트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
LET20030C STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 80V 2GHZ M243 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2GHz 이득: 13.9dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 9A 소음 수치: - 현재-테스트: 400mA 전원-출력: 45W 전압-정격: 80V 패키지 / 케이스: M243 공급자 장치 패키지: M243	재고 있음7,470
LET20045C STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RF MOSFET N CH 80V 12A M243 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2GHz 이득: 13.3dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 12A 소음 수치: - 현재-테스트: 500mA 전원-출력: 54W 전압-정격: 80V 패키지 / 케이스: M243 공급자 장치 패키지: M243	재고 있음4,356
LET9045 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-RF TRANSISTOR RF POWER N-CH 80V 9A 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 960MHz 이득: 17.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 9A 소음 수치: - 현재-테스트: 300mA 전원-출력: 59W 전압-정격: 80V 패키지 / 케이스: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) 공급자 장치 패키지: PowerSO-10RF (Formed Lead)	재고 있음5,076
LET9045C STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSFET N-CH 80V 9A M-250 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 960MHz 이득: 17.7dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 9A 소음 수치: - 현재-테스트: 300mA 전원-출력: 59W 전압-정격: 80V 패키지 / 케이스: M243 공급자 장치 패키지: M243	견적 요청
LET9045F STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF LDMOS 80V 9A M-250 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 960MHz 이득: 17.7dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 9A 소음 수치: - 현재-테스트: 300mA 전원-출력: 59W 전압-정격: 80V 패키지 / 케이스: M250 공급자 장치 패키지: M250	재고 있음40
LET9045S STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-RF TRANSISTOR RF POWER N-CH 80V 9A 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 960MHz 이득: 17.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 9A 소음 수치: - 현재-테스트: 300mA 전원-출력: 59W 전압-정격: 80V 패키지 / 케이스: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads) 공급자 장치 패키지: PowerSO-10RF (Straight Lead)	재고 있음7,392
LET9045STR STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO-10RF 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 960MHz 이득: 18.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 1µA 소음 수치: - 현재-테스트: 300mA 전원-출력: 45W 전압-정격: 80V 패키지 / 케이스: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads) 공급자 장치 패키지: PowerSO-10RF (Straight Lead)	재고 있음3,418
LET9045TR STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO-10RF 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 960MHz 이득: 18.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 1µA 소음 수치: - 현재-테스트: 300mA 전원-출력: 45W 전압-정격: 80V 패키지 / 케이스: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) 공급자 장치 패키지: PowerSO-10RF (Formed Lead)	재고 있음8,982
LET9060 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC RF POWER MOSFET N-CH PWRSO10 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 960MHz 이득: 17.2dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 12A 소음 수치: - 현재-테스트: 300mA 전원-출력: 60W 전압-정격: 80V 패키지 / 케이스: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) 공급자 장치 패키지: PowerSO-10RF (Formed Lead)	재고 있음7,668
LET9060C STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSFET N-CH 80V 12A M-243 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 945MHz 이득: 18dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 12A 소음 수치: - 현재-테스트: 400mA 전원-출력: 75W 전압-정격: 80V 패키지 / 케이스: M243 공급자 장치 패키지: M243	재고 있음5,148
LET9060F STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSFET N-CH 80V 12A M-250 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 945MHz 이득: 18dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 12A 소음 수치: - 현재-테스트: 400mA 전원-출력: 75W 전압-정격: 80V 패키지 / 케이스: M250 공급자 장치 패키지: M250	재고 있음8,676
LET9060S STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC RF POWER MOSFET N-CH PWRSO10 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 960MHz 이득: 17.2dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 12A 소음 수치: - 현재-테스트: 300mA 전원-출력: 60W 전압-정격: 80V 패키지 / 케이스: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads) 공급자 장치 패키지: PowerSO-10RF (Straight Lead)	재고 있음8,982
LET9060STR STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RF FET LDMOS 80V POWERSO-10RF 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 960MHz 이득: 17.2dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 12A 소음 수치: - 현재-테스트: 300mA 전원-출력: 60W 전압-정격: 80V 패키지 / 케이스: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads) 공급자 장치 패키지: PowerSO-10RF (Straight Lead)	재고 있음5,472
LET9060TR STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RF FET LDMOS 80V POWERSO-10RF 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 960MHz 이득: 17.2dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 12A 소음 수치: - 현재-테스트: 300mA 전원-출력: 60W 전압-정격: 80V 패키지 / 케이스: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) 공급자 장치 패키지: PowerSO-10RF (Formed Lead)	재고 있음5,670
LET9070CB STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSF RF N CH 80V 12A M243 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 945MHz 이득: 16dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 12A 소음 수치: - 현재-테스트: 400mA 전원-출력: 80W 전압-정격: 80V 패키지 / 케이스: M243 공급자 장치 패키지: M243	재고 있음7,002
