트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
MAGX-000040-00500P M/A-Com Technology Solutions	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 4GHZ SOT-89 제조업체: M/A-Com Technology Solutions 시리즈: - 트랜지스터 유형: HEMT 주파수: 4GHz 이득: 15.6dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): 300mA 소음 수치: - 현재-테스트: 17mA 전원-출력: 5W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89	재고 있음6,642
MAGX-000245-014000 M/A-Com Technology Solutions	트랜지스터-FET, MOSFET-RF TRANSISTOR RF 14W GAN 제조업체: M/A-Com Technology Solutions 시리즈: - 트랜지스터 유형: HEMT 주파수: 2.5GHz 이득: 15.2dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): 800mA 소음 수치: - 현재-테스트: 15mA 전원-출력: 14W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,802
MAGX-000245-025000 M/A-Com Technology Solutions	트랜지스터-FET, MOSFET-RF TRANSISTOR RF 25W GAN 제조업체: M/A-Com Technology Solutions 시리즈: - 트랜지스터 유형: HEMT 주파수: 2.5GHz 이득: 12dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 3A 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 25W 전압-정격: 32V 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,752
MAGX-000912-125L00 M/A-Com Technology Solutions	트랜지스터-FET, MOSFET-RF TRANSISTOR GAN 125W 960-1215MHZ 제조업체: M/A-Com Technology Solutions 시리즈: - 트랜지스터 유형: HEMT 주파수: 960MHz ~ 1.215GHz 이득: 18.9dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): 4A 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 125W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,752
MAGX-000912-250L00 M/A-Com Technology Solutions	트랜지스터-FET, MOSFET-RF TRANSISTOR GAN 250W 960-1215MHZ 제조업체: M/A-Com Technology Solutions 시리즈: - 트랜지스터 유형: HEMT 주파수: - 이득: 18.6dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): 8.6A 소음 수치: - 현재-테스트: 250mA 전원-출력: 250W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,232
MAGX-000912-500L00 M/A-Com Technology Solutions	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FETS RF GAN 500W 960-1215MHZ 제조업체: M/A-Com Technology Solutions 시리즈: - 트랜지스터 유형: HEMT 주파수: 960MHz ~ 1.215GHz 이득: 20.5dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): 15.7A 소음 수치: - 현재-테스트: 400mA 전원-출력: 500W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,988
MAGX-000912-500L0S M/A-Com Technology Solutions	트랜지스터-FET, MOSFET-RF TRANSISTOR GAN 960-1215MHZ 500W 제조업체: M/A-Com Technology Solutions 시리즈: - 트랜지스터 유형: HEMT 주파수: 960MHz ~ 1.22GHz 이득: 19.8dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): 27.3A 소음 수치: - 현재-테스트: 400mA 전원-출력: 500W 전압-정격: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,226
MAGX-000912-650L0S M/A-Com Technology Solutions	트랜지스터-FET, MOSFET-RF TRANSISTOR RF 650W GAN 제조업체: M/A-Com Technology Solutions 시리즈: - 트랜지스터 유형: HEMT 주파수: 960MHz ~ 1.215GHz 이득: 20.5dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): 33A 소음 수치: - 현재-테스트: 500mA 전원-출력: 650W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,654
MAGX-001090-600L00 M/A-Com Technology Solutions	트랜지스터-FET, MOSFET-RF TRANSISTOR GAN 600W 제조업체: M/A-Com Technology Solutions 시리즈: - 트랜지스터 유형: HEMT 주파수: 1.03GHz ~ 1.09GHz 이득: 21.3dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): 82A 소음 수치: - 현재-테스트: 600mA 전원-출력: 600W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,510
MAGX-001090-600L0S M/A-Com Technology Solutions	트랜지스터-FET, MOSFET-RF TRANSISTOR RF 600W GAN 제조업체: M/A-Com Technology Solutions 시리즈: - 트랜지스터 유형: HEMT 주파수: 1.03GHz ~ 1.09GHz 이득: 21.4dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): 80A 소음 수치: - 현재-테스트: 600mA 전원-출력: 550W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,112
