트랜지스터

IRFHM792TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.9A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 10µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.3nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 251pF @ 25V
• 전력-최대: 2.3W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
• 공급자 장치 패키지: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33

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IRFHM8363TR2PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.9mOhm @ 10A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 25µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1165pF @ 10V
• 전력-최대: 2.7W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
• 공급자 장치 패키지: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33

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IRFHM8363TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.9mOhm @ 10A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 25µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1165pF @ 10V
• 전력-최대: 2.7W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
• 공급자 장치 패키지: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33

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IRFHS9351TR2PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3.1A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 10µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.7nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 160pF @ 25V
• 전력-최대: 1.4W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 6-PowerVDFN
• 공급자 장치 패키지: 6-PQFN Dual (2x2)

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IRFHS9351TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3.1A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 10µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.7nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 160pF @ 25V
• 전력-최대: 1.4W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 6-VQFN Exposed Pad
• 공급자 장치 패키지: 6-PQFN (2x2)

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IRFI4019H-117P

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 150V 8.7A TO-220FP

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.7A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 5.2A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.9V @ 50µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 810pF @ 25V
• 전력-최대: 18W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-220-5 Full Pack
• 공급자 장치 패키지: TO-220-5 Full-Pak

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IRFI4019HG-117P

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 150V 8.7A TO-220FP

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.7A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 5.2A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.9V @ 50µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 810pF @ 25V
• 전력-최대: 18W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-220-5 Full Pack (Formed Leads)
• 공급자 장치 패키지: TO-220-5 Full-Pak

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IRFI4020H-117P

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 200V 9.1A TO-220FP

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.1A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.9V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1240pF @ 25V
• 전력-최대: 21W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-220-5 Full Pack
• 공급자 장치 패키지: TO-220-5 Full-Pak

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IRFI4024H-117P

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 55V 11A TO-220FP-5

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 7.7A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 25µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 320pF @ 50V
• 전력-최대: 14W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-220-5 Full Pack
• 공급자 장치 패키지: TO-220-5 Full-Pak

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IRFI4212H-117P

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 100V 11A TO-220FP-5

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 72.5mOhm @ 6.6A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 490pF @ 50V
• 전력-최대: 18W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-220-5 Full Pack
• 공급자 장치 패키지: TO-220-5 Full-Pak

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IRL6297SDTRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 15A DIRECTFET

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 35µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 54nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2245pF @ 10V
• 전력-최대: 1.7W
• 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric SA
• 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ SA

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IRL6372PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.1A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17.9mOhm @ 8.1A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 10µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1020pF @ 25V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

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IRL6372TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.1A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17.9mOhm @ 8.1A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 10µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1020pF @ 25V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

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IRLHS6276TR2PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PQFN

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.4A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 10µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.1nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 310pF @ 10V
• 전력-최대: 1.5W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 6-PowerVDFN
• 공급자 장치 패키지: 6-PQFN Dual (2x2)

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IRLHS6276TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PQFN

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.4A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 10µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.1nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 310pF @ 10V
• 전력-최대: 1.5W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 6-VQFN
• 공급자 장치 패키지: 6-PQFN (2x2)

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IRLHS6376TR2PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.6A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 3.4A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 10µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 270pF @ 25V
• 전력-최대: 1.5W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 6-VDFN Exposed Pad
• 공급자 장치 패키지: 6-PQFN (2x2)

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

IRLHS6376TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.6A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 3.4A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 10µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 270pF @ 25V
• 전력-최대: 1.5W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 6-VDFN Exposed Pad
• 공급자 장치 패키지: 6-PQFN (2x2)

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IXTL2X180N10T

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 100V 100A I5-PAK

• 제조업체: IXYS
• 시리즈: Trench™
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 50A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 151nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6900pF @ 25V
• 전력-최대: 150W
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: ISOPLUSi5-Pak™
• 공급자 장치 패키지: ISOPLUSi5-Pak™

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IXTL2X200N085T

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 85V 112A I5-PAK

• 제조업체: IXYS
• 시리즈: TrenchMV™
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 85V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 112A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 152nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7600pF @ 25V
• 전력-최대: 150W
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: ISOPLUSi5-Pak™
• 공급자 장치 패키지: ISOPLUSi5-Pak™

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IXTL2X220N075T

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 75V 120A I5-PAK

• 제조업체: IXYS
• 시리즈: TrenchMV™
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 165nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7700pF @ 25V
• 전력-최대: 150W
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: ISOPLUSi5-Pak™
• 공급자 장치 패키지: ISOPLUSi5-Pak™

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IXTL2X240N055T

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 55V 140A ISOPLUS I5

• 제조업체: IXYS
• 시리즈: TrenchMV™
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 140A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 170nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7600pF @ 25V
• 전력-최대: 150W
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: ISOPLUSi5-Pak™
• 공급자 장치 패키지: ISOPLUSi5-Pak™

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JAN2N7334

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/597
• FET 유형: 4 N-Channel
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• 전력-최대: 1.4W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
• 공급자 장치 패키지: MO-036AB

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JAN2N7335

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4P-CH 100V 0.75A MO-036AB

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/599
• FET 유형: 4 P-Channel
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 750mA
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• 전력-최대: 1.4W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
• 공급자 장치 패키지: -

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JANTX2N7334

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/597
• FET 유형: 4 N-Channel
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• 전력-최대: 1.4W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
• 공급자 장치 패키지: MO-036AB

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JANTX2N7335

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4P-CH 100V 0.75A MO-036AB

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/599
• FET 유형: 4 P-Channel
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 750mA
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• 전력-최대: 1.4W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
• 공급자 장치 패키지: MO-036AB

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JANTXV2N7334

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/597
• FET 유형: 4 N-Channel
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• 전력-최대: 1.4W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
• 공급자 장치 패키지: MO-036AB

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JANTXV2N7335

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4P-CH 100V 0.75A MO-036AB

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/599
• FET 유형: 4 P-Channel
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 750mA
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• 전력-최대: 1.4W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
• 공급자 장치 패키지: MO-036AB

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KGF16N05D-400

Renesas Electronics America Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N-CH 5.5V DUAL 20WLCSP

• 제조업체: Renesas Electronics America Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Source
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 5.5V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 8A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 0.9V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 600pF @ 5V
• 전력-최대: 2.5W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 20-UFLGA, CSP
• 공급자 장치 패키지: 20-WLCSP (2.48x1.17)

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KGF6N05D-400

Renesas Electronics America Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

IC MOSFET N-CH

• 제조업체: Renesas Electronics America Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Source
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 5.5V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 6A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 0.9V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4nC @ 3.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 630pF @ 5.5V
• 전력-최대: 2.5W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 20-UFLGA, CSP
• 공급자 장치 패키지: 20-WLCSP (2.48x1.17)

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LKK47-06C5

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 600V 47A ISOPLUS264

• 제조업체: IXYS
• 시리즈: CoolMOS™
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Super Junction
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 47A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 3mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 190nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6800pF @ 100V
• 전력-최대: -
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: ISOPLUS264™
• 공급자 장치 패키지: ISOPLUS264™

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