트랜지스터

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부품 번호	설명	재고 있음
MMRF1304GNR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 133V 512MHZ TO270-2 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 512MHz 이득: 25.4dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 10mA 전원-출력: 25W 전압-정격: 133V 패키지 / 케이스: TO-270BA 공급자 장치 패키지: TO-270-2 GULL	재고 있음3,690
MMRF1304LR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 133V 512MHZ NI-360 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 512MHz 이득: 25.9dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 10mA 전원-출력: 25W 전압-정격: 133V 패키지 / 케이스: NI-360 공급자 장치 패키지: NI-360	재고 있음2,214
MMRF1304NR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 133V 512MHZ TO270-2 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 512MHz 이득: 25.4dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 10mA 전원-출력: 25W 전압-정격: 133V 패키지 / 케이스: TO-270AA 공급자 장치 패키지: TO-270-2	재고 있음2,664
MMRF1305HR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 133V 512MHZ NI-780-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 512MHz 이득: 26dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 100W 전압-정격: 133V 패키지 / 케이스: NI780-4 공급자 장치 패키지: NI-780-4	재고 있음6,768
MMRF1305HSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 133V 512MHZ NI780S-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 512MHz 이득: 26dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 100W 전압-정격: 133V 패키지 / 케이스: NI-780S-4 공급자 장치 패키지: NI-780S-4	재고 있음7,272
MMRF1306HR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 230MHz 이득: 24dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 1250W 전압-정격: 133V 패키지 / 케이스: SOT-979A 공급자 장치 패키지: NI-1230-4H	재고 있음4,446
MMRF1306HSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 230MHz 이득: 24dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 1250W 전압-정격: 133V 패키지 / 케이스: NI-1230-4S 공급자 장치 패키지: NI-1230-4S	재고 있음4,680
MMRF1308HR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 133V 230MHZ NI1230 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 230MHz 이득: 25dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 600W 전압-정격: 133V 패키지 / 케이스: SOT-979A 공급자 장치 패키지: NI-1230-4H	재고 있음6,624
MMRF1308HSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 133V 230MHZ 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 230MHz 이득: 25dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 600W 전압-정격: 133V 패키지 / 케이스: NI-1230-4S 공급자 장치 패키지: NI-1230-4S	재고 있음6,840
MMRF1310HR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 133V 230MHZ NI780 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 230MHz 이득: 26.5dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 300W 전압-정격: 133V 패키지 / 케이스: NI780-4 공급자 장치 패키지: NI-780-4	재고 있음7,398
MMRF1310HSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 133V 230MHZ 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 230MHz 이득: 26.5dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 300W 전압-정격: 133V 패키지 / 케이스: NI-780S-4 공급자 장치 패키지: NI-780S-4	재고 있음4,914
MMRF1311HR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF TRANS 470-860MHZ 600W 50V 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 470MHz ~ 860MHz 이득: 20dB 전압-테스트: - 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: 140W 전압-정격: 50V 패키지 / 케이스: SOT-979A 공급자 장치 패키지: NI-1230-4H	재고 있음6,174
MMRF1312GSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF TRANS 960-1215MHZ 1000W PEAK 50V 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 1.03GHz 이득: 19.6dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 1000W 전압-정격: 112V 패키지 / 케이스: NI-1230-4S GW 공급자 장치 패키지: NI-1230-4S GULL	재고 있음6,480
MMRF1312HR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF TRANS 900-1215MHZ 1000W PEAK 50V 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 1.03GHz 이득: 19.6dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 1000W 전압-정격: 112V 패키지 / 케이스: SOT-979A 공급자 장치 패키지: NI-1230-4H	재고 있음2,916
MMRF1312HSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF TRANS 960-1215MHZ 1000W PEAK 50V 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 1.034GHz 이득: 19.6dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 1000W 전압-정격: 112V 패키지 / 케이스: NI-1230-4S 공급자 장치 패키지: NI-1230-4S	재고 있음5,076
MMRF1314GSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF TRANS 960-1215MHZ 1000W PEAK 50V 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 1.4GHz 이득: 17.7dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 1000W 전압-정격: 105V 패키지 / 케이스: NI-1230-4S GW 공급자 장치 패키지: NI-1230-4S GULL	재고 있음8,208
