트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
FMM50-025TF IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 250V 30A I4-PAC 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 78nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4000pF @ 25V 전력-최대: 125W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: i4-Pac™-5 공급자 장치 패키지: ISOPLUS i4-PAC™	재고 있음8,406
FMM60-02TF IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 200V 33A I4-PAC 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 33A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 90nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3700pF @ 25V 전력-최대: 125W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: i4-Pac™-5 공급자 장치 패키지: ISOPLUS i4-PAC™	재고 있음7,236
FMM65-015P IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 150V 65A I4-PAC-5 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 65A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 230nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: i4-Pac™-5 공급자 장치 패키지: ISOPLUS i4-PAC™	재고 있음3,436
FMM75-01F IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 100V 75A I4-PAC-5 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 180nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: i4-Pac™-5 공급자 장치 패키지: ISOPLUS i4-PAC™	재고 있음6,696
FMP26-02P IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 200V 26A/17A I4PAC 제조업체: IXYS 시리즈: Polar™ FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 26A, 17A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 70nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2720pF @ 25V 전력-최대: 125W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: i4-Pac™-5 공급자 장치 패키지: ISOPLUS i4-PAC™	재고 있음6,354
FMP36-015P IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 150V 36A/22A I4PAC 제조업체: IXYS 시리즈: Polar™ FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 36A, 22A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 31A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 70nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2250pF @ 25V 전력-최대: 125W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: i4-Pac™-5 공급자 장치 패키지: ISOPLUS i4-PAC™	재고 있음6,912
FMP76-010T IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 100V 62A/54A I4PAC 제조업체: IXYS 시리즈: Trench™ FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 62A, 54A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 104nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5080pF @ 25V 전력-최대: 89W, 132W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: i4-Pac™-5 공급자 장치 패키지: ISOPLUS i4-PAC™	재고 있음5,040
FMP76-01T IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel, Common Drain FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 54A (Tc), 62A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 38A, 10V, 11mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA, 4.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 197nC @ 10V, 104nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1370pF @ 25V, 5080pF @ 25V 전력-최대: 89W, 132W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: ISOPLUSi5-Pak™ 공급자 장치 패키지: ISOPLUS i4-PAC™	재고 있음4,086
FPF1C2P5BF07A ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 5N-CH 650V 36A F1 MODULE 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 5 N-Channel (Solar Inverter) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 36A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 27A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 250W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: F1 Module 공급자 장치 패키지: F1	재고 있음2,250
FQS4900TF ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 60V/300V 8SOP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: QFET® FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 300V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.3A, 300mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 650mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.95V @ 20mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.1nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음7,146
FQS4901TF ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 400V 0.45A 8SOP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: QFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 400V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 450mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 225mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.5nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 210pF @ 25V 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음93,228
FQS4903TF ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 500V 0.37A 8SOP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: QFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 370mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.2Ohm @ 185mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.2nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 25V 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음26,838
FS45MR12W1M1B11BOMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET MODULE 1200V 50A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolSiC™+ FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능: Silicon Carbide (SiC) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Tj) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 15V (Typ) Vgs (th) (최대) @ Id: 5.55V @ 10mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 62nC @ 15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1840pF @ 800V 전력-최대: 20mW (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: AG-EASY1BM-2	재고 있음7,830
FTCO3V455A1 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 6N-CH 40V 150A MODULE 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: SPM® FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.66mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 115W 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 19-PowerDIP Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음60
FW216A-TL-2W ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 35V 4.5A 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate, 4V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss): 35V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.6nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 280pF @ 10V 전력-최대: 2.2W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음8,640
FW216A-TL-2WX ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 INTEGRATED CIRCUIT 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,366
FW217A-TL-2W ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 35V 6A 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate, 4.5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss): 35V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 470pF @ 20V 전력-최대: 2.2W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음78,990
FW217A-TL-2WX ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N-CH 35V 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: * FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,896
FW231A-TL-E SANYO Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOP 제조업체: SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1530pF @ 10V 전력-최대: 2.3W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음3,510
FW274-TL-E ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.1nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 490pF @ 10V 전력-최대: 2.2W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음6,570
FW276-TL-2H ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 450V 0.7A 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 450V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 700mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12.1Ohm @ 350mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.7nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 55pF @ 20V 전력-최대: 1.6W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음3,978
FW282-TL-E ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 35V 6A 8SOP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 35V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 470pF @ 20V 전력-최대: 2.2W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음7,866
FW297-TL-2W ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate, 4V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 750pF @ 20V 전력-최대: 1.8W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음3,636
FW344A-TL-2W ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate, 4V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A, 3.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.6nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 280pF @ 10V 전력-최대: 1.7W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음7,344
FW344A-TL-2WX ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 INTEGRATED CIRCUIT 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,398
FW389-TL-2W ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 100V 2A 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate, 4V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 490pF @ 10V 전력-최대: 1.8W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음24,960
FW389-TL-2WX ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N-CH 100V 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: * FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,568
FW4604-TL-2W ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate, 4.5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A, 4.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.1nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 490pF @ 10V 전력-최대: 1.8W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음4,878
FW707-TL-E ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 900pF @ 10V 전력-최대: 2.5W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음6,156
FW811-TL-E ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 35V 8A 8SOP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 35V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 660pF @ 20V 전력-최대: 2.2W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음4,968