LET9070FB STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RF MOSFET LDMOS 28V M250 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 945MHz 이득: 16dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 1µA 소음 수치: - 현재-테스트: 400mA 전원-출력: 70W 전압-정격: 80V 패키지 / 케이스: M250 공급자 장치 패키지: M250	재고 있음3,546
LET9120 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSFET N-CH 80V 18A M-246 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 860MHz 이득: 18dB 전압-테스트: 32V 전류 정격 (Amps): 18A 소음 수치: - 현재-테스트: 400mA 전원-출력: 150W 전압-정격: 80V 패키지 / 케이스: M246 공급자 장치 패키지: M246	재고 있음8,388
LET9150 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSFET N-CH 80V 20A M-246 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 860MHz 이득: 20dB 전압-테스트: 32V 전류 정격 (Amps): 20A 소음 수치: - 현재-테스트: 600mA 전원-출력: 150W 전압-정격: 80V 패키지 / 케이스: M246 공급자 장치 패키지: M246	재고 있음4,356
LET9180 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC RF TRANSISTOR LDMOS M246 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 860MHz 이득: 20dB 전압-테스트: 32V 전류 정격 (Amps): 24A 소음 수치: - 현재-테스트: 500mA 전원-출력: 175W 전압-정격: 80V 패키지 / 케이스: M246 공급자 장치 패키지: M246	재고 있음3,870
MAGX-000025-150000 M/A-Com Technology Solutions	트랜지스터-FET, MOSFET-RF TRANSISTOR RF 150W GAN 제조업체: M/A-Com Technology Solutions 시리즈: - 트랜지스터 유형: HEMT 주파수: 1.2GHz ~ 1.4GHz 이득: 18dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): 5.5A 소음 수치: - 현재-테스트: 600mA 전원-출력: 170W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,636
MAGX-000035-010000 M/A-Com Technology Solutions	트랜지스터-FET, MOSFET-RF TRANSISTOR GAN 10WCW 0.03-3.5GHZ 제조업체: M/A-Com Technology Solutions 시리즈: - 트랜지스터 유형: HEMT 주파수: 30MHz ~ 3.5GHz 이득: 17.5dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 490mA 전원-출력: 40dBm 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,642
MAGX-000035-01000P M/A-Com Technology Solutions	트랜지스터-FET, MOSFET-RF TRANSISTOR RF 10W GAN 제조업체: M/A-Com Technology Solutions 시리즈: - 트랜지스터 유형: HEMT 주파수: 3.5GHz 이득: 17dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): 500mA 소음 수치: - 현재-테스트: 30mA 전원-출력: 10W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,668
MAGX-000035-01000S M/A-Com Technology Solutions	트랜지스터-FET, MOSFET-RF TRANSISTOR GAN 10WCW 0.03-3.5GHZ 제조업체: M/A-Com Technology Solutions 시리즈: - 트랜지스터 유형: HEMT 주파수: 30MHz ~ 3.5GHz 이득: 17.5dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 490mA 전원-출력: 40dBm 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,952
MAGX-000035-015000 M/A-Com Technology Solutions	트랜지스터-FET, MOSFET-RF TRANSISTOR GAN 3.5GHZ 15W 제조업체: M/A-Com Technology Solutions 시리즈: - 트랜지스터 유형: HEMT 주파수: 0Hz ~ 3GHz 이득: 15.5dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): 800mA 소음 수치: - 현재-테스트: 15mA 전원-출력: 500mW 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,268
MAGX-000035-01500P M/A-Com Technology Solutions	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 3.5GHZ 14DFN 제조업체: M/A-Com Technology Solutions 시리즈: - 트랜지스터 유형: HEMT 주파수: 3.5GHz 이득: 14dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): 1mA 소음 수치: - 현재-테스트: 35mA 전원-출력: 14W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 14-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 14-DFN (3x6)	재고 있음7,380
MAGX-000035-01500S M/A-Com Technology Solutions	트랜지스터-FET, MOSFET-RF TRANSISTOR GAN 3.5GHZ 15W 제조업체: M/A-Com Technology Solutions 시리즈: - 트랜지스터 유형: HEMT 주파수: 0Hz ~ 3GHz 이득: 15.5dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): 800mA 소음 수치: - 현재-테스트: 15mA 전원-출력: 500mW 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,322
MAGX-000035-030000 M/A-Com Technology Solutions	트랜지스터-FET, MOSFET-RF TRANSISTOR GAN 30WCW 0.03-3.5GHZ 제조업체: M/A-Com Technology Solutions 시리즈: - 트랜지스터 유형: HEMT 주파수: 30MHz ~ 3.5GHz 이득: 13.6dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): 2.5mA 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 30W 전압-정격: 50V 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,562
MAGX-000035-045000 M/A-Com Technology Solutions	트랜지스터-FET, MOSFET-RF TRANSISTOR GAN 3.5GHZ 45W 제조업체: M/A-Com Technology Solutions 시리즈: - 트랜지스터 유형: HEMT 주파수: 0Hz ~ 3.5GHz 이득: 18dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): 3A 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 900mW 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,192
MAGX-000035-05000P M/A-Com Technology Solutions	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 1MHZ 14DFN 제조업체: M/A-Com Technology Solutions 시리즈: - 트랜지스터 유형: HEMT 주파수: 1MHz 이득: 14dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): 3mA 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 12W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 14-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 14-DFN (3x6)	재고 있음6,354
MAGX-000035-09000P M/A-Com Technology Solutions	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 3.5GHZ 14DFN 제조업체: M/A-Com Technology Solutions 시리즈: - 트랜지스터 유형: HEMT 주파수: 3.5GHz 이득: 13dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): 6mA 소음 수치: - 현재-테스트: 200mA 전원-출력: 14W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 14-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 14-DFN (3x6)	재고 있음4,788

