트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
FDMS3602S ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 25V 15A/26A POWER56 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A, 26A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1680pF @ 13V 전력-최대: 1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: Power56	재고 있음59,658
FDMS3604AS ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A 8-PQFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A, 23A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.7V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1695pF @ 15V 전력-최대: 1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: Power56	재고 있음5,580
FDMS3604S ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A 8-PQFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A, 23A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.7V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1785pF @ 15V 전력-최대: 1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: Power56	재고 있음8,316
FDMS3606AS ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 13A/27A PWR56 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A, 27A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.7V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1695pF @ 15V 전력-최대: 1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: Power56	재고 있음8,550
FDMS3606S ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 13A/27A PWR56 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A, 27A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.7V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1785pF @ 15V 전력-최대: 1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: Power56	재고 있음5,274
FDMS3610S ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 25V 17.5A/30A 8-MLP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17.5A, 30A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1570pF @ 13V 전력-최대: 1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: Power56	재고 있음8,820
FDMS3615S ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 25V 16A/18A 8-PQFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A, 18A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1765pF @ 13V 전력-최대: 1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: Power56	재고 있음6,228
FDMS3616S ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 25V 16A/18A POWER56 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A, 18A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1765pF @ 13V 전력-최대: 1W 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: Power56	재고 있음7,740
FDMS3620S ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 25V 17.5A/38A 8PQFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17.5A, 38A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 17.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1570pF @ 13V 전력-최대: 1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: Power56	재고 있음101,088
FDMS3622S ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 25V 17.5A/34A PWR56 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17.5A, 34A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1570pF @ 13V 전력-최대: 1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: Power56	재고 있음27,906
FDMS3624S ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 25V 17.5A/30A 8PQFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17.5A, 30A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1570pF @ 13V 전력-최대: 1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: Power56	재고 있음7,578
FDMS3626S ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 25V 17.5A/25A 8PQFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17.5A, 25A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1570pF @ 13V 전력-최대: 1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: Power56	재고 있음23,430
FDMS3660AS ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8QFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A, 30A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.7V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2230pF @ 15V 전력-최대: 1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: Power56	재고 있음2,160
FDMS3660S ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A, 30A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.7V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1765pF @ 15V 전력-최대: 1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: Power56	재고 있음7,362
FDMS3660S-F121 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A, 30A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.7V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1765pF @ 15V 전력-최대: 1W 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: Power56	재고 있음3,258
FDMS3664S ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 13A/25A 8-PQFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A, 25A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.7V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1765pF @ 15V 전력-최대: 1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: Power56	재고 있음24,846
FDMS3668S ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A 8-PQFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A, 18A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.7V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1765pF @ 15V 전력-최대: 1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: Power56	재고 있음7,380
FDMS3669S ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A PWR56 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A, 18A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.7V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1605pF @ 15V 전력-최대: 1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: Power56	재고 있음6,372
FDMS3686S ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A 8-PQFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A, 23A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.7V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1785pF @ 10V 전력-최대: 1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: Power56	재고 있음25,068
FDMS3D5N08LC ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 PTNG 80/20V IN 5X6CLIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A (Ta), 136A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 45A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6)	재고 있음2,250
FDMS7600AS ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 12A/22A POWER56 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A, 22A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1750pF @ 15V 전력-최대: 1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN 공급자 장치 패키지: Power56	재고 있음8,172
FDMS7602S ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 12A/17A POWER56 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A, 17A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1750pF @ 15V 전력-최대: 1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN 공급자 장치 패키지: Power56	재고 있음3,600
FDMS7606 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 11.5A/12A PWR56 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.5A, 12A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 11.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1400pF @ 15V 전력-최대: 1W 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN 공급자 장치 패키지: Power56	재고 있음125
FDMS7608S ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 12A/15A 8-PQFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A, 15A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1510pF @ 15V 전력-최대: 1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN 공급자 장치 패키지: Power56	재고 있음22,206
FDMS7620S ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V POWER56 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.1A, 12.4A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 608pF @ 15V 전력-최대: 1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN 공급자 장치 패키지: Power56	재고 있음5,976
FDMS7620S-F106 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V POWER56 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.1A, 12.4A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 608pF @ 15V 전력-최대: 1W 작동 온도: - 장착 유형: Sub-Base Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN 공급자 장치 패키지: Power56	재고 있음7,326
FDMS7700S ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 12A/22A POWER56 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A, 22A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1750pF @ 15V 전력-최대: 1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN 공급자 장치 패키지: Power56	재고 있음5,508
FDMS8090 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 100V 10A PWR56 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1800pF @ 50V 전력-최대: 2.2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN 공급자 장치 패키지: 8-MLP (5x6), Power56	재고 있음6,912
FDMS8095AC ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 150V 6.2A/1A PWR56 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.2A, 1A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2020pF @ 75V 전력-최대: 2.3W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN 공급자 장치 패키지: 8-MLP (5x6), Power56	재고 있음5,976
FDMS9600S ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 12A/16A POWER56 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A, 16A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1705pF @ 15V 전력-최대: 1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN 공급자 장치 패키지: 8-MLP (5x6), Power56	재고 있음27,954

