트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
NVMFD5C672NLT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 49A S08FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta), 49A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 30µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.7nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 793pF @ 25V 전력-최대: 3.1W (Ta), 45W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)	재고 있음5,310
NVMFD5C672NLWFT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 49A S08FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta), 49A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 30µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.7nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 793pF @ 25V 전력-최대: 3.1W (Ta), 45W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)	재고 있음2,952
NVMFD5C674NLT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 42A S08FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta), 42A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 25µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.7nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 640pF @ 25V 전력-최대: 3W (Ta), 37W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)	재고 있음5,598
NVMFD5C674NLWFT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 42A S08FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta), 42A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 25µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.7nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 640pF @ 25V 전력-최대: 3W (Ta), 37W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)	재고 있음7,074
NVMFD5C680NLT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 26A S08FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A (Ta), 26A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 13µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 25V 전력-최대: 3W (Ta), 19W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)	재고 있음5,274
NVMFD5C680NLWFT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 26A S08FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A (Ta), 26A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 13µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 25V 전력-최대: 3W (Ta), 19W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)	재고 있음12,054
NVTJD4001NT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC-88 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.3nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 33pF @ 5V 전력-최대: 272mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363	재고 있음6,786
NVTJD4001NT2G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC-88 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.3nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 33pF @ 5V 전력-최대: 272mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363	재고 있음6,840
NX1029X,115 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 60V/50V SOT666 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 330mA, 170mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.35nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 36pF @ 25V 전력-최대: 500mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-666	재고 있음293,712
NX138AKSF Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2 N-CH 60V 170MA SOT363 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 170mA (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 170mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.4nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 20pF @ 30V 전력-최대: 1.33W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SOT-363	재고 있음3,096
NX138AKSX Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2 N-CH 60V 170MA 6TSSOP 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 170mA (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 170mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.4nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 20pF @ 30V 전력-최대: 325mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP	재고 있음23,808
NX138BKSF Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2 N-CH 60V 330MA SOT363 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 330mA (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.7nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 20pF @ 30V 전력-최대: 860mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SOT-363	재고 있음8,064
NX138BKSX Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2 N-CH 60V 210MA 6TSSOP 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 210mA (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.7nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 20pF @ 30V 전력-최대: 320mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP	재고 있음23,682
NX3008CBKS,115 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 30V 6TSSOP 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 350mA, 200mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 350mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 15V 전력-최대: 445mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP	재고 있음325,914
NX3008CBKV,115 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 30V SOT666 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 400mA, 220mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 350mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 15V 전력-최대: 500mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-666	재고 있음149,460
NX3008NBKS,115 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 0.35A 6TSSOP 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 350mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 350mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 15V 전력-최대: 445mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP	재고 있음1,882,806
NX3008NBKSH Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2 N-CH 30V 350MA 6TSSOP 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 350mA (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 350mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 15V 전력-최대: 445mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP	재고 있음24,678
NX3008NBKV,115 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT666 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 400mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 350mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 15V 전력-최대: 500mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-666	재고 있음87,888
NX3008PBKS,115 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 30V 0.2A 6TSSOP 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.1Ohm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 46pF @ 15V 전력-최대: 445mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP	재고 있음1,041,786
NX3008PBKV,115 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 30V 0.22A SOT666 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 220mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.1Ohm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.72nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 46pF @ 15V 전력-최대: 500mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-666	재고 있음130,554
NX3020NAKS,115 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 0.18A 6TSSOP 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.44nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13pF @ 10V 전력-최대: 375mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP	재고 있음268,560
NX3020NAKV,115 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 0.2A SOT666 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.44nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13pF @ 10V 전력-최대: 375mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-666	재고 있음1,245,012
NX3020NAKVYL Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 0.2A SOT666 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.44nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 20pF @ 10V 전력-최대: 260mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-666	재고 있음7,074
NX6020CAKSX Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH TSSOP6 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 170mA (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V, 7.5Ohm @ 100mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.43nC @ 4.5V, 0.35nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 17pF @ 10V, 36pF @ 25V 전력-최대: 330mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP	재고 있음6,030
NX7002AKS,115 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 0.17A SC-88 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 170mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.43nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 17pF @ 10V 전력-최대: 220mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP	재고 있음86,952
NX7002AKS/ZLX Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2 N-CH 60V 170MA SOT363 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 170mA (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.43nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 17pF @ 10V 전력-최대: 1.06W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SOT-363	재고 있음4,752
NX7002BKXBZ Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 0.26A 6DFN 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 260mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 23.6pF @ 10V 전력-최대: 285mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-XFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: DFN1010B-6	재고 있음7,218
PHC21025,118 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A, 2.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 250pF @ 20V 전력-최대: 2W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음57,972
PHC2300,118 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 300V 8SOIC 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 300V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 340mA, 235mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.24nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 102pF @ 50V 전력-최대: 1.6W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음6,192
PHKD13N03LT,118 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 10.4A 8SOIC 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: TrenchMOS™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.4A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.7nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 752pF @ 15V 전력-최대: 3.57W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음8,478

