트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
NTMFD4C20NT3G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V SO8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.1A, 13.7A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.3nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 970pF @ 15V 전력-최대: 1.09W, 1.15W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)	재고 있음5,940
NTMFD4C85NT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 8DFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15.4A, 29.7A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1960pF @ 15V 전력-최대: 1.13W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)	재고 있음288,587
NTMFD4C85NT3G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 8DFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15.4A, 29.7A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1960pF @ 15V 전력-최대: 1.13W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)	재고 있음3,294
NTMFD4C86NT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 8DFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.3A, 18.1A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22.2nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1153pF @ 15V 전력-최대: 1.1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)	재고 있음920
NTMFD4C86NT3G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 8DFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.3A, 18.1A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22.2nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1153pF @ 15V 전력-최대: 1.1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)	재고 있음7,488
NTMFD4C87NT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 8DFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.7A, 14.9A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22.2nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1252pF @ 15V 전력-최대: 1.1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)	재고 있음6,264
NTMFD4C87NT3G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 8DFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.7A, 14.9A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22.2nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1252pF @ 15V 전력-최대: 1.1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)	재고 있음3,472
NTMFD4C88NT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 8DFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.7A, 14.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22.2nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1252pF @ 15V 전력-최대: 1.1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)	재고 있음7,866
NTMFD4C88NT3G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 8DFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.7A, 14.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22.2nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1252pF @ 15V 전력-최대: 1.1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)	재고 있음5,706
NTMFD5C446NLT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 T6 40V LL S08FL DS 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Ta), 145A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 90µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 54nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3170pF @ 25V 전력-최대: 3.5W (Ta), 125W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)	재고 있음2,520
NTMFD5C462NLT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 T6 40V LL S08FL DS 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,492
NTMFD5C466NLT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 T6 40V LL S08FL DS 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta), 52A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 30µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 997pF @ 25V 전력-최대: 3W (Ta), 40W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)	재고 있음5,508
NTMFD5C466NT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 40V 8.1 MOHM T8 S08FL DUA 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,740
NTMFD5C470NLT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 T6 40V LL S08FL DS 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta), 36A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 20µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 590pF @ 25V 전력-최대: 3W (Ta), 24W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)	재고 있음13,620
NTMFD5C650NLT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 T6 60V LL S08FL DS 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Ta), 111A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 98µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 37nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2546pF @ 25V 전력-최대: 3.5W (Ta), 125W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)	재고 있음7,434
NTMFD5C674NLT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 T6 60V LL S08FL DS 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta), 42A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 25µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 640pF @ 25V 전력-최대: 3W (Ta), 37W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)	재고 있음7,902
NTMFD5C680NLT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 T6 60V LL SO8FL DUAL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A (Ta), 26A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 13µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 25V 전력-최대: 3W (Ta), 19W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)	재고 있음8,712
NTND31015NZTAG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 0.2A XLLGA6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12.3pF @ 15V 전력-최대: 125mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-XFLGA 공급자 장치 패키지: 6-XLLGA (.90x.65)	재고 있음3,870
NTND31225CZTAG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET DUAL 20V XLLGA6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: N and P-Channel Complementary FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 220mA (Ta), 127mA (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V, 5Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12.3pF @ 15V, 12.8pF @ 15V 전력-최대: 125mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-XFLGA 공급자 장치 패키지: 6-XLLGA (.90x.65)	재고 있음2,196
NTND3184NZTAG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2 N-CH 20V 220MA 6-XLLGA 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 220mA (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12.3pF @ 15V 전력-최대: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-XFLGA 공급자 장치 패키지: 6-XLLGA (.90x.65)	재고 있음7,686
NTQD4154ZR2 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8-TSSOP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 7.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21.5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1485pF @ 16V 전력-최대: 1.52W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP	재고 있음3,636
NTQD6866R2 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 8TSSOP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.7A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6.9A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1400pF @ 16V 전력-최대: 940mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP	재고 있음5,598
NTQD6866R2G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 8TSSOP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.7A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6.9A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1400pF @ 16V 전력-최대: 940mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP	재고 있음7,596
NTQD6968N ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8TSSOP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 630pF @ 16V 전력-최대: 1.39W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP	재고 있음2,412
NTQD6968NR2 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8TSSOP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 630pF @ 16V 전력-최대: 1.39W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP	재고 있음7,092
NTQD6968NR2G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8TSSOP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 630pF @ 16V 전력-최대: 1.39W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP	재고 있음2,700
NTQD6968R2 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8TSSOP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.6A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 900pF @ 16V 전력-최대: 1.42W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP	재고 있음3,168
NTTD1P02R2 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 1.45A 8MICRO 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.45A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.45A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 265pF @ 16V 전력-최대: 500mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 공급자 장치 패키지: Micro8™	재고 있음4,950
NTTD1P02R2G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 1.45A 8MICRO 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.45A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.45A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 265pF @ 16V 전력-최대: 500mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 공급자 장치 패키지: Micro8™	재고 있음3,312
NTTFS5C460NLTAG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N-CH 40V 74A 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A (Ta), 74A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 40µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1300pF @ 25V 전력-최대: 3.1W (Ta), 50W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN 공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3)	재고 있음8,676