MAGX-001090-700L00 M/A-Com Technology Solutions	트랜지스터-FET, MOSFET-RF TRANSISTOR RF 700W GAN 제조업체: M/A-Com Technology Solutions 시리즈: - 트랜지스터 유형: HEMT 주파수: 1.03GHz ~ 1.09GHz 이득: 20.5dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): 31A 소음 수치: - 현재-테스트: 500mA 전원-출력: 700W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,838
MAGX-001090-700L0S M/A-Com Technology Solutions	트랜지스터-FET, MOSFET-RF TRANSISTOR RF 700W GAN 제조업체: M/A-Com Technology Solutions 시리즈: - 트랜지스터 유형: HEMT 주파수: 1.03GHz ~ 1.09GHz 이득: 20.5dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): 31A 소음 수치: - 현재-테스트: 500mA 전원-출력: 700W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,032
MAGX-001214-125L00 M/A-Com Technology Solutions	트랜지스터-FET, MOSFET-RF TRANSISTOR GAN 125W 1.2-1.4GHZ 제조업체: M/A-Com Technology Solutions 시리즈: - 트랜지스터 유형: HEMT 주파수: 1.2GHz ~ 1.4GHz 이득: 18.4dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): 4.8A 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 125W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,472
MAGX-001214-250L00 M/A-Com Technology Solutions	트랜지스터-FET, MOSFET-RF TRANSISTOR GAN 250W 1.2-1.4GHZ 제조업체: M/A-Com Technology Solutions 시리즈: - 트랜지스터 유형: HEMT 주파수: 1.2GHz ~ 1.4GHz 이득: 17.6dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): 9A 소음 수치: - 현재-테스트: 250mA 전원-출력: 250W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,514
MAGX-001214-500L00 M/A-Com Technology Solutions	트랜지스터-FET, MOSFET-RF TRANSISTOR GAN 500W 1.2-1.4GHZ 제조업체: M/A-Com Technology Solutions 시리즈: - 트랜지스터 유형: HEMT 주파수: 1.2GHz ~ 1.4GHz 이득: 19.22dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): 18.1A 소음 수치: - 현재-테스트: 400mA 전원-출력: 500W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,618
MAGX-001214-500L0S M/A-Com Technology Solutions	트랜지스터-FET, MOSFET-RF TRANSISTOR GAN 500W 1.2-1.4GHZ 제조업체: M/A-Com Technology Solutions 시리즈: - 트랜지스터 유형: HEMT 주파수: 1.2GHz ~ 1.4GHz 이득: 19.22dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): 18.1A 소음 수치: - 현재-테스트: 400mA 전원-출력: 500W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,064
MAGX-001214-650L00 M/A-Com Technology Solutions	트랜지스터-FET, MOSFET-RF TRANSISTOR GAN 650W 1.2-1.4GHZ 제조업체: M/A-Com Technology Solutions 시리즈: - 트랜지스터 유형: HEMT 주파수: 1.2GHz ~ 1.4GHz 이득: 19.5dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): 27A 소음 수치: - 현재-테스트: 500mA 전원-출력: 500W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,236
MAGX-001220-100L00 M/A-Com Technology Solutions	트랜지스터-FET, MOSFET-RF TRANSISTOR GAN 100W 1.2-2.0GHZ 제조업체: M/A-Com Technology Solutions 시리즈: - 트랜지스터 유형: HEMT 주파수: 1.2GHz ~ 2GHz 이득: 14.8dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): 4.5A 소음 수치: - 현재-테스트: 500mA 전원-출력: 100W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,796
MAGX-002731-030L00 M/A-Com Technology Solutions	트랜지스터-FET, MOSFET-RF TRANSISTOR GAN 30WPK 2.7-3.1GHZ 제조업체: M/A-Com Technology Solutions 시리즈: - 트랜지스터 유형: HEMT 주파수: 2.7GHz ~ 3.1GHz 이득: 11.2dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): 1.5A 소음 수치: - 현재-테스트: 250mA 전원-출력: 30W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,334
MAGX-002731-100L00 M/A-Com Technology Solutions	트랜지스터-FET, MOSFET-RF TRANSISTOR GAN 100W 2.7-3.1GHZ 제조업체: M/A-Com Technology Solutions 시리즈: - 트랜지스터 유형: HEMT 주파수: 2.7GHz ~ 3.1GHz 이득: 12dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): 4.2A 소음 수치: - 현재-테스트: 500mA 전원-출력: 100W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,758