LET20030C

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF 80V 2GHZ M243

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 2GHz
이득: 13.9dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): 9A
소음 수치: -
현재-테스트: 400mA
전원-출력: 45W
전압-정격: 80V
패키지 / 케이스: M243
공급자 장치 패키지: M243

재고 있음7,470

LET20045C

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

RF MOSFET N CH 80V 12A M243

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 2GHz
이득: 13.3dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): 12A
소음 수치: -
현재-테스트: 500mA
전원-출력: 54W
전압-정격: 80V
패키지 / 케이스: M243
공급자 장치 패키지: M243

재고 있음4,356

LET9045

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

TRANSISTOR RF POWER N-CH 80V 9A

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 960MHz
이득: 17.5dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): 9A
소음 수치: -
현재-테스트: 300mA
전원-출력: 59W
전압-정격: 80V
패키지 / 케이스: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
공급자 장치 패키지: PowerSO-10RF (Formed Lead)

재고 있음5,076

LET9045C

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

MOSFET N-CH 80V 9A M-250

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 960MHz
이득: 17.7dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): 9A
소음 수치: -
현재-테스트: 300mA
전원-출력: 59W
전압-정격: 80V
패키지 / 케이스: M243
공급자 장치 패키지: M243

견적 요청

LET9045F

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF LDMOS 80V 9A M-250

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 960MHz
이득: 17.7dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): 9A
소음 수치: -
현재-테스트: 300mA
전원-출력: 59W
전압-정격: 80V
패키지 / 케이스: M250
공급자 장치 패키지: M250

재고 있음40

LET9045S

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

TRANSISTOR RF POWER N-CH 80V 9A

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 960MHz
이득: 17.5dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): 9A
소음 수치: -
현재-테스트: 300mA
전원-출력: 59W
전압-정격: 80V
패키지 / 케이스: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads)
공급자 장치 패키지: PowerSO-10RF (Straight Lead)

재고 있음7,392

LET9045STR

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO-10RF

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 960MHz
이득: 18.5dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): 1µA
소음 수치: -
현재-테스트: 300mA
전원-출력: 45W
전압-정격: 80V
패키지 / 케이스: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads)
공급자 장치 패키지: PowerSO-10RF (Straight Lead)

재고 있음3,418

LET9045TR

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO-10RF

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 960MHz
이득: 18.5dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): 1µA
소음 수치: -
현재-테스트: 300mA
전원-출력: 45W
전압-정격: 80V
패키지 / 케이스: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
공급자 장치 패키지: PowerSO-10RF (Formed Lead)

