트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
FDS8984_F123 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 8-SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: * FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,320
FDS9926A ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 6.5A 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 650pF @ 10V 전력-최대: 900mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음20,820
FDS9933 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 5A 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 825pF @ 10V 전력-최대: 900mW 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음645
FDS9933A ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.8A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.8A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 600pF @ 10V 전력-최대: 900mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음8,784
FDS9933BZ ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8-SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.9A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.9A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 985pF @ 10V 전력-최대: 900mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음3,418
FDS9934C ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 20V 6.5A/5A 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A, 5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 650pF @ 10V 전력-최대: 900mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음73,914
FDS9945 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SO 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 420pF @ 30V 전력-최대: 1W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음94,116
FDS9953A ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.5nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 185pF @ 15V 전력-최대: 900mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음3,186
FDS9958 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SO 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1020pF @ 30V 전력-최대: 900mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음95,532
FDS9958-F085 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1020pF @ 30V 전력-최대: 900mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음66,138
FDSS2407 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 62V 3.3A 8-SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 62V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.3nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 300pF @ 15V 전력-최대: 2.27W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음3,418
FDW2501N ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 6A 8-TSSOP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1290pF @ 10V 전력-최대: 600mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP	재고 있음2,394
FDW2501NZ ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 5.5A 8TSSOP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 5.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1286pF @ 10V 전력-최대: 600mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP	재고 있음4,626
FDW2502P ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 4.4A 8-TSSO 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.4A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1465pF @ 10V 전력-최대: 600mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP	재고 있음8,964
FDW2503N ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 5.5A 8TSSOP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1082pF @ 10V 전력-최대: 600mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP	재고 있음3,420
FDW2503NZ ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 5.5A 8TSSOP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1286pF @ 10V 전력-최대: 600mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP	재고 있음5,130
FDW2504P ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 8-TSSO 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.8A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3.8A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1030pF @ 10V 전력-최대: 600mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP	재고 있음8,946
FDW2506P ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8-TSSO 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 5.3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 34nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1015pF @ 10V 전력-최대: 600mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP	재고 있음4,590
FDW2507N ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8-TSSOP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 7.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2152pF @ 10V 전력-최대: 1.1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP	재고 있음7,038
FDW2507NZ ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8-TSSOP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 7.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2152pF @ 10V 전력-최대: 1.1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP	재고 있음8,298
FDW2508P ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 12V 6A 8-TSSOP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2644pF @ 6V 전력-최대: 1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP	재고 있음2,934
FDW2508PB ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 12V 6A 8-TSSOP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3775pF @ 6V 전력-최대: 1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP	재고 있음3,492
FDW2510NZ ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 6.4A 8TSSOP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.4A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 870pF @ 10V 전력-최대: 1.1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP	재고 있음8,748
FDW2511NZ ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 7.1A 8TSSOP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.1A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17.3nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1000pF @ 10V 전력-최대: 1.6W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP	재고 있음7,830
FDW2512NZ ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 6A 8-TSSOP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 670pF @ 10V 전력-최대: 1.6W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP	재고 있음5,688
FDW2516NZ ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 5.8A 8TSSOP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.8A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 745pF @ 10V 전력-최대: 1.1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP	재고 있음5,760
FDW2520C ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 20V 6A/4.4A 8TSSOP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A, 4.4A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1325pF @ 10V 전력-최대: 600mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP	재고 있음6,840
FDW2521C ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A, 3.8A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1082pF @ 10V 전력-최대: 600mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP	재고 있음7,434
FDW2601NZ ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 8.2A 8TSSOP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8.2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1840pF @ 15V 전력-최대: 1.6W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP	재고 있음8,136
FDW9926A ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 4.5A 8TSSOP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 630pF @ 10V 전력-최대: 600mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP	재고 있음2,286

FDS8984_F123

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 8-SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: *
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,320

FDS9926A

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 6.5A 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 650pF @ 10V
전력-최대: 900mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음20,820

FDS9933

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 5A 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 825pF @ 10V
전력-최대: 900mW
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음645

FDS9933A

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.8A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 600pF @ 10V
전력-최대: 900mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음8,784

FDS9933BZ

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8-SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.9A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.9A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 985pF @ 10V
전력-최대: 900mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음3,418

FDS9934C

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V 6.5A/5A 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A, 5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 650pF @ 10V
전력-최대: 900mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음73,914

FDS9945

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SO

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 420pF @ 30V
전력-최대: 1W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음94,116

FDS9953A

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.5nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 185pF @ 15V
전력-최대: 900mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음3,186

FDS9958

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SO

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1020pF @ 30V
전력-최대: 900mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음95,532

FDS9958-F085

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1020pF @ 30V
전력-최대: 900mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음66,138

FDSS2407

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 62V 3.3A 8-SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 62V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.3nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 300pF @ 15V
전력-최대: 2.27W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음3,418

FDW2501N

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 6A 8-TSSOP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1290pF @ 10V
전력-최대: 600mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-TSSOP

재고 있음2,394

FDW2501NZ

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 5.5A 8TSSOP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 5.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1286pF @ 10V
전력-최대: 600mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-TSSOP

재고 있음4,626

FDW2502P

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 4.4A 8-TSSO

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1465pF @ 10V
전력-최대: 600mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-TSSOP

재고 있음8,964

FDW2503N

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 5.5A 8TSSOP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1082pF @ 10V
전력-최대: 600mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-TSSOP

재고 있음3,420

FDW2503NZ

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 5.5A 8TSSOP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1286pF @ 10V
전력-최대: 600mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-TSSOP

재고 있음5,130

FDW2504P

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 8-TSSO

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3.8A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1030pF @ 10V
전력-최대: 600mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-TSSOP

재고 있음8,946

FDW2506P

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8-TSSO

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 5.3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 34nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1015pF @ 10V
전력-최대: 600mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-TSSOP

재고 있음4,590

FDW2507N

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8-TSSOP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 7.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2152pF @ 10V
전력-최대: 1.1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-TSSOP

재고 있음7,038

FDW2507NZ

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8-TSSOP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 7.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2152pF @ 10V
전력-최대: 1.1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-TSSOP

재고 있음8,298

FDW2508P

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 12V 6A 8-TSSOP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2644pF @ 6V
전력-최대: 1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-TSSOP

재고 있음2,934

FDW2508PB

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 12V 6A 8-TSSOP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3775pF @ 6V
전력-최대: 1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-TSSOP

재고 있음3,492

FDW2510NZ

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 6.4A 8TSSOP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 870pF @ 10V
전력-최대: 1.1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-TSSOP

재고 있음8,748

FDW2511NZ

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 7.1A 8TSSOP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.1A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17.3nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1000pF @ 10V
전력-최대: 1.6W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-TSSOP

재고 있음7,830

FDW2512NZ

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 6A 8-TSSOP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 670pF @ 10V
전력-최대: 1.6W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-TSSOP

재고 있음5,688

FDW2516NZ

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 5.8A 8TSSOP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 745pF @ 10V
전력-최대: 1.1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-TSSOP

재고 있음5,760

FDW2520C

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V 6A/4.4A 8TSSOP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A, 4.4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1325pF @ 10V
전력-최대: 600mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-TSSOP

재고 있음6,840

FDW2521C

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A, 3.8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1082pF @ 10V
전력-최대: 600mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-TSSOP

재고 있음7,434

FDW2601NZ

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 8.2A 8TSSOP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8.2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1840pF @ 15V
전력-최대: 1.6W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-TSSOP

재고 있음8,136

FDW9926A

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 4.5A 8TSSOP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 630pF @ 10V
전력-최대: 600mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-TSSOP

재고 있음2,286

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