트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
FDS4897C ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.2A, 4.4A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 760pF @ 20V 전력-최대: 900mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음275,730
FDS4935 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1233pF @ 15V 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음4,184
FDS4935A ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1233pF @ 15V 전력-최대: 900mW 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음56,952
FDS4935BZ ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8-SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.9A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1360pF @ 15V 전력-최대: 900mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음354,678
FDS4953 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 528pF @ 15V 전력-최대: 900mW 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음3,798
FDS6812A ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.7A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.7A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1082pF @ 10V 전력-최대: 900mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음6,372
FDS6875 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 6A 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2250pF @ 10V 전력-최대: 900mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음56,400
FDS6890A ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2130pF @ 10V 전력-최대: 900mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음72,996
FDS6892A ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1333pF @ 10V 전력-최대: 900mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음4,392
FDS6892AZ ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1286pF @ 10V 전력-최대: 900mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음5,076
FDS6894A ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1676pF @ 10V 전력-최대: 900mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음3,150
FDS6894AZ ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1455pF @ 10V 전력-최대: 900mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음5,436
FDS6898A ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.4A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1821pF @ 10V 전력-최대: 900mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음18,600
FDS6898A_NF40 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8-SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.4A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1821pF @ 10V 전력-최대: 900mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음5,868
FDS6898AZ ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.4A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1821pF @ 10V 전력-최대: 900mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음20,040
FDS6898AZ-F085 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.4A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1821pF @ 10V 전력-최대: 900mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음5,652
FDS6900AS ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 6.9A/8.2A 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench®, SyncFET™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.9A, 8.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 600pF @ 15V 전력-최대: 900mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음4,176
FDS6910 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1130pF @ 15V 전력-최대: 900mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음192,612
FDS6911 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1130pF @ 15V 전력-최대: 900mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음262,068
FDS6912 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 740pF @ 15V 전력-최대: 900mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음7,920
FDS6912A ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.1nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 575pF @ 15V 전력-최대: 900mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음52,074
FDS6930A ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 460pF @ 15V 전력-최대: 900mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음5,634
FDS6930B ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.8nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 412pF @ 15V 전력-최대: 900mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음22,608
FDS6961A ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 220pF @ 15V 전력-최대: 900mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음21,798
FDS6961A_F011 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 220pF @ 15V 전력-최대: 900mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음5,184
FDS6975 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 30V 6A 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1540pF @ 15V 전력-최대: 900mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음102,252
FDS6982 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.3A, 8.6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 760pF @ 10V 전력-최대: 900mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음23,267
FDS6982AS ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8-SO 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench®, SyncFET™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.3A, 8.6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 610pF @ 10V 전력-최대: 900mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음262,740
FDS6982AS_G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2 N-CH 30V 6.3A/8.6A 8SO 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench®, SyncFET™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.3A, 8.6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.3A, 10V, 13.5mOhm @ 8.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA, 3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 5V, 16nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 610pF @ 10V, 1250pF @ 10V 전력-최대: 900mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음5,562
FDS6982S ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench®, SyncFET™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.3A, 8.6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2040pF @ 10V 전력-최대: 900mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음5,760

FDS4897C

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.2A, 4.4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 760pF @ 20V
전력-최대: 900mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음275,730

FDS4935

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1233pF @ 15V
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음4,184

FDS4935A

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1233pF @ 15V
전력-최대: 900mW
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음56,952

FDS4935BZ

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8-SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.9A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1360pF @ 15V
전력-최대: 900mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음354,678

FDS4953

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 528pF @ 15V
전력-최대: 900mW
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음3,798

FDS6812A

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.7A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1082pF @ 10V
전력-최대: 900mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음6,372

FDS6875

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 6A 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2250pF @ 10V
전력-최대: 900mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음56,400

FDS6890A

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2130pF @ 10V
전력-최대: 900mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음72,996

FDS6892A

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1333pF @ 10V
전력-최대: 900mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음4,392

FDS6892AZ

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1286pF @ 10V
전력-최대: 900mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음5,076

FDS6894A

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1676pF @ 10V
전력-최대: 900mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음3,150

FDS6894AZ

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1455pF @ 10V
전력-최대: 900mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음5,436

FDS6898A

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1821pF @ 10V
전력-최대: 900mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음18,600

FDS6898A_NF40

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8-SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1821pF @ 10V
전력-최대: 900mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음5,868

FDS6898AZ

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1821pF @ 10V
전력-최대: 900mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음20,040

FDS6898AZ-F085

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1821pF @ 10V
전력-최대: 900mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음5,652

FDS6900AS

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 6.9A/8.2A 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®, SyncFET™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.9A, 8.2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 600pF @ 15V
전력-최대: 900mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음4,176

FDS6910

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1130pF @ 15V
전력-최대: 900mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음192,612

FDS6911

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1130pF @ 15V
전력-최대: 900mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음262,068

FDS6912

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 740pF @ 15V
전력-최대: 900mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음7,920

FDS6912A

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.1nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 575pF @ 15V
전력-최대: 900mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음52,074

FDS6930A

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 460pF @ 15V
전력-최대: 900mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음5,634

FDS6930B

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.8nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 412pF @ 15V
전력-최대: 900mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음22,608

FDS6961A

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 220pF @ 15V
전력-최대: 900mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음21,798

FDS6961A_F011

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 220pF @ 15V
전력-최대: 900mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음5,184

FDS6975

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 30V 6A 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1540pF @ 15V
전력-최대: 900mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음102,252

FDS6982

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.3A, 8.6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 760pF @ 10V
전력-최대: 900mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음23,267

FDS6982AS

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8-SO

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®, SyncFET™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.3A, 8.6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 610pF @ 10V
전력-최대: 900mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음262,740

FDS6982AS_G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 30V 6.3A/8.6A 8SO

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®, SyncFET™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.3A, 8.6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.3A, 10V, 13.5mOhm @ 8.6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA, 3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 5V, 16nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 610pF @ 10V, 1250pF @ 10V
전력-최대: 900mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음5,562

FDS6982S

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®, SyncFET™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.3A, 8.6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2040pF @ 10V
전력-최대: 900mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음5,760

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