트랜지스터

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부품 번호	설명	재고 있음
MRF19030LR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 1.96GHZ NI-400 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.96GHz 이득: 13dB 전압-테스트: 26V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 300mA 전원-출력: 30W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-400 공급자 장치 패키지: NI-400	재고 있음7,704
MRF19030LSR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 1.96GHZ NI-400S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.96GHz 이득: 13dB 전압-테스트: 26V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 300mA 전원-출력: 30W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-400S 공급자 장치 패키지: NI-400S	재고 있음8,046
MRF19030LSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 1.96GHZ NI-400S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.96GHz 이득: 13dB 전압-테스트: 26V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 300mA 전원-출력: 30W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-400S 공급자 장치 패키지: NI-400S	재고 있음7,128
MRF19045LR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 1.93GHZ NI-400 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.93GHz 이득: 14.5dB 전압-테스트: 26V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 550mA 전원-출력: 9.5W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-400 공급자 장치 패키지: NI-400-240	재고 있음3,420
MRF19045LR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 1.93GHZ NI-400 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.93GHz 이득: 14.5dB 전압-테스트: 26V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 550mA 전원-출력: 9.5W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-400 공급자 장치 패키지: NI-400-240	재고 있음2,430
MRF19045LSR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 1.93GHZ NI-400S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.93GHz 이득: 14.5dB 전압-테스트: 26V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 550mA 전원-출력: 9.5W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-400S 공급자 장치 패키지: NI-400S-240	재고 있음6,696
MRF19045LSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 1.93GHZ NI-400S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.93GHz 이득: 14.5dB 전압-테스트: 26V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 550mA 전원-출력: 9.5W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-400S 공급자 장치 패키지: NI-400S-240	재고 있음5,310
MRF19085LR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 1.99GHZ NI-780 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.93GHz ~ 1.99GHz 이득: 13dB 전압-테스트: 26V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 850mA 전원-출력: 18W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: SOT-957A 공급자 장치 패키지: NI-780H-2L	재고 있음6,066
MRF19085LR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 1.99GHZ NI-780 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.93GHz ~ 1.99GHz 이득: 13dB 전압-테스트: 26V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 850mA 전원-출력: 18W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: SOT-957A 공급자 장치 패키지: NI-780H-2L	재고 있음5,814
MRF19085LSR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 1.99GHZ NI-780S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.93GHz ~ 1.99GHz 이득: 13dB 전압-테스트: 26V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 850mA 전원-출력: 18W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-780S 공급자 장치 패키지: NI-780S	재고 있음2,196
MRF19090SR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 1.93GHZ NI-880S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.93GHz 이득: 11.5dB 전압-테스트: 26V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 750mA 전원-출력: 90W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-880S 공급자 장치 패키지: NI-880S	재고 있음2,142
MRF19125R3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 1.93GHZ NI-880 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.93GHz 이득: 13.5dB 전압-테스트: 26V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.3A 전원-출력: 24W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-880 공급자 장치 패키지: NI-880	재고 있음8,370
MRF19125R5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 1.93GHZ NI-880 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.93GHz 이득: 13.5dB 전압-테스트: 26V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.3A 전원-출력: 24W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-880 공급자 장치 패키지: NI-880	재고 있음8,064
MRF1K50GNR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSIST 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.8MHz ~ 500MHz 이득: 23dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: 1500W 전압-정격: 50V 패키지 / 케이스: OM-1230G-4L 공급자 장치 패키지: OM-1230G-4L	재고 있음8,586
MRF1K50HR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF HIGH POWER RF TRANSISTOR 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.8MHz ~ 500MHz 이득: 22.5dB 전압-테스트: - 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: 1500W 전압-정격: 50V 패키지 / 케이스: SOT-979A 공급자 장치 패키지: NI-1230-4H	재고 있음4,734
MRF1K50H-TF5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MRF1K50H-TF5 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 1.8MHz ~ 500MHz 이득: 23.7dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): 20µA 소음 수치: - 현재-테스트: 200mA 전원-출력: 1500W 전압-정격: 135V 패키지 / 케이스: SOT-979A 공급자 장치 패키지: NI-1230-4H	재고 있음6,192
MRF1K50NR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSIST 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.8MHz ~ 500MHz 이득: 23dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: 1500W 전압-정격: 50V 패키지 / 케이스: OM-1230-4L 공급자 장치 패키지: OM-1230-4L	재고 있음7,920
MRF1K50N-TF1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MRF1K50N-TF1 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.8MHz ~ 500MHz 이득: 23dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: - 전압-정격: 133V 패키지 / 케이스: OM-1230-4L 공급자 장치 패키지: OM-1230-4L	재고 있음3,546
MRF1K50N-TF4 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MRF1K50N-TF4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.8MHz ~ 500MHz 이득: 23dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: - 전압-정격: 133V 패키지 / 케이스: OM-1230-4L 공급자 장치 패키지: OM-1230-4L	재고 있음6,156
MRF21010LR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.17GHZ NI-360 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.17GHz 이득: 13.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 10W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-360 공급자 장치 패키지: NI-360	재고 있음5,814
MRF21010LR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.17GHZ NI-360 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.11GHz ~ 2.17GHz 이득: 13.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 10W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-360 공급자 장치 패키지: NI-360	재고 있음7,722
MRF21010LSR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.17GHZ NI-360S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.17GHz 이득: 13.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 10W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-360S 공급자 장치 패키지: NI-360S	재고 있음1,453
MRF21010LSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.17GHZ NI-360S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.17GHz 이득: 13.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 10W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-360S 공급자 장치 패키지: NI-360S	재고 있음5,544
MRF21030LR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.14GHZ NI-400 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.14GHz 이득: 13dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 250mA 전원-출력: 30W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-400 공급자 장치 패키지: NI-400	재고 있음7,398
MRF21030LR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.14GHZ NI-400 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.14GHz 이득: 13dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 250mA 전원-출력: 30W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-400 공급자 장치 패키지: NI-400	재고 있음6,372
MRF21045LR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.17GHZ NI-400 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.17GHz 이득: 15dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 500mA 전원-출력: 10W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-400 공급자 장치 패키지: NI-400-240	재고 있음6,444
MRF21045LR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.17GHZ NI-400 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.16GHz ~ 2.17GHz 이득: 15dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 500mA 전원-출력: 10W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-400 공급자 장치 패키지: NI-400	재고 있음3,636
MRF21045LSR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.17GHZ NI-400S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.17GHz 이득: 15dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 500mA 전원-출력: 10W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-400S 공급자 장치 패키지: NI-400S	재고 있음3,294
MRF21045LSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.17GHZ NI-400S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.16GHz ~ 2.17GHz 이득: 15dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 500mA 전원-출력: 10W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-400S 공급자 장치 패키지: NI-400S	재고 있음3,456
MRF21085LSR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.17GHZ NI-780S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.11GHz ~ 2.17GHz 이득: 13.6dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1A 전원-출력: 19W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-780S 공급자 장치 패키지: NI-780S	재고 있음4,842

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