트랜지스터

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부품 번호	설명	재고 있음
MRF5S21100HSR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.17GHZ NI-780S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.16GHz ~ 2.17GHz 이득: 13.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.05A 전원-출력: 23W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-780S 공급자 장치 패키지: NI-780S	재고 있음6,732
MRF5S21100HSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.17GHZ NI-780S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.16GHz ~ 2.17GHz 이득: 13.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.05A 전원-출력: 23W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-780S 공급자 장치 패키지: NI-780S	재고 있음8,532
MRF5S21130HR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.17GHZ NI-880 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.11GHz ~ 2.17GHz 이득: 13.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.2A 전원-출력: 28W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-880 공급자 장치 패키지: NI-880	재고 있음8,010
MRF5S21130HR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.17GHZ NI-880 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.11GHz ~ 2.17GHz 이득: 13.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.2A 전원-출력: 28W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-880 공급자 장치 패키지: NI-880	재고 있음6,624
MRF5S21130HSR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.17GHZ NI-880S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.11GHz ~ 2.17GHz 이득: 13.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.2A 전원-출력: 28W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-880S 공급자 장치 패키지: NI-880S	재고 있음3,186
MRF5S21130HSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.17GHZ NI-880S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.11GHz ~ 2.17GHz 이득: 13.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.2A 전원-출력: 28W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-880S 공급자 장치 패키지: NI-880S	재고 있음3,114
MRF5S21150HR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.17GHZ NI-880 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.11GHz ~ 2.17GHz 이득: 12.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.3A 전원-출력: 33W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-880 공급자 장치 패키지: NI-880	재고 있음4,680
MRF5S21150HR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.17GHZ NI-880 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.11GHz ~ 2.17GHz 이득: 12.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.3A 전원-출력: 33W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-880 공급자 장치 패키지: NI-880	재고 있음6,120
MRF5S21150HSR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.17GHZ NI-880S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.11GHz ~ 2.17GHz 이득: 12.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.3A 전원-출력: 33W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-880S 공급자 장치 패키지: NI-880S	재고 있음4,338
MRF5S21150HSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.17GHZ NI-880S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.11GHz ~ 2.17GHz 이득: 12.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.3A 전원-출력: 33W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-880S 공급자 장치 패키지: NI-880S	재고 있음7,704
MRF5S4125NBR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 465MHZ TO-272-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 465MHz 이득: 23dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.1A 전원-출력: 25W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: TO-272BB 공급자 장치 패키지: TO-272 WB-4	재고 있음7,470
MRF5S4125NR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 465MHZ TO-270-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 465MHz 이득: 23dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.1A 전원-출력: 25W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: TO-270AB 공급자 장치 패키지: TO-270 WB-4	재고 있음7,236
MRF5S4140HR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 465MHZ NI-780 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 465MHz 이득: 21dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.25A 전원-출력: 28W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: SOT-957A 공급자 장치 패키지: NI-780H-2L	재고 있음6,696
MRF5S4140HR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 465MHZ NI-780 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 465MHz 이득: 21dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.25A 전원-출력: 28W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: SOT-957A 공급자 장치 패키지: NI-780H-2L	재고 있음5,904
MRF5S4140HSR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 465MHZ NI-780S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 465MHz 이득: 21dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.25A 전원-출력: 28W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-780S 공급자 장치 패키지: NI-780S	재고 있음8,946
