트랜지스터

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부품 번호	설명	재고 있음
BF1105WR,135 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSFET N-CH 7V DUAL SOT343R 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate 주파수: 800MHz 이득: 20dB 전압-테스트: 5V 전류 정격 (Amps): 30mA 소음 수치: 1.7dB 현재-테스트: - 전원-출력: - 전압-정격: 7V 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: CMPAK-4	재고 있음8,604
BF1107,215 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSFET N-CH 3V 10MA SOT23 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel 주파수: - 이득: - 전압-테스트: - 전류 정격 (Amps): 10mA 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: - 전압-정격: 3V 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: TO-236AB (SOT23)	재고 있음3,204
BF1107,235 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSFET N-CH 3V 10MA SOT23 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel 주파수: - 이득: - 전압-테스트: - 전류 정격 (Amps): 10mA 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: - 전압-정격: 3V 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: TO-236AB (SOT23)	재고 있음6,912
BF1108,215 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC RF SWITCH SOT143B 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel 주파수: - 이득: - 전압-테스트: - 전류 정격 (Amps): 10mA 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: - 전압-정격: 3V 패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA 공급자 장치 패키지: SOT-143B	재고 있음2,340
BF1108/L,215 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC RF SWITCH 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel 주파수: - 이득: - 전압-테스트: - 전류 정격 (Amps): 10mA 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: - 전압-정격: 3V 패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA 공급자 장치 패키지: SOT-143B	재고 있음3,454
BF1108R,215 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC RF SWITCH SOT-143R 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel 주파수: - 이득: - 전압-테스트: - 전류 정격 (Amps): 10mA 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: - 전압-정격: 3V 패키지 / 케이스: SOT-143R 공급자 장치 패키지: SOT-143R	재고 있음4,734
BF1108R,235 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC RF SWITCH SOT143R 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel 주파수: - 이득: - 전압-테스트: - 전류 정격 (Amps): 10mA 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: - 전압-정격: 3V 패키지 / 케이스: SOT-143R 공급자 장치 패키지: SOT-143R	재고 있음7,038
BF1109R,215 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSFET 2N-CH 11V 30MA SOT143R 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate 주파수: 800MHz 이득: 20dB 전압-테스트: 9V 전류 정격 (Amps): 30mA 소음 수치: 1.5dB 현재-테스트: - 전원-출력: - 전압-정격: 11V 패키지 / 케이스: SOT-143R 공급자 장치 패키지: SOT-143R	재고 있음8,244
BF1109WR,115 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSFET N-CH 11V 30MA CMPAK-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate 주파수: 800MHz 이득: 20dB 전압-테스트: 9V 전류 정격 (Amps): 30mA 소음 수치: 1.5dB 현재-테스트: - 전원-출력: - 전압-정격: 11V 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: CMPAK-4	재고 있음2,466
BF1201,215 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT143B 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate 주파수: 400MHz 이득: 29dB 전압-테스트: 5V 전류 정격 (Amps): 30mA 소음 수치: 1dB 현재-테스트: 15mA 전원-출력: - 전압-정격: 10V 패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA 공급자 장치 패키지: SOT-143B	재고 있음2,790
BF1201R,215 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT143R 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate 주파수: 400MHz 이득: 29dB 전압-테스트: 5V 전류 정격 (Amps): 30mA 소음 수치: 1dB 현재-테스트: 15mA 전원-출력: - 전압-정격: 10V 패키지 / 케이스: SOT-143R 공급자 장치 패키지: SOT-143R	재고 있음5,256
BF1201WR,115 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT343R 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate 주파수: 400MHz 이득: 29dB 전압-테스트: 5V 전류 정격 (Amps): 30mA 소음 수치: 1dB 현재-테스트: 15mA 전원-출력: - 전압-정격: 10V 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: CMPAK-4	재고 있음3,510
BF1201WR,135 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT343R 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate 주파수: 400MHz 이득: 29dB 전압-테스트: 5V 전류 정격 (Amps): 30mA 소음 수치: 1dB 현재-테스트: 15mA 전원-출력: - 전압-정격: 10V 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: CMPAK-4	재고 있음2,106
BF1202,215 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT143B 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate 주파수: 400MHz 이득: 30.5dB 전압-테스트: 5V 전류 정격 (Amps): 30mA 소음 수치: 0.9dB 현재-테스트: 12mA 전원-출력: - 전압-정격: 10V 패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA 공급자 장치 패키지: SOT-143B	재고 있음3,366
BF1202R,215 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT143R 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate 주파수: 400MHz 이득: 30.5dB 전압-테스트: 5V 전류 정격 (Amps): 30mA 소음 수치: 0.9dB 현재-테스트: 12mA 전원-출력: 200mW 전압-정격: 10V 패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA 공급자 장치 패키지: SOT-143R	재고 있음4,212