MAGX-002731-180L00 M/A-Com Technology Solutions	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FETS RF GAN HEMT 180W 2.7-3.1GHZ 제조업체: M/A-Com Technology Solutions 시리즈: - 트랜지스터 유형: HEMT 주파수: 2.7GHz ~ 3.1GHz 이득: 11.2dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): 500mA 소음 수치: - 현재-테스트: 500mA 전원-출력: 180W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,250
MAGX-002731-180L0S M/A-Com Technology Solutions	트랜지스터-FET, MOSFET-RF TRANSISTOR RF 180W GAN 제조업체: M/A-Com Technology Solutions 시리즈: - 트랜지스터 유형: HEMT 주파수: 2.7GHz ~ 3.1GHz 이득: 11.8dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): 10A 소음 수치: - 현재-테스트: 500mA 전원-출력: 215W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,706
MAGX-003135-120L00 M/A-Com Technology Solutions	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 3.5GHZ 제조업체: M/A-Com Technology Solutions 시리즈: - 트랜지스터 유형: HEMT 주파수: 3.1GHz ~ 3.5GHz 이득: 11.2dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): 9mA 소음 수치: - 현재-테스트: 300mA 전원-출력: 120W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,586
MAGX-0110087 M/A-Com Technology Solutions	트랜지스터-FET, MOSFET-RF HEMT N-CH 600W 1030-1090MHZ 제조업체: M/A-Com Technology Solutions 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 주파수: - 이득: - 전압-테스트: - 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: - 전압-정격: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,320
MAMG-002735-085L0L M/A-Com Technology Solutions	트랜지스터-FET, MOSFET-RF TRANSISTOR RF 85W GAN 제조업체: M/A-Com Technology Solutions 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 주파수: 2.7GHz ~ 3.5GHz 이득: 25dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): 4.2A 소음 수치: - 현재-테스트: 200mA 전원-출력: 85W 전압-정격: 53V 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,896
MAPG-002729-350L00 M/A-Com Technology Solutions	트랜지스터-FET, MOSFET-RF TRANSISTOR RF 350W GAN 제조업체: M/A-Com Technology Solutions 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 주파수: 2.7GHz ~ 2.9GHz 이득: 11.5dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): 10A 소음 수치: - 현재-테스트: 500mA 전원-출력: 400W 전압-정격: 55V 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,022
MD7P19130HR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 65V 1.99GHZ NI780H-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 1.99GHz 이득: 20dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.25A 전원-출력: 40W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI780-4 공급자 장치 패키지: NI-780-4	재고 있음390
MD7P19130HR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 65V 1.99GHZ NI780H-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 1.99GHz 이득: 20dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.25A 전원-출력: 40W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI780-4 공급자 장치 패키지: NI-780-4	재고 있음7,236
MD7P19130HSR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 65V 1.99GHZ NI780HS-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 1.99GHz 이득: 20dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.25A 전원-출력: 40W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-780S-4 공급자 장치 패키지: NI-780S-4	재고 있음7
MD7P19130HSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 65V 1.99GHZ NI780HS-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 1.99GHz 이득: 20dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.25A 전원-출력: 40W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-780S-4 공급자 장치 패키지: NI-780S-4	재고 있음7,542

