트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
FDMS9620S ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 7.5A/10A PWR56 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A, 10A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 665pF @ 15V 전력-최대: 1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN 공급자 장치 패키지: 8-MLP (5x6), Power56	재고 있음71,112
FDPC1002S ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 INTEGRATED CIRCUIT 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,982
FDPC3D5N025X9D ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2 N-CH 25V 74A 12-PQFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 74A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.01mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3340pF @ 13V 전력-최대: 26W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 12-PowerWQFN 공급자 장치 패키지: 12-PQFN (3.3x3.3)	재고 있음7,974
FDPC4044 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 8MLP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 27A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 49nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3215pF @ 15V 전력-최대: 1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN 공급자 장치 패키지: Powerclip-33	재고 있음26,556
FDPC5018SG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V PWRCLIP56 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A, 32A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1715pF @ 15V 전력-최대: 1W, 1.1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN 공급자 장치 패키지: Power Clip 56	재고 있음4,680
FDPC5030SG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V PWRCLIP56 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A, 25A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1715pF @ 15V 전력-최대: 1W, 1.1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN 공급자 장치 패키지: Power Clip 56	재고 있음7,434
FDPC8011S ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 25V 13A/27A 8PQFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A, 27A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1240pF @ 13V 전력-최대: 800mW, 900mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN 공급자 장치 패키지: Powerclip-33	재고 있음8,046
FDPC8012S ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 25V 13A/26A PWR CLP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A, 26A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1075pF @ 13V 전력-최대: 800mW, 900mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN 공급자 장치 패키지: Powerclip-33	재고 있음93,132
FDPC8013S ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 13A/26A 3.3MM 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A, 26A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 827pF @ 15V 전력-최대: 800mW, 900mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN 공급자 장치 패키지: Powerclip-33	재고 있음271
FDPC8014AS ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 25V 20A/40A 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A, 40A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2375pF @ 13V 전력-최대: 2.1W, 2.3W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN 공급자 장치 패키지: Power Clip 56	재고 있음4,806
FDPC8014S ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 25V 8PWRCLIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A, 41A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2375pF @ 13V 전력-최대: 2.1W, 2.3W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN 공급자 장치 패키지: Power Clip 56	재고 있음6,102
FDPC8016S ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 25V 8PWRCLIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A, 35A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2375pF @ 13V 전력-최대: 2.1W, 2.3W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN 공급자 장치 패키지: Power Clip 56	재고 있음3,580
FDQ7236AS ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 14A/11A 14-SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A, 11A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 920pF @ 15V 전력-최대: 1.3W, 1.1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 14-SOIC	재고 있음8,928
FDQ7238AS ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 14A/11A 14SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A, 11A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13.2mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 920pF @ 15V 전력-최대: 1.3W, 1.1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 14-SOIC	재고 있음3,438
FDQ7698S ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 12A/15A 14SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A, 15A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1324pF @ 15V 전력-최대: 1.1W, 1.3W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width), 11 Leads, Fused Leads 공급자 장치 패키지: 14-SO	재고 있음6,390
FDR8305N ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SSOT-8 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1600pF @ 10V 전력-최대: 800mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width) 공급자 장치 패키지: SuperSOT™-8	재고 있음8,208
FDR8308P ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 3.2A SSOT-8 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1240pF @ 10V 전력-최대: 800mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width) 공급자 장치 패키지: SuperSOT™-8	재고 있음8,316
FDR8508P ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 30V 3A SSOT-8 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 750pF @ 15V 전력-최대: 800mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width) 공급자 장치 패키지: SuperSOT™-8	재고 있음5,346
FDR8702H ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 20V SSOT-8 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.6A, 2.6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.6A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 650pF @ 10V 전력-최대: 800mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width) 공급자 장치 패키지: SuperSOT™-8	재고 있음6,264
FDS3601 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 100V 1.3A 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 1.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 153pF @ 50V 전력-최대: 900mW 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음5,868
FDS3812 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.4A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 3.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 634pF @ 40V 전력-최대: 900mW 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음4,554
FDS3890 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 80V 4.7A 8-SO 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.7A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1180pF @ 40V 전력-최대: 900mW 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음50,328
FDS3912 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 632pF @ 50V 전력-최대: 900mW 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음5,868
FDS3992 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8-SO 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 750pF @ 25V 전력-최대: 2.5W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음5,778
FDS4501H ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 30V/20V 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.3A, 5.6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1958pF @ 10V 전력-최대: 1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음5,220
FDS4559 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-SO 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A, 3.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 650pF @ 25V 전력-최대: 1W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음164,976
FDS4559-F085 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-SO 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A, 3.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 650pF @ 25V 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음2,736
FDS4885C ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 40V 7.5A/6A 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A, 6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 900pF @ 20V 전력-최대: 900mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음3,078
FDS4895C ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 40V 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A, 4.4A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 410pF @ 20V 전력-최대: 900mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음6,750
FDS4897AC ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.2A 8SO 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.1A, 5.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1055pF @ 20V 전력-최대: 900mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음21,642