NVMFD5C672NLT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 49A S08FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 30µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.7nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 793pF @ 25V
전력-최대: 3.1W (Ta), 45W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

재고 있음5,310

NVMFD5C672NLWFT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 49A S08FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 30µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.7nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 793pF @ 25V
전력-최대: 3.1W (Ta), 45W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

재고 있음2,952

NVMFD5C674NLT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 42A S08FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 25µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.7nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 640pF @ 25V
전력-최대: 3W (Ta), 37W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

재고 있음5,598

NVMFD5C674NLWFT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 42A S08FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 25µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.7nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 640pF @ 25V
전력-최대: 3W (Ta), 37W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

재고 있음7,074

NVMFD5C680NLT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 26A S08FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A (Ta), 26A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 13µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 25V
전력-최대: 3W (Ta), 19W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

재고 있음5,274

NVMFD5C680NLWFT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 26A S08FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A (Ta), 26A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 13µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 25V
전력-최대: 3W (Ta), 19W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

재고 있음12,054

NVTJD4001NT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC-88

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.3nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 33pF @ 5V
전력-최대: 272mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363

재고 있음6,786

NVTJD4001NT2G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC-88

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.3nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 33pF @ 5V
전력-최대: 272mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363

재고 있음6,840

NX1029X,115

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 60V/50V SOT666

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 330mA, 170mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.35nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 36pF @ 25V
전력-최대: 500mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-666

재고 있음293,712

NX138AKSF

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 60V 170MA SOT363

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 170mA (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 170mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 20pF @ 30V
전력-최대: 1.33W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SOT-363

재고 있음3,096

NX138AKSX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 60V 170MA 6TSSOP

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 170mA (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 170mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 20pF @ 30V
전력-최대: 325mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: 6-TSSOP

재고 있음23,808

NX138BKSF

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 60V 330MA SOT363

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 330mA (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.7nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 20pF @ 30V
전력-최대: 860mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SOT-363

재고 있음8,064

NX138BKSX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 60V 210MA 6TSSOP

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 210mA (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.7nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 20pF @ 30V
전력-최대: 320mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: 6-TSSOP

재고 있음23,682

NX3008CBKS,115

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 6TSSOP

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 350mA, 200mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 350mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 15V
전력-최대: 445mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: 6-TSSOP

재고 있음325,914

NX3008CBKV,115

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V SOT666

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 400mA, 220mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 350mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 15V
전력-최대: 500mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-666

재고 있음149,460

NX3008NBKS,115

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 0.35A 6TSSOP

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 350mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 350mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 15V
전력-최대: 445mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: 6-TSSOP

재고 있음1,882,806

NX3008NBKSH

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 30V 350MA 6TSSOP

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 350mA (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 350mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 15V
전력-최대: 445mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: 6-TSSOP

재고 있음24,678

NX3008NBKV,115

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT666

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 400mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 350mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 15V
전력-최대: 500mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-666

재고 있음87,888

NX3008PBKS,115

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 30V 0.2A 6TSSOP

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.1Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 46pF @ 15V
전력-최대: 445mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: 6-TSSOP

재고 있음1,041,786

NX3008PBKV,115

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 30V 0.22A SOT666

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 220mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.1Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.72nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 46pF @ 15V
전력-최대: 500mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-666

재고 있음130,554

NX3020NAKS,115

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 0.18A 6TSSOP

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.44nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13pF @ 10V
전력-최대: 375mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: 6-TSSOP

재고 있음268,560

NX3020NAKV,115

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 0.2A SOT666

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.44nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13pF @ 10V
전력-최대: 375mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-666

재고 있음1,245,012

NX3020NAKVYL

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 0.2A SOT666

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.44nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 20pF @ 10V
전력-최대: 260mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-666

재고 있음7,074

NX6020CAKSX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH TSSOP6

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 170mA (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V, 7.5Ohm @ 100mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.43nC @ 4.5V, 0.35nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 17pF @ 10V, 36pF @ 25V
전력-최대: 330mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: 6-TSSOP

재고 있음6,030

NX7002AKS,115

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 0.17A SC-88

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 170mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.43nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 17pF @ 10V
전력-최대: 220mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: 6-TSSOP

재고 있음86,952

NX7002AKS/ZLX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 60V 170MA SOT363

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 170mA (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.43nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 17pF @ 10V
전력-최대: 1.06W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SOT-363

재고 있음4,752

NX7002BKXBZ

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 0.26A 6DFN

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 260mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 23.6pF @ 10V
전력-최대: 285mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-XFDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: DFN1010B-6

재고 있음7,218

PHC21025,118

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A, 2.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 250pF @ 20V
전력-최대: 2W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음57,972

PHC2300,118

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 300V 8SOIC

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 300V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 340mA, 235mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.24nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 102pF @ 50V
전력-최대: 1.6W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음6,192

PHKD13N03LT,118

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 10.4A 8SOIC

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: TrenchMOS™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.7nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 752pF @ 15V
전력-최대: 3.57W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음8,478

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