MAGX-000040-00500P

M/A-Com Technology Solutions

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF 65V 4GHZ SOT-89

제조업체: M/A-Com Technology Solutions
시리즈: -
트랜지스터 유형: HEMT
주파수: 4GHz
이득: 15.6dB
전압-테스트: 50V
전류 정격 (Amps): 300mA
소음 수치: -
현재-테스트: 17mA
전원-출력: 5W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89

재고 있음6,642

MAGX-000245-014000

M/A-Com Technology Solutions

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

TRANSISTOR RF 14W GAN

제조업체: M/A-Com Technology Solutions
시리즈: -
트랜지스터 유형: HEMT
주파수: 2.5GHz
이득: 15.2dB
전압-테스트: 50V
전류 정격 (Amps): 800mA
소음 수치: -
현재-테스트: 15mA
전원-출력: 14W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,802

MAGX-000245-025000

M/A-Com Technology Solutions

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

TRANSISTOR RF 25W GAN

제조업체: M/A-Com Technology Solutions
시리즈: -
트랜지스터 유형: HEMT
주파수: 2.5GHz
이득: 12dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): 3A
소음 수치: -
현재-테스트: 100mA
전원-출력: 25W
전압-정격: 32V
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,752

MAGX-000912-125L00

M/A-Com Technology Solutions

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

TRANSISTOR GAN 125W 960-1215MHZ

제조업체: M/A-Com Technology Solutions
시리즈: -
트랜지스터 유형: HEMT
주파수: 960MHz ~ 1.215GHz
이득: 18.9dB
전압-테스트: 50V
전류 정격 (Amps): 4A
소음 수치: -
현재-테스트: 100mA
전원-출력: 125W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,752

MAGX-000912-250L00

M/A-Com Technology Solutions

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

TRANSISTOR GAN 250W 960-1215MHZ

제조업체: M/A-Com Technology Solutions
시리즈: -
트랜지스터 유형: HEMT
주파수: -
이득: 18.6dB
전압-테스트: 50V
전류 정격 (Amps): 8.6A
소음 수치: -
현재-테스트: 250mA
전원-출력: 250W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,232

MAGX-000912-500L00

M/A-Com Technology Solutions

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FETS RF GAN 500W 960-1215MHZ

제조업체: M/A-Com Technology Solutions
시리즈: -
트랜지스터 유형: HEMT
주파수: 960MHz ~ 1.215GHz
이득: 20.5dB
전압-테스트: 50V
전류 정격 (Amps): 15.7A
소음 수치: -
현재-테스트: 400mA
전원-출력: 500W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,988

MAGX-000912-500L0S

M/A-Com Technology Solutions

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

TRANSISTOR GAN 960-1215MHZ 500W

제조업체: M/A-Com Technology Solutions
시리즈: -
트랜지스터 유형: HEMT
주파수: 960MHz ~ 1.22GHz
이득: 19.8dB
전압-테스트: 50V
전류 정격 (Amps): 27.3A
소음 수치: -
현재-테스트: 400mA
전원-출력: 500W
전압-정격: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,226

MAGX-000912-650L0S

M/A-Com Technology Solutions

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

TRANSISTOR RF 650W GAN

제조업체: M/A-Com Technology Solutions
시리즈: -
트랜지스터 유형: HEMT
주파수: 960MHz ~ 1.215GHz
이득: 20.5dB
전압-테스트: 50V
전류 정격 (Amps): 33A
소음 수치: -
현재-테스트: 500mA
전원-출력: 650W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,654

MAGX-001090-600L00

M/A-Com Technology Solutions

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

TRANSISTOR GAN 600W

제조업체: M/A-Com Technology Solutions
시리즈: -
트랜지스터 유형: HEMT
주파수: 1.03GHz ~ 1.09GHz
이득: 21.3dB
전압-테스트: 50V
전류 정격 (Amps): 82A
소음 수치: -
현재-테스트: 600mA
전원-출력: 600W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,510

MAGX-001090-600L0S

M/A-Com Technology Solutions

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

TRANSISTOR RF 600W GAN

제조업체: M/A-Com Technology Solutions
시리즈: -
트랜지스터 유형: HEMT
주파수: 1.03GHz ~ 1.09GHz
이득: 21.4dB
전압-테스트: 50V
전류 정격 (Amps): 80A
소음 수치: -
현재-테스트: 600mA
전원-출력: 550W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,112