BF1202WR,115 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT343R 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate 주파수: 400MHz 이득: 30.5dB 전압-테스트: 5V 전류 정격 (Amps): 30mA 소음 수치: 0.9dB 현재-테스트: 12mA 전원-출력: - 전압-정격: 10V 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: CMPAK-4	재고 있음5,670
BF1202WR,135 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSFET N-CH DUAL GATE 4DFP 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate 주파수: 400MHz 이득: 30.5dB 전압-테스트: 5V 전류 정격 (Amps): 30mA 소음 수치: 0.9dB 현재-테스트: 12mA 전원-출력: - 전압-정격: 10V 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: CMPAK-4	재고 있음8,424
BF1203,115 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 10V 400MHZ 6TSSOP 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate 주파수: 400MHz 이득: 27dB 전압-테스트: 5V 전류 정격 (Amps): 30mA 소음 수치: 1dB 현재-테스트: 15mA 전원-출력: - 전압-정격: 10V 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP	재고 있음5,472
BF1204,115 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 10V 400MHZ 6TSSOP 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate 주파수: 400MHz 이득: 30dB 전압-테스트: 5V 전류 정격 (Amps): 30mA 소음 수치: 0.9dB 현재-테스트: 12mA 전원-출력: - 전압-정격: 10V 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP	재고 있음2,808
BF1204,135 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 10V 400MHZ 6TSSOP 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate 주파수: 400MHz 이득: 30dB 전압-테스트: 5V 전류 정격 (Amps): 30mA 소음 수치: 0.9dB 현재-테스트: 12mA 전원-출력: - 전압-정격: 10V 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP	재고 있음6,030
BF1205,115 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 10V 800MHZ 6TSSOP 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate 주파수: 800MHz 이득: 26dB 전압-테스트: 5V 전류 정격 (Amps): 30mA 소음 수치: 1.2dB 현재-테스트: 12mA 전원-출력: - 전압-정격: 10V 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP	재고 있음3,510
BF1205,135 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 10V 800MHZ 6TSSOP 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate 주파수: 800MHz 이득: 35dB 전압-테스트: 5V 전류 정격 (Amps): 30mA 소음 수치: 1.2dB 현재-테스트: 12mA 전원-출력: - 전압-정격: 10V 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP	재고 있음5,418
BF1205C,115 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 6V 400MHZ 6TSSOP 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate 주파수: 400MHz 이득: 30dB 전압-테스트: 5V 전류 정격 (Amps): 30mA 소음 수치: 1.3dB 현재-테스트: 19mA 전원-출력: - 전압-정격: 6V 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP	재고 있음3,168
BF1206,115 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 6V 400MHZ 6TSSOP 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate 주파수: 400MHz 이득: 30dB 전압-테스트: 5V 전류 정격 (Amps): 30mA 소음 수치: 1.3dB 현재-테스트: 18mA 전원-출력: - 전압-정격: 6V 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP	재고 있음2,664
BF1207,115 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 6V 400MHZ 6TSSOP 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate 주파수: 400MHz 이득: 30dB 전압-테스트: 5V 전류 정격 (Amps): 30mA 소음 수치: 1.3dB 현재-테스트: 18mA 전원-출력: - 전압-정격: 6V 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP	재고 있음3,436
BF1208,115 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSFET N-CH DUAL GATE SOT666 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate 주파수: 400MHz 이득: 32dB 전압-테스트: 5V 전류 정격 (Amps): 30mA 소음 수치: 1.3dB 현재-테스트: 19mA 전원-출력: - 전압-정격: 6V 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-666	재고 있음3,870
BF1208D,115 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSFET N-CH DUAL GATE SOD666 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate 주파수: 400MHz 이득: 32dB 전압-테스트: 5V 전류 정격 (Amps): 30mA 소음 수치: 0.9dB 현재-테스트: 19mA 전원-출력: - 전압-정격: 6V 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-666	재고 있음2,466
BF1210,115 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 6V 400MHZ 6TSSOP 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate 주파수: 400MHz 이득: 31dB 전압-테스트: 5V 전류 정격 (Amps): 30mA 소음 수치: 0.9dB 현재-테스트: 19mA 전원-출력: - 전압-정격: 6V 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP	재고 있음6,696
BF1211,215 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT143B 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate 주파수: 400MHz 이득: 29dB 전압-테스트: 5V 전류 정격 (Amps): 30mA 소음 수치: 0.9dB 현재-테스트: 15mA 전원-출력: - 전압-정격: 6V 패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA 공급자 장치 패키지: SOT-143B	재고 있음7,020
BF1211R,215 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT143R 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate 주파수: 400MHz 이득: 29dB 전압-테스트: 5V 전류 정격 (Amps): 30mA 소음 수치: 0.9dB 현재-테스트: 15mA 전원-출력: - 전압-정격: 6V 패키지 / 케이스: SOT-143R 공급자 장치 패키지: SOT-143R	재고 있음4,374

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