FMM50-025TF

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 250V 30A I4-PAC

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 78nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4000pF @ 25V
전력-최대: 125W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: i4-Pac™-5
공급자 장치 패키지: ISOPLUS i4-PAC™

재고 있음8,406

FMM60-02TF

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 200V 33A I4-PAC

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 33A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 90nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3700pF @ 25V
전력-최대: 125W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: i4-Pac™-5
공급자 장치 패키지: ISOPLUS i4-PAC™

재고 있음7,236

FMM65-015P

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 150V 65A I4-PAC-5

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 65A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 230nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: i4-Pac™-5
공급자 장치 패키지: ISOPLUS i4-PAC™

재고 있음3,436

FMM75-01F

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 100V 75A I4-PAC-5

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 4mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 180nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: i4-Pac™-5
공급자 장치 패키지: ISOPLUS i4-PAC™

재고 있음6,696

FMP26-02P

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 200V 26A/17A I4PAC

제조업체: IXYS
시리즈: Polar™
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 26A, 17A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 70nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2720pF @ 25V
전력-최대: 125W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: i4-Pac™-5
공급자 장치 패키지: ISOPLUS i4-PAC™

재고 있음6,354

FMP36-015P

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 150V 36A/22A I4PAC

제조업체: IXYS
시리즈: Polar™
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 36A, 22A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 31A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 70nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2250pF @ 25V
전력-최대: 125W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: i4-Pac™-5
공급자 장치 패키지: ISOPLUS i4-PAC™

재고 있음6,912

FMP76-010T

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 100V 62A/54A I4PAC

제조업체: IXYS
시리즈: Trench™
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 62A, 54A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 104nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5080pF @ 25V
전력-최대: 89W, 132W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: i4-Pac™-5
공급자 장치 패키지: ISOPLUS i4-PAC™

재고 있음5,040

FMP76-01T

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel, Common Drain
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 54A (Tc), 62A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 38A, 10V, 11mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA, 4.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 197nC @ 10V, 104nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1370pF @ 25V, 5080pF @ 25V
전력-최대: 89W, 132W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: ISOPLUSi5-Pak™
공급자 장치 패키지: ISOPLUS i4-PAC™

재고 있음4,086

FPF1C2P5BF07A

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 5N-CH 650V 36A F1 MODULE

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 5 N-Channel (Solar Inverter)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 36A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 27A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 250W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: F1 Module
공급자 장치 패키지: F1

재고 있음2,250

FQS4900TF

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 60V/300V 8SOP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: QFET®
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 300V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.3A, 300mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 650mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.95V @ 20mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.1nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음7,146

FQS4901TF

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 400V 0.45A 8SOP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: QFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 400V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 450mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 225mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.5nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 210pF @ 25V
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음93,228

FQS4903TF

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 500V 0.37A 8SOP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: QFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 370mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.2Ohm @ 185mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.2nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 25V
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음26,838

FS45MR12W1M1B11BOMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET MODULE 1200V 50A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolSiC™+
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능: Silicon Carbide (SiC)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Tj)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 15V (Typ)
Vgs (th) (최대) @ Id: 5.55V @ 10mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 62nC @ 15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1840pF @ 800V
전력-최대: 20mW (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: AG-EASY1BM-2

재고 있음7,830

FTCO3V455A1

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 6N-CH 40V 150A MODULE

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: SPM®
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.66mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 115W
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 19-PowerDIP Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음60

FW216A-TL-2W

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 35V 4.5A 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate, 4V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss): 35V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.6nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 280pF @ 10V
전력-최대: 2.2W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음8,640

FW216A-TL-2WX

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

INTEGRATED CIRCUIT

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,366

FW217A-TL-2W

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 35V 6A 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate, 4.5V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss): 35V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 470pF @ 20V
전력-최대: 2.2W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음78,990

FW217A-TL-2WX

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N-CH 35V 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: *
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,896

FW231A-TL-E

SANYO Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOP

제조업체: SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1530pF @ 10V
전력-최대: 2.3W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음3,510

FW274-TL-E

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.1nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 490pF @ 10V
전력-최대: 2.2W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음6,570

FW276-TL-2H

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 450V 0.7A 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 450V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 700mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12.1Ohm @ 350mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.7nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 55pF @ 20V
전력-최대: 1.6W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음3,978

FW282-TL-E

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 35V 6A 8SOP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 35V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 470pF @ 20V
전력-최대: 2.2W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음7,866

FW297-TL-2W

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate, 4V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 750pF @ 20V
전력-최대: 1.8W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음3,636

FW344A-TL-2W

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate, 4V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A, 3.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.6nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 280pF @ 10V
전력-최대: 1.7W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음7,344

FW344A-TL-2WX

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

INTEGRATED CIRCUIT

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,398

FW389-TL-2W

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 100V 2A 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate, 4V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 490pF @ 10V
전력-최대: 1.8W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음24,960

FW389-TL-2WX

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N-CH 100V 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: *
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,568

FW4604-TL-2W

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate, 4.5V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A, 4.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.1nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 490pF @ 10V
전력-최대: 1.8W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음4,878

FW707-TL-E

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 900pF @ 10V
전력-최대: 2.5W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음6,156

FW811-TL-E

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 35V 8A 8SOP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 35V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 660pF @ 20V
전력-최대: 2.2W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음4,968

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