재고 있음8,982

LET9060

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC RF POWER MOSFET N-CH PWRSO10

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 960MHz
이득: 17.2dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): 12A
소음 수치: -
현재-테스트: 300mA
전원-출력: 60W
전압-정격: 80V
패키지 / 케이스: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
공급자 장치 패키지: PowerSO-10RF (Formed Lead)

재고 있음7,668

LET9060C

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

MOSFET N-CH 80V 12A M-243

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 945MHz
이득: 18dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): 12A
소음 수치: -
현재-테스트: 400mA
전원-출력: 75W
전압-정격: 80V
패키지 / 케이스: M243
공급자 장치 패키지: M243

재고 있음5,148

LET9060F

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

MOSFET N-CH 80V 12A M-250

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 945MHz
이득: 18dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): 12A
소음 수치: -
현재-테스트: 400mA
전원-출력: 75W
전압-정격: 80V
패키지 / 케이스: M250
공급자 장치 패키지: M250

재고 있음8,676

LET9060S

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC RF POWER MOSFET N-CH PWRSO10

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 960MHz
이득: 17.2dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): 12A
소음 수치: -
현재-테스트: 300mA
전원-출력: 60W
전압-정격: 80V
패키지 / 케이스: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads)
공급자 장치 패키지: PowerSO-10RF (Straight Lead)

재고 있음8,982

LET9060STR

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

RF FET LDMOS 80V POWERSO-10RF

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 960MHz
이득: 17.2dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): 12A
소음 수치: -
현재-테스트: 300mA
전원-출력: 60W
전압-정격: 80V
패키지 / 케이스: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads)
공급자 장치 패키지: PowerSO-10RF (Straight Lead)

재고 있음5,472

LET9060TR

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

RF FET LDMOS 80V POWERSO-10RF

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 960MHz
이득: 17.2dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): 12A
소음 수치: -
현재-테스트: 300mA
전원-출력: 60W
전압-정격: 80V
패키지 / 케이스: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
공급자 장치 패키지: PowerSO-10RF (Formed Lead)

재고 있음5,670

LET9070CB

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

MOSF RF N CH 80V 12A M243

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 945MHz
이득: 16dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): 12A
소음 수치: -
현재-테스트: 400mA
전원-출력: 80W
전압-정격: 80V
패키지 / 케이스: M243
공급자 장치 패키지: M243

재고 있음7,002

LET9070FB

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

RF MOSFET LDMOS 28V M250

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 945MHz
이득: 16dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): 1µA
소음 수치: -
현재-테스트: 400mA
전원-출력: 70W
전압-정격: 80V
패키지 / 케이스: M250
공급자 장치 패키지: M250

재고 있음3,546

LET9120

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

MOSFET N-CH 80V 18A M-246

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 860MHz
이득: 18dB
전압-테스트: 32V
전류 정격 (Amps): 18A
소음 수치: -
현재-테스트: 400mA
전원-출력: 150W
전압-정격: 80V
패키지 / 케이스: M246
공급자 장치 패키지: M246

재고 있음8,388

LET9150

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

MOSFET N-CH 80V 20A M-246

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 860MHz
이득: 20dB
전압-테스트: 32V
전류 정격 (Amps): 20A
소음 수치: -
현재-테스트: 600mA
전원-출력: 150W
전압-정격: 80V
패키지 / 케이스: M246
공급자 장치 패키지: M246

재고 있음4,356

LET9180

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC RF TRANSISTOR LDMOS M246

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 860MHz
이득: 20dB
전압-테스트: 32V
전류 정격 (Amps): 24A
소음 수치: -
현재-테스트: 500mA
전원-출력: 175W
전압-정격: 80V
패키지 / 케이스: M246
공급자 장치 패키지: M246

재고 있음3,870

MAGX-000025-150000

M/A-Com Technology Solutions

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

TRANSISTOR RF 150W GAN

제조업체: M/A-Com Technology Solutions
시리즈: -
트랜지스터 유형: HEMT
주파수: 1.2GHz ~ 1.4GHz
이득: 18dB
전압-테스트: 50V
전류 정격 (Amps): 5.5A
소음 수치: -
현재-테스트: 600mA
전원-출력: 170W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,636