MRF5S4140HSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 465MHZ NI-780S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 465MHz 이득: 21dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.25A 전원-출력: 28W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-780S 공급자 장치 패키지: NI-780S	재고 있음8,820
MRF5S9070MR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 68V 880MHZ TO-270-2 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 880MHz 이득: 17.8dB 전압-테스트: 26V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 600mA 전원-출력: 14W 전압-정격: 68V 패키지 / 케이스: TO-270-2 공급자 장치 패키지: TO-270-2	재고 있음8,946
MRF5S9070NR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 68V 880MHZ TO-270-2 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 880MHz 이득: 17.8dB 전압-테스트: 26V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 600mA 전원-출력: 14W 전압-정격: 68V 패키지 / 케이스: TO-270AA 공급자 장치 패키지: TO-270-2	재고 있음5,184
MRF5S9070NR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 68V 880MHZ TO-270-2 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 880MHz 이득: 17.8dB 전압-테스트: 26V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 600mA 전원-출력: 14W 전압-정격: 68V 패키지 / 케이스: TO-270AA 공급자 장치 패키지: TO-270-2	재고 있음7,614
MRF5S9080NBR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 960MHZ TO-272-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 960MHz 이득: 18.5dB 전압-테스트: 26V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 600mA 전원-출력: 80W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: TO-272BB 공급자 장치 패키지: TO-272 WB-4	재고 있음2,412
MRF5S9080NR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 960MHZ TO-270-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 960MHz 이득: 18.5dB 전압-테스트: 26V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 600mA 전원-출력: 80W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: TO-270AB 공급자 장치 패키지: TO-270 WB-4	재고 있음3,546
MRF5S9100MBR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 68V 880MHZ TO-272-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 880MHz 이득: 19.5dB 전압-테스트: 26V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 950mA 전원-출력: 20W 전압-정격: 68V 패키지 / 케이스: TO-272BB 공급자 장치 패키지: TO-272 WB-4	재고 있음4,842
MRF5S9100MR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 68V 880MHZ TO-270-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 880MHz 이득: 19.5dB 전압-테스트: 26V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 950mA 전원-출력: 20W 전압-정격: 68V 패키지 / 케이스: TO-270AB 공급자 장치 패키지: TO-270 WB-4	재고 있음6,750
MRF5S9100NBR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 68V 880MHZ TO-272-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 880MHz 이득: 19.5dB 전압-테스트: 26V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 950mA 전원-출력: 20W 전압-정격: 68V 패키지 / 케이스: TO-272BB 공급자 장치 패키지: TO-272 WB-4	재고 있음5,922
MRF5S9100NR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 68V 880MHZ TO-270-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 880MHz 이득: 19.5dB 전압-테스트: 26V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 950mA 전원-출력: 20W 전압-정격: 68V 패키지 / 케이스: TO-270AB 공급자 장치 패키지: TO-270 WB-4	재고 있음8,352
MRF5S9101MBR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 68V 960MHZ TO2724 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 960MHz 이득: 17.5dB 전압-테스트: 26V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 700mA 전원-출력: 100W 전압-정격: 68V 패키지 / 케이스: TO-272BB 공급자 장치 패키지: TO-272 WB-4	재고 있음5,814
MRF5S9101MR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 68V 960MHZ TO2704 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 960MHz 이득: 17.5dB 전압-테스트: 26V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 700mA 전원-출력: 100W 전압-정격: 68V 패키지 / 케이스: TO-270AB 공급자 장치 패키지: TO-270 WB-4	재고 있음8,442
MRF5S9101NBR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 68V 960MHZ TO-272-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 960MHz 이득: 17.5dB 전압-테스트: 26V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 700mA 전원-출력: 100W 전압-정격: 68V 패키지 / 케이스: TO-272BB 공급자 장치 패키지: TO-272 WB-4	재고 있음3,654
MRF5S9101NR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 68V 960MHZ TO-270-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 960MHz 이득: 17.5dB 전압-테스트: 26V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 700mA 전원-출력: 100W 전압-정격: 68V 패키지 / 케이스: TO-270AB 공급자 장치 패키지: TO-270 WB-4	재고 있음5,058
MRF5S9150HR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 68V 880MHZ NI-780 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 880MHz 이득: 19.7dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.5A 전원-출력: 33W 전압-정격: 68V 패키지 / 케이스: SOT-957A 공급자 장치 패키지: NI-780H-2L	재고 있음4,248

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