FDMS9620S

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 7.5A/10A PWR56

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A, 10A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 665pF @ 15V
전력-최대: 1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN
공급자 장치 패키지: 8-MLP (5x6), Power56

재고 있음71,112

FDPC1002S

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

INTEGRATED CIRCUIT

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,982

FDPC3D5N025X9D

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 25V 74A 12-PQFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 74A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.01mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3340pF @ 13V
전력-최대: 26W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 12-PowerWQFN
공급자 장치 패키지: 12-PQFN (3.3x3.3)

재고 있음7,974

FDPC4044

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 8MLP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 27A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 49nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3215pF @ 15V
전력-최대: 1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN
공급자 장치 패키지: Powerclip-33

재고 있음26,556

FDPC5018SG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V PWRCLIP56

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A, 32A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1715pF @ 15V
전력-최대: 1W, 1.1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN
공급자 장치 패키지: Power Clip 56

재고 있음4,680

FDPC5030SG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V PWRCLIP56

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A, 25A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1715pF @ 15V
전력-최대: 1W, 1.1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN
공급자 장치 패키지: Power Clip 56

재고 있음7,434

FDPC8011S

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 25V 13A/27A 8PQFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A, 27A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1240pF @ 13V
전력-최대: 800mW, 900mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN
공급자 장치 패키지: Powerclip-33

재고 있음8,046

FDPC8012S

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 25V 13A/26A PWR CLP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A, 26A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1075pF @ 13V
전력-최대: 800mW, 900mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN
공급자 장치 패키지: Powerclip-33

재고 있음93,132

FDPC8013S

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 13A/26A 3.3MM

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A, 26A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 827pF @ 15V
전력-최대: 800mW, 900mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN
공급자 장치 패키지: Powerclip-33

재고 있음271

FDPC8014AS

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 25V 20A/40A

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A, 40A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2375pF @ 13V
전력-최대: 2.1W, 2.3W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN
공급자 장치 패키지: Power Clip 56

재고 있음4,806

FDPC8014S

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 25V 8PWRCLIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A, 41A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2375pF @ 13V
전력-최대: 2.1W, 2.3W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN
공급자 장치 패키지: Power Clip 56

재고 있음6,102

FDPC8016S

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 25V 8PWRCLIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A, 35A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2375pF @ 13V
전력-최대: 2.1W, 2.3W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN
공급자 장치 패키지: Power Clip 56

재고 있음3,580

FDQ7236AS

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 14A/11A 14-SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A, 11A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 920pF @ 15V
전력-최대: 1.3W, 1.1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 14-SOIC

재고 있음8,928

FDQ7238AS

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 14A/11A 14SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A, 11A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13.2mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 920pF @ 15V
전력-최대: 1.3W, 1.1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 14-SOIC

재고 있음3,438

FDQ7698S

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 12A/15A 14SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A, 15A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1324pF @ 15V
전력-최대: 1.1W, 1.3W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width), 11 Leads, Fused Leads
공급자 장치 패키지: 14-SO

재고 있음6,390

FDR8305N

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SSOT-8

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1600pF @ 10V
전력-최대: 800mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)
공급자 장치 패키지: SuperSOT™-8

재고 있음8,208

FDR8308P

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 3.2A SSOT-8

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1240pF @ 10V
전력-최대: 800mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)
공급자 장치 패키지: SuperSOT™-8

재고 있음8,316

FDR8508P

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 30V 3A SSOT-8

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 750pF @ 15V
전력-최대: 800mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)
공급자 장치 패키지: SuperSOT™-8

재고 있음5,346

FDR8702H

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V SSOT-8

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.6A, 2.6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 650pF @ 10V
전력-최대: 800mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)
공급자 장치 패키지: SuperSOT™-8

재고 있음6,264

FDS3601

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 100V 1.3A 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 1.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 153pF @ 50V
전력-최대: 900mW
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음5,868

FDS3812

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 634pF @ 40V
전력-최대: 900mW
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음4,554

FDS3890

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 80V 4.7A 8-SO

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1180pF @ 40V
전력-최대: 900mW
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음50,328

FDS3912

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 632pF @ 50V
전력-최대: 900mW
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음5,868

FDS3992

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8-SO

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 750pF @ 25V
전력-최대: 2.5W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음5,778

FDS4501H

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V/20V 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.3A, 5.6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1958pF @ 10V
전력-최대: 1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음5,220

FDS4559

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-SO

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A, 3.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 650pF @ 25V
전력-최대: 1W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음164,976

FDS4559-F085

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-SO

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A, 3.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 650pF @ 25V
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음2,736

FDS4885C

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 40V 7.5A/6A 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A, 6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 900pF @ 20V
전력-최대: 900mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음3,078

FDS4895C

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 40V 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A, 4.4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 410pF @ 20V
전력-최대: 900mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음6,750

FDS4897AC

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.2A 8SO

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.1A, 5.2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1055pF @ 20V
전력-최대: 900mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음21,642

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