MAGX-000035-010000

M/A-Com Technology Solutions

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

TRANSISTOR GAN 10WCW 0.03-3.5GHZ

제조업체: M/A-Com Technology Solutions
시리즈: -
트랜지스터 유형: HEMT
주파수: 30MHz ~ 3.5GHz
이득: 17.5dB
전압-테스트: 50V
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: 490mA
전원-출력: 40dBm
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,642

MAGX-000035-01000P

M/A-Com Technology Solutions

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

TRANSISTOR RF 10W GAN

제조업체: M/A-Com Technology Solutions
시리즈: -
트랜지스터 유형: HEMT
주파수: 3.5GHz
이득: 17dB
전압-테스트: 50V
전류 정격 (Amps): 500mA
소음 수치: -
현재-테스트: 30mA
전원-출력: 10W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,668

MAGX-000035-01000S

M/A-Com Technology Solutions

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

TRANSISTOR GAN 10WCW 0.03-3.5GHZ

제조업체: M/A-Com Technology Solutions
시리즈: -
트랜지스터 유형: HEMT
주파수: 30MHz ~ 3.5GHz
이득: 17.5dB
전압-테스트: 50V
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: 490mA
전원-출력: 40dBm
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,952

MAGX-000035-015000

M/A-Com Technology Solutions

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

TRANSISTOR GAN 3.5GHZ 15W

제조업체: M/A-Com Technology Solutions
시리즈: -
트랜지스터 유형: HEMT
주파수: 0Hz ~ 3GHz
이득: 15.5dB
전압-테스트: 50V
전류 정격 (Amps): 800mA
소음 수치: -
현재-테스트: 15mA
전원-출력: 500mW
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,268

MAGX-000035-01500P

M/A-Com Technology Solutions

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF 65V 3.5GHZ 14DFN

제조업체: M/A-Com Technology Solutions
시리즈: -
트랜지스터 유형: HEMT
주파수: 3.5GHz
이득: 14dB
전압-테스트: 50V
전류 정격 (Amps): 1mA
소음 수치: -
현재-테스트: 35mA
전원-출력: 14W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 14-VDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 14-DFN (3x6)

재고 있음7,380

MAGX-000035-01500S

M/A-Com Technology Solutions

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

TRANSISTOR GAN 3.5GHZ 15W

제조업체: M/A-Com Technology Solutions
시리즈: -
트랜지스터 유형: HEMT
주파수: 0Hz ~ 3GHz
이득: 15.5dB
전압-테스트: 50V
전류 정격 (Amps): 800mA
소음 수치: -
현재-테스트: 15mA
전원-출력: 500mW
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,322

MAGX-000035-030000

M/A-Com Technology Solutions

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

TRANSISTOR GAN 30WCW 0.03-3.5GHZ

제조업체: M/A-Com Technology Solutions
시리즈: -
트랜지스터 유형: HEMT
주파수: 30MHz ~ 3.5GHz
이득: 13.6dB
전압-테스트: 50V
전류 정격 (Amps): 2.5mA
소음 수치: -
현재-테스트: 100mA
전원-출력: 30W
전압-정격: 50V
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,562

MAGX-000035-045000

M/A-Com Technology Solutions

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

TRANSISTOR GAN 3.5GHZ 45W

제조업체: M/A-Com Technology Solutions
시리즈: -
트랜지스터 유형: HEMT
주파수: 0Hz ~ 3.5GHz
이득: 18dB
전압-테스트: 50V
전류 정격 (Amps): 3A
소음 수치: -
현재-테스트: 100mA
전원-출력: 900mW
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,192

MAGX-000035-05000P

M/A-Com Technology Solutions

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF 65V 1MHZ 14DFN

제조업체: M/A-Com Technology Solutions
시리즈: -
트랜지스터 유형: HEMT
주파수: 1MHz
이득: 14dB
전압-테스트: 50V
전류 정격 (Amps): 3mA
소음 수치: -
현재-테스트: 100mA
전원-출력: 12W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 14-VDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 14-DFN (3x6)

재고 있음6,354

MAGX-000035-09000P

M/A-Com Technology Solutions

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF 65V 3.5GHZ 14DFN

제조업체: M/A-Com Technology Solutions
시리즈: -
트랜지스터 유형: HEMT
주파수: 3.5GHz
이득: 13dB
전압-테스트: 50V
전류 정격 (Amps): 6mA
소음 수치: -
현재-테스트: 200mA
전원-출력: 14W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 14-VDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 14-DFN (3x6)

재고 있음4,788

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