MAGX-001090-700L00

M/A-Com Technology Solutions

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

TRANSISTOR RF 700W GAN

제조업체: M/A-Com Technology Solutions
시리즈: -
트랜지스터 유형: HEMT
주파수: 1.03GHz ~ 1.09GHz
이득: 20.5dB
전압-테스트: 50V
전류 정격 (Amps): 31A
소음 수치: -
현재-테스트: 500mA
전원-출력: 700W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,838

MAGX-001090-700L0S

M/A-Com Technology Solutions

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

TRANSISTOR RF 700W GAN

제조업체: M/A-Com Technology Solutions
시리즈: -
트랜지스터 유형: HEMT
주파수: 1.03GHz ~ 1.09GHz
이득: 20.5dB
전압-테스트: 50V
전류 정격 (Amps): 31A
소음 수치: -
현재-테스트: 500mA
전원-출력: 700W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,032

MAGX-001214-125L00

M/A-Com Technology Solutions

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

TRANSISTOR GAN 125W 1.2-1.4GHZ

제조업체: M/A-Com Technology Solutions
시리즈: -
트랜지스터 유형: HEMT
주파수: 1.2GHz ~ 1.4GHz
이득: 18.4dB
전압-테스트: 50V
전류 정격 (Amps): 4.8A
소음 수치: -
현재-테스트: 100mA
전원-출력: 125W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,472

MAGX-001214-250L00

M/A-Com Technology Solutions

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

TRANSISTOR GAN 250W 1.2-1.4GHZ

제조업체: M/A-Com Technology Solutions
시리즈: -
트랜지스터 유형: HEMT
주파수: 1.2GHz ~ 1.4GHz
이득: 17.6dB
전압-테스트: 50V
전류 정격 (Amps): 9A
소음 수치: -
현재-테스트: 250mA
전원-출력: 250W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,514

MAGX-001214-500L00

M/A-Com Technology Solutions

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

TRANSISTOR GAN 500W 1.2-1.4GHZ

제조업체: M/A-Com Technology Solutions
시리즈: -
트랜지스터 유형: HEMT
주파수: 1.2GHz ~ 1.4GHz
이득: 19.22dB
전압-테스트: 50V
전류 정격 (Amps): 18.1A
소음 수치: -
현재-테스트: 400mA
전원-출력: 500W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,618

MAGX-001214-500L0S

M/A-Com Technology Solutions

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

TRANSISTOR GAN 500W 1.2-1.4GHZ

제조업체: M/A-Com Technology Solutions
시리즈: -
트랜지스터 유형: HEMT
주파수: 1.2GHz ~ 1.4GHz
이득: 19.22dB
전압-테스트: 50V
전류 정격 (Amps): 18.1A
소음 수치: -
현재-테스트: 400mA
전원-출력: 500W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,064

MAGX-001214-650L00

M/A-Com Technology Solutions

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

TRANSISTOR GAN 650W 1.2-1.4GHZ

제조업체: M/A-Com Technology Solutions
시리즈: -
트랜지스터 유형: HEMT
주파수: 1.2GHz ~ 1.4GHz
이득: 19.5dB
전압-테스트: 50V
전류 정격 (Amps): 27A
소음 수치: -
현재-테스트: 500mA
전원-출력: 500W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,236

MAGX-001220-100L00

M/A-Com Technology Solutions

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

TRANSISTOR GAN 100W 1.2-2.0GHZ

제조업체: M/A-Com Technology Solutions
시리즈: -
트랜지스터 유형: HEMT
주파수: 1.2GHz ~ 2GHz
이득: 14.8dB
전압-테스트: 50V
전류 정격 (Amps): 4.5A
소음 수치: -
현재-테스트: 500mA
전원-출력: 100W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,796

MAGX-002731-030L00

M/A-Com Technology Solutions

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

TRANSISTOR GAN 30WPK 2.7-3.1GHZ

제조업체: M/A-Com Technology Solutions
시리즈: -
트랜지스터 유형: HEMT
주파수: 2.7GHz ~ 3.1GHz
이득: 11.2dB
전압-테스트: 50V
전류 정격 (Amps): 1.5A
소음 수치: -
현재-테스트: 250mA
전원-출력: 30W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,334

