: 1.7W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음5,598
HUF76407DK8T ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V SOP-8 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: UltraFET™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.2nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 330pF @ 25V 전력-최대: 2.5W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음3,132
HUFA76404DK8T ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 62V 3.6A 8-SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 62V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.9nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 250pF @ 25V 전력-최대: 2.5W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음4,320
HUFA76407DK8T ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 8-SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: UltraFET™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.2nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 330pF @ 25V 전력-최대: 2.5W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음27,329
HUFA76407DK8T-F085 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 8-SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101, UltraFET™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.2nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 330pF @ 25V 전력-최대: 2.5W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음5,148
HUFA76413DK8T ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8-SO 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: UltraFET™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.1A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 5.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 620pF @ 25V 전력-최대: 2.5W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음3,418
HUFA76413DK8T-F085 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8-SO 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101, UltraFET™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.1A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 5.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 620pF @ 25V 전력-최대: 2.5W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음18,648
HUFA76504DK8T ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 80V 8-SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: UltraFET™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 270pF @ 25V 전력-최대: 2.5W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음8,190
IPG15N06S3L-45 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 55V 15A TDSON-8 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 10µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1420pF @ 25V 전력-최대: 21W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-4	재고 있음7,002
IPG16N10S461AATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 8TDSON 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 9µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 490pF @ 25V 전력-최대: 29W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount, Wettable Flank 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-10	재고 있음7,560
IPG16N10S461ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 8TDSON 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 9µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 490pF @ 25V 전력-최대: 29W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-4	재고 있음7,128
IPG16N10S4L61AATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 8TDSON 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 90µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 845pF @ 25V 전력-최대: 29W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount, Wettable Flank 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-10	재고 있음2,790
IPG20N04S408AATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 8TDSON 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 30µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2940pF @ 25V 전력-최대: 65W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount, Wettable Flank 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-10	재고 있음4,986
IPG20N04S408ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 40V 20A TDSON-8 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 30µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2940pF @ 25V 전력-최대: 65W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-4	재고 있음5,256
IPG20N04S412AATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 8TDSON 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 15µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1470pF @ 25V 전력-최대: 41W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount, Wettable Flank 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-10	재고 있음2,952
IPG20N04S412ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 8TDSON 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 15µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1470pF @ 25V 전력-최대: 41W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-4	재고 있음6,498
IPG20N04S4L07AATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 8TDSON 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 30µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3980pF @ 25V 전력-최대: 65W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount, Wettable Flank 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-10	재고 있음3,852
IPG20N04S4L07ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 8TDSON 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 30µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3980pF @ 25V 전력-최대: 65W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-4	재고 있음8,082
IPG20N04S4L08AATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 8TDSON 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 22µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 39nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3050pF @ 25V 전력-최대: 54W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount, Wettable Flank 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-10	재고 있음5,526
IPG20N04S4L08ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 8TDSON 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 22µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 39nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3050pF @ 25V 전력-최대: 54W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-4	재고 있음182,286
IPG20N04S4L11AATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 8TDSON 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 15µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1990pF @ 25V 전력-최대: 41W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount, Wettable Flank 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-10	재고 있음8,208
IPG20N04S4L11ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 8TDSON 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 15µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1990pF @ 25V 전력-최대: 41W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-4	재고 있음120,084
IPG20N06S2L35AATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 8TDSON 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 27µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 790pF @ 25V 전력-최대: 65W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount, Wettable Flank 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-10	재고 있음77,562
IPG20N06S2L35ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 27µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 790pF @ 25V 전력-최대: 65W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-4	재고 있음37,296
IPG20N06S2L50AATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 8TDSON 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 19µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 560pF @ 25V 전력-최대: 51W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount, Wettable Flank 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-10	재고 있음4,122
IPG20N06S2L50ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 19µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 560pF @ 25V 전력-최대: 51W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-4	재고 있음3,690
IPG20N06S2L65AATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 8TDSON 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 14µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 410pF @ 25V 전력-최대: 43W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount, Wettable Flank 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-10	재고 있음37,596
IPG20N06S3L-23 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 20µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2950pF @ 25V 전력-최대: 45W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-4	재고 있음6,642

HS8K11TB

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A, 11A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17.9mOhm @ 7A, 10V
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입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 500pF @ 15V
전력-최대: 2W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: HSML3030L10