FDMS3602S

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 25V 15A/26A POWER56

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A, 26A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1680pF @ 13V
전력-최대: 1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: Power56

재고 있음59,658

FDMS3604AS

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A 8-PQFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A, 23A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.7V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1695pF @ 15V
전력-최대: 1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: Power56

재고 있음5,580

FDMS3604S

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A 8-PQFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A, 23A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.7V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1785pF @ 15V
전력-최대: 1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: Power56

재고 있음8,316

FDMS3606AS

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 13A/27A PWR56

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A, 27A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.7V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1695pF @ 15V
전력-최대: 1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: Power56

재고 있음8,550

FDMS3606S

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 13A/27A PWR56

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A, 27A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.7V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1785pF @ 15V
전력-최대: 1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: Power56

재고 있음5,274

FDMS3610S

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 25V 17.5A/30A 8-MLP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17.5A, 30A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1570pF @ 13V
전력-최대: 1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: Power56

재고 있음8,820

FDMS3615S

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 25V 16A/18A 8-PQFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A, 18A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1765pF @ 13V
전력-최대: 1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: Power56

재고 있음6,228

FDMS3616S

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 25V 16A/18A POWER56

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A, 18A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1765pF @ 13V
전력-최대: 1W
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: Power56

재고 있음7,740

FDMS3620S

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 25V 17.5A/38A 8PQFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17.5A, 38A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1570pF @ 13V
전력-최대: 1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: Power56

재고 있음101,088

FDMS3622S

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 25V 17.5A/34A PWR56

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17.5A, 34A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1570pF @ 13V
전력-최대: 1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: Power56

재고 있음27,906

FDMS3624S

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 25V 17.5A/30A 8PQFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17.5A, 30A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1570pF @ 13V
전력-최대: 1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: Power56

재고 있음7,578

FDMS3626S

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 25V 17.5A/25A 8PQFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17.5A, 25A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1570pF @ 13V
전력-최대: 1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: Power56

재고 있음23,430

FDMS3660AS

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8QFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A, 30A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.7V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2230pF @ 15V
전력-최대: 1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: Power56

재고 있음2,160

FDMS3660S

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A, 30A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.7V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1765pF @ 15V
전력-최대: 1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: Power56

재고 있음7,362

FDMS3660S-F121

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A, 30A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.7V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1765pF @ 15V
전력-최대: 1W
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: Power56

재고 있음3,258

FDMS3664S

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 13A/25A 8-PQFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A, 25A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.7V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1765pF @ 15V
전력-최대: 1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: Power56

재고 있음24,846

FDMS3668S

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A 8-PQFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A, 18A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.7V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1765pF @ 15V
전력-최대: 1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: Power56

재고 있음7,380

FDMS3669S

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A PWR56

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A, 18A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.7V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1605pF @ 15V
전력-최대: 1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: Power56

재고 있음6,372

FDMS3686S

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A 8-PQFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A, 23A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.7V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1785pF @ 10V
전력-최대: 1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: Power56

재고 있음25,068

FDMS3D5N08LC

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

PTNG 80/20V IN 5X6CLIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A (Ta), 136A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 45A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6)

재고 있음2,250

FDMS7600AS

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 12A/22A POWER56

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A, 22A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1750pF @ 15V
전력-최대: 1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN
공급자 장치 패키지: Power56

재고 있음8,172

FDMS7602S

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 12A/17A POWER56

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A, 17A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1750pF @ 15V
전력-최대: 1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN
공급자 장치 패키지: Power56

재고 있음3,600

FDMS7606

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 11.5A/12A PWR56

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.5A, 12A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1400pF @ 15V
전력-최대: 1W
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN
공급자 장치 패키지: Power56

재고 있음125

FDMS7608S

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 12A/15A 8-PQFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A, 15A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1510pF @ 15V
전력-최대: 1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN
공급자 장치 패키지: Power56

재고 있음22,206

FDMS7620S

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V POWER56

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.1A, 12.4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 608pF @ 15V
전력-최대: 1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN
공급자 장치 패키지: Power56

재고 있음5,976

FDMS7620S-F106

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V POWER56

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.1A, 12.4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 608pF @ 15V
전력-최대: 1W
작동 온도: -
장착 유형: Sub-Base Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN
공급자 장치 패키지: Power56

재고 있음7,326

FDMS7700S

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 12A/22A POWER56

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A, 22A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1750pF @ 15V
전력-최대: 1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN
공급자 장치 패키지: Power56

재고 있음5,508

FDMS8090

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 100V 10A PWR56

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1800pF @ 50V
전력-최대: 2.2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN
공급자 장치 패키지: 8-MLP (5x6), Power56

재고 있음6,912

FDMS8095AC

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 150V 6.2A/1A PWR56

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.2A, 1A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2020pF @ 75V
전력-최대: 2.3W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN
공급자 장치 패키지: 8-MLP (5x6), Power56

재고 있음5,976

FDMS9600S

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 12A/16A POWER56

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A, 16A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1705pF @ 15V
전력-최대: 1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN
공급자 장치 패키지: 8-MLP (5x6), Power56

재고 있음27,954

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