MAGX-002731-100L00

M/A-Com Technology Solutions

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

TRANSISTOR GAN 100W 2.7-3.1GHZ

제조업체: M/A-Com Technology Solutions
시리즈: -
트랜지스터 유형: HEMT
주파수: 2.7GHz ~ 3.1GHz
이득: 12dB
전압-테스트: 50V
전류 정격 (Amps): 4.2A
소음 수치: -
현재-테스트: 500mA
전원-출력: 100W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,758

MAGX-002731-180L00

M/A-Com Technology Solutions

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FETS RF GAN HEMT 180W 2.7-3.1GHZ

제조업체: M/A-Com Technology Solutions
시리즈: -
트랜지스터 유형: HEMT
주파수: 2.7GHz ~ 3.1GHz
이득: 11.2dB
전압-테스트: 50V
전류 정격 (Amps): 500mA
소음 수치: -
현재-테스트: 500mA
전원-출력: 180W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,250

MAGX-002731-180L0S

M/A-Com Technology Solutions

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

TRANSISTOR RF 180W GAN

제조업체: M/A-Com Technology Solutions
시리즈: -
트랜지스터 유형: HEMT
주파수: 2.7GHz ~ 3.1GHz
이득: 11.8dB
전압-테스트: 50V
전류 정격 (Amps): 10A
소음 수치: -
현재-테스트: 500mA
전원-출력: 215W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,706

MAGX-003135-120L00

M/A-Com Technology Solutions

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF 65V 3.5GHZ

제조업체: M/A-Com Technology Solutions
시리즈: -
트랜지스터 유형: HEMT
주파수: 3.1GHz ~ 3.5GHz
이득: 11.2dB
전압-테스트: 50V
전류 정격 (Amps): 9mA
소음 수치: -
현재-테스트: 300mA
전원-출력: 120W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,586

MAGX-0110087

M/A-Com Technology Solutions

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

HEMT N-CH 600W 1030-1090MHZ

제조업체: M/A-Com Technology Solutions
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
주파수: -
이득: -
전압-테스트: -
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: -
전원-출력: -
전압-정격: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,320

MAMG-002735-085L0L

M/A-Com Technology Solutions

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

TRANSISTOR RF 85W GAN

제조업체: M/A-Com Technology Solutions
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
주파수: 2.7GHz ~ 3.5GHz
이득: 25dB
전압-테스트: 50V
전류 정격 (Amps): 4.2A
소음 수치: -
현재-테스트: 200mA
전원-출력: 85W
전압-정격: 53V
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,896

MAPG-002729-350L00

M/A-Com Technology Solutions

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

TRANSISTOR RF 350W GAN

제조업체: M/A-Com Technology Solutions
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
주파수: 2.7GHz ~ 2.9GHz
이득: 11.5dB
전압-테스트: 50V
전류 정격 (Amps): 10A
소음 수치: -
현재-테스트: 500mA
전원-출력: 400W
전압-정격: 55V
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,022

MD7P19130HR3

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF 2CH 65V 1.99GHZ NI780H-4

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual)
주파수: 1.99GHz
이득: 20dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: 1.25A
전원-출력: 40W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: NI780-4
공급자 장치 패키지: NI-780-4

재고 있음390

MD7P19130HR5

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF 2CH 65V 1.99GHZ NI780H-4

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual)
주파수: 1.99GHz
이득: 20dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: 1.25A
전원-출력: 40W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: NI780-4
공급자 장치 패키지: NI-780-4

재고 있음7,236

MD7P19130HSR3

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF 2CH 65V 1.99GHZ NI780HS-4

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual)
주파수: 1.99GHz
이득: 20dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: 1.25A
전원-출력: 40W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: NI-780S-4
공급자 장치 패키지: NI-780S-4

재고 있음7

MD7P19130HSR5

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF 2CH 65V 1.99GHZ NI780HS-4

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual)
주파수: 1.99GHz
이득: 20dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: 1.25A
전원-출력: 40W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: NI-780S-4
공급자 장치 패키지: NI-780S-4

재고 있음7,542

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