MMRF1314HR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF TRANS 960-1215MHZ 1000W PEAK 50V 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 1.4GHz 이득: 17.7dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 1000W 전압-정격: 105V 패키지 / 케이스: SOT-979A 공급자 장치 패키지: NI-1230-4H	재고 있음7,002
MMRF1314HSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF TRANS RF FET 1.4GHZ 1000W 52V 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 1.4GHz 이득: 17.7dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 500mA 전원-출력: 1000W 전압-정격: 105V 패키지 / 케이스: NI-1230-4S 공급자 장치 패키지: NI-1230-4S	재고 있음6,552
MMRF1315NR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 66V 880MHZ TO270 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 880MHz 이득: 21.1dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 450mA 전원-출력: 14W 전압-정격: 66V 패키지 / 케이스: TO-270-2 공급자 장치 패키지: TO-270-2	재고 있음8,244
MMRF1316NR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 133V 230MHZ TO270 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 230MHz 이득: 27dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 300W 전압-정격: 133V 패키지 / 케이스: TO-270-4 공급자 장치 패키지: TO-270 WB-4	재고 있음6,984
MMRF1317HR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF TRANS 1030MHZ 1550W PEAK 50V 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 1.03GHz 이득: 18.2dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 1300W 전압-정격: 105V 패키지 / 케이스: SOT-979A 공급자 장치 패키지: NI-1230-4H	재고 있음7,290
MMRF1317HSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF TRANS 1030MHZ 1550W PEAK 50V 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 1.03GHz 이득: 18.2dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 1300W 전압-정격: 105V 패키지 / 케이스: NI-1230-4S 공급자 장치 패키지: NI-1230-4S	재고 있음5,706
MMRF1318NR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 110V 450MHZ 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 450MHz 이득: 22dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 900mA 전원-출력: 300W 전압-정격: 110V 패키지 / 케이스: TO-270-4 공급자 장치 패키지: TO-270 WB-4	재고 있음4,410
MMRF1320GNR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF TRANS 1.8--600MHZ 150W CW 50V 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 230MHz 이득: 26.1dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 150W 전압-정격: 133V 패키지 / 케이스: TO-270BB 공급자 장치 패키지: TO-270 WB-4 Gull	재고 있음4,410
MMRF1320NR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF TRANS 1.8--600MHZ 150W CW 50V 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 230MHz 이득: 26.1dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 150W 전압-정격: 133V 패키지 / 케이스: TO-270-4 공급자 장치 패키지: TO-270 WB-4	재고 있음8,046
MMRF2004NBR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.7GHZ TO-272 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.7GHz 이득: 28.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 77mA 전원-출력: 4W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: TO-272-16 Variant, Flat Leads 공급자 장치 패키지: TO-272 WB-16	재고 있음4,176
MMRF2005NR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 940MHZ 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 940MHz 이득: 35.9dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 106mA 전원-출력: 3.2W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: TO-270-16 Variant, Flat Leads 공급자 장치 패키지: TO-270 WBL-16	재고 있음7,398
MMRF2007GNR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RF LDMOS WIDEBAND INTEGRATED POW 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 주파수: - 이득: - 전압-테스트: - 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: - 전압-정격: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,416
MMRF2007NR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 70V 940MHZ 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 940MHz 이득: 32.6dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 60mA 전원-출력: 35W 전압-정격: 70V 패키지 / 케이스: TO-270-16 Variant, Flat Leads 공급자 장치 패키지: TO-270 WBL-16	재고 있음3,888
MMRF2010GNR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF TRANS RF LDMOS 250W 50V 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.09GHz 이득: 32.1dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 80mA 전원-출력: 250W 전압-정격: 100V 패키지 / 케이스: TO-270-14 Variant, Gull Wing 공급자 장치 패키지: TO-270 WB-14 GULL	재고 있음2,754

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