재고 있음3,438

HS8K1TB

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

30V NCH+NCH POWER MOSFET

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta), 11A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 10A, 10V, 11.8mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
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입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 348pF, 429pF @ 15V
전력-최대: 2W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: HSML3030L10

재고 있음27,732

HTMN5130SSD-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 55V 2.6A 8SOIC

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.9nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 218.7pF @ 25V
전력-최대: 1.7W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음5,598

HUF76407DK8T

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V SOP-8

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: UltraFET™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.2nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 330pF @ 25V
전력-최대: 2.5W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음3,132

HUFA76404DK8T

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 62V 3.6A 8-SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 62V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.9nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 250pF @ 25V
전력-최대: 2.5W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음4,320

HUFA76407DK8T

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 8-SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: UltraFET™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.2nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 330pF @ 25V
전력-최대: 2.5W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음27,329

HUFA76407DK8T-F085

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 8-SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101, UltraFET™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.2nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 330pF @ 25V
전력-최대: 2.5W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음5,148

HUFA76413DK8T

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8-SO

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: UltraFET™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.1A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 620pF @ 25V
전력-최대: 2.5W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음3,418

HUFA76413DK8T-F085

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8-SO

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101, UltraFET™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.1A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 620pF @ 25V
전력-최대: 2.5W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음18,648

HUFA76504DK8T

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 80V 8-SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: UltraFET™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 270pF @ 25V
전력-최대: 2.5W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음8,190

IPG15N06S3L-45

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 55V 15A TDSON-8

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 10µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1420pF @ 25V
전력-최대: 21W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-4

재고 있음7,002

IPG16N10S461AATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 8TDSON

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 9µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 490pF @ 25V
전력-최대: 29W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount, Wettable Flank
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-10

재고 있음7,560

IPG16N10S461ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 8TDSON

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 9µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 490pF @ 25V
전력-최대: 29W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-4

재고 있음7,128

IPG16N10S4L61AATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 8TDSON

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 90µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 845pF @ 25V
전력-최대: 29W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount, Wettable Flank
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-10

재고 있음2,790

IPG20N04S408AATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 8TDSON

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 30µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2940pF @ 25V
전력-최대: 65W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount, Wettable Flank
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-10

재고 있음4,986

IPG20N04S408ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 40V 20A TDSON-8

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 30µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2940pF @ 25V
전력-최대: 65W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-4

재고 있음5,256

IPG20N04S412AATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 8TDSON

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 15µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1470pF @ 25V
전력-최대: 41W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount, Wettable Flank
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-10

재고 있음2,952

IPG20N04S412ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 8TDSON

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 15µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1470pF @ 25V
전력-최대: 41W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-4

재고 있음6,498

IPG20N04S4L07AATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 8TDSON

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 30µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3980pF @ 25V
전력-최대: 65W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount, Wettable Flank
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-10

재고 있음3,852

IPG20N04S4L07ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 8TDSON

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 30µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3980pF @ 25V
전력-최대: 65W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-4

재고 있음8,082

IPG20N04S4L08AATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 8TDSON

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 22µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 39nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3050pF @ 25V
전력-최대: 54W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount, Wettable Flank
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-10

재고 있음5,526

IPG20N04S4L08ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 8TDSON

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 22µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 39nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3050pF @ 25V
전력-최대: 54W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-4

재고 있음182,286

IPG20N04S4L11AATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 8TDSON

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 15µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1990pF @ 25V
전력-최대: 41W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount, Wettable Flank
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-10

재고 있음8,208

IPG20N04S4L11ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 8TDSON

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 15µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1990pF @ 25V
전력-최대: 41W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-4

재고 있음120,084

IPG20N06S2L35AATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 8TDSON

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 27µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 790pF @ 25V
전력-최대: 65W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount, Wettable Flank
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-10

재고 있음77,562

IPG20N06S2L35ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 27µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 790pF @ 25V
전력-최대: 65W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-4

재고 있음37,296

IPG20N06S2L50AATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 8TDSON

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 19µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 560pF @ 25V
전력-최대: 51W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount, Wettable Flank
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-10

재고 있음4,122

IPG20N06S2L50ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 19µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 560pF @ 25V
전력-최대: 51W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-4

재고 있음3,690

IPG20N06S2L65AATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 8TDSON

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 14µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 410pF @ 25V
전력-최대: 43W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount, Wettable Flank
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-10

재고 있음37,596

IPG20N06S3L-23

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 20µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2950pF @ 25V
전력-최대: 45W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-4

재고 있음6,642

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