NTMFD4C20NT3G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V SO8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.1A, 13.7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.3nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 970pF @ 15V
전력-최대: 1.09W, 1.15W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)

재고 있음5,940

NTMFD4C85NT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 8DFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15.4A, 29.7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1960pF @ 15V
전력-최대: 1.13W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)

재고 있음288,587

NTMFD4C85NT3G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 8DFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15.4A, 29.7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1960pF @ 15V
전력-최대: 1.13W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)

재고 있음3,294

NTMFD4C86NT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 8DFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.3A, 18.1A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22.2nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1153pF @ 15V
전력-최대: 1.1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)

재고 있음920

NTMFD4C86NT3G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 8DFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.3A, 18.1A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22.2nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1153pF @ 15V
전력-최대: 1.1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)

재고 있음7,488

NTMFD4C87NT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 8DFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.7A, 14.9A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22.2nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1252pF @ 15V
전력-최대: 1.1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)

재고 있음6,264

NTMFD4C87NT3G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 8DFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.7A, 14.9A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22.2nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1252pF @ 15V
전력-최대: 1.1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)

재고 있음3,472

NTMFD4C88NT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 8DFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.7A, 14.2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22.2nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1252pF @ 15V
전력-최대: 1.1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)

재고 있음7,866

NTMFD4C88NT3G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 8DFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.7A, 14.2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22.2nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1252pF @ 15V
전력-최대: 1.1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)

재고 있음5,706

NTMFD5C446NLT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

T6 40V LL S08FL DS

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Ta), 145A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 90µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 54nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3170pF @ 25V
전력-최대: 3.5W (Ta), 125W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

재고 있음2,520

NTMFD5C462NLT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

T6 40V LL S08FL DS

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,492

NTMFD5C466NLT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

T6 40V LL S08FL DS

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 30µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 997pF @ 25V
전력-최대: 3W (Ta), 40W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

재고 있음5,508

NTMFD5C466NT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

40V 8.1 MOHM T8 S08FL DUA

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,740

NTMFD5C470NLT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

T6 40V LL S08FL DS

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 20µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 590pF @ 25V
전력-최대: 3W (Ta), 24W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

재고 있음13,620

NTMFD5C650NLT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

T6 60V LL S08FL DS

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Ta), 111A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 98µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 37nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2546pF @ 25V
전력-최대: 3.5W (Ta), 125W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

재고 있음7,434

NTMFD5C674NLT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

T6 60V LL S08FL DS

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 25µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 640pF @ 25V
전력-최대: 3W (Ta), 37W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

재고 있음7,902

NTMFD5C680NLT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

T6 60V LL SO8FL DUAL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A (Ta), 26A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 13µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 25V
전력-최대: 3W (Ta), 19W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

재고 있음8,712

NTND31015NZTAG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 0.2A XLLGA6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12.3pF @ 15V
전력-최대: 125mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-XFLGA
공급자 장치 패키지: 6-XLLGA (.90x.65)

재고 있음3,870

NTND31225CZTAG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET DUAL 20V XLLGA6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: N and P-Channel Complementary
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 220mA (Ta), 127mA (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V, 5Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12.3pF @ 15V, 12.8pF @ 15V
전력-최대: 125mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-XFLGA
공급자 장치 패키지: 6-XLLGA (.90x.65)

재고 있음2,196

NTND3184NZTAG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 20V 220MA 6-XLLGA

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 220mA (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12.3pF @ 15V
전력-최대: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-XFLGA
공급자 장치 패키지: 6-XLLGA (.90x.65)

재고 있음7,686

NTQD4154ZR2

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8-TSSOP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 7.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1485pF @ 16V
전력-최대: 1.52W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-TSSOP

재고 있음3,636

NTQD6866R2

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 8TSSOP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6.9A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1400pF @ 16V
전력-최대: 940mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-TSSOP

재고 있음5,598

NTQD6866R2G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 8TSSOP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6.9A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1400pF @ 16V
전력-최대: 940mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-TSSOP

재고 있음7,596

NTQD6968N

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8TSSOP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 630pF @ 16V
전력-최대: 1.39W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-TSSOP

재고 있음2,412

NTQD6968NR2

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8TSSOP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 630pF @ 16V
전력-최대: 1.39W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-TSSOP

재고 있음7,092

NTQD6968NR2G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8TSSOP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 630pF @ 16V
전력-최대: 1.39W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-TSSOP

재고 있음2,700

NTQD6968R2

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8TSSOP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.6A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 900pF @ 16V
전력-최대: 1.42W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-TSSOP

재고 있음3,168

NTTD1P02R2

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 1.45A 8MICRO

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.45A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.45A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 265pF @ 16V
전력-최대: 500mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
공급자 장치 패키지: Micro8™

재고 있음4,950

NTTD1P02R2G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 1.45A 8MICRO

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.45A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.45A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 265pF @ 16V
전력-최대: 500mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
공급자 장치 패키지: Micro8™

재고 있음3,312

NTTFS5C460NLTAG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N-CH 40V 74A

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A (Ta), 74A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 40µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1300pF @ 25V
전력-최대: 3.1W (Ta), 50W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN
공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3)

재고 있음8,676

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