트랜지스터

기록 64,903

페이지 906/2164

부품 번호	설명	재고 있음
MRF5S9150HR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 68V 880MHZ NI-780S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 880MHz 이득: 19.7dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.5A 전원-출력: 33W 전압-정격: 68V 패키지 / 케이스: SOT-957A 공급자 장치 패키지: NI-780H-2L	재고 있음3,294
MRF5S9150HSR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 68V 880MHZ NI-780 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 880MHz 이득: 19.7dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.5A 전원-출력: 33W 전압-정격: 68V 패키지 / 케이스: SOT-957A 공급자 장치 패키지: NI-780H-2L	재고 있음7,560
MRF5S9150HSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 68V 880MHZ NI-780S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 880MHz 이득: 19.7dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.5A 전원-출력: 33W 전압-정격: 68V 패키지 / 케이스: NI-780S 공급자 장치 패키지: NI-780S	재고 있음7,434
MRF6P18190HR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 68V 1.88GHZ NI-1230 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.88GHz 이득: 15.9dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 2A 전원-출력: 44W 전압-정격: 68V 패키지 / 케이스: NI-1230 공급자 장치 패키지: NI-1230	재고 있음2,160
MRF6P18190HR6 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 68V 1.88GHZ NI-1230 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.88GHz 이득: 15.9dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 2A 전원-출력: 44W 전압-정격: 68V 패키지 / 케이스: NI-1230 공급자 장치 패키지: NI-1230	재고 있음3,402
MRF6P21190HR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 68V 2.12GHZ NI-1230 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.12GHz 이득: 15.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.9A 전원-출력: 44W 전압-정격: 68V 패키지 / 케이스: NI-1230 공급자 장치 패키지: NI-1230	재고 있음7,272
MRF6P21190HR6 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 68V 2.12GHZ NI-1230 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.12GHz 이득: 15.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.9A 전원-출력: 44W 전압-정격: 68V 패키지 / 케이스: NI-1230 공급자 장치 패키지: NI-1230	재고 있음4,536
MRF6P23190HR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 68V 2.39GHZ NI-1230 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.39GHz 이득: 14dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.9A 전원-출력: 40W 전압-정격: 68V 패키지 / 케이스: NI-1230 공급자 장치 패키지: NI-1230	재고 있음260
MRF6P23190HR6 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 68V 2.39GHZ NI-1230 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.39GHz 이득: 14dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.9A 전원-출력: 40W 전압-정격: 68V 패키지 / 케이스: NI-1230 공급자 장치 패키지: NI-1230	재고 있음7,614
MRF6P24190HR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 68V 2.39GHZ NI-1230 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.39GHz 이득: 14dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.9A 전원-출력: 40W 전압-정격: 68V 패키지 / 케이스: NI-1230 공급자 장치 패키지: NI-1230	재고 있음7,110
MRF6P24190HR6 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 68V 2.39GHZ NI-1230 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.39GHz 이득: 14dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.9A 전원-출력: 40W 전압-정격: 68V 패키지 / 케이스: NI-1230 공급자 장치 패키지: NI-1230	재고 있음8,316
MRF6P27160HR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 68V 2.66GHZ NI-1230 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.66GHz 이득: 14.6dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.8A 전원-출력: 35W 전압-정격: 68V 패키지 / 케이스: NI-1230 공급자 장치 패키지: NI-1230	재고 있음7,398
MRF6P27160HR6 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 68V 2.66GHZ NI-1230 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.66GHz 이득: 14.6dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.8A 전원-출력: 35W 전압-정격: 68V 패키지 / 케이스: NI-1230 공급자 장치 패키지: NI-1230	재고 있음7,974
MRF6P3300HR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 68V 863MHZ NI-860C3 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 857MHz ~ 863MHz 이득: 20.2dB 전압-테스트: 32V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.6A 전원-출력: 270W 전압-정격: 68V 패키지 / 케이스: NI-860C3 공급자 장치 패키지: NI-860C3	재고 있음3,204
MRF6P3300HR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 68V 863MHZ NI-860C3 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 857MHz ~ 863MHz 이득: 20.2dB 전압-테스트: 32V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.6A 전원-출력: 270W 전압-정격: 68V 패키지 / 케이스: NI-860C3 공급자 장치 패키지: NI-860C3	재고 있음8,406
MRF6P9220HR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 68V 880MHZ NI-860C3 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 880MHz 이득: 20dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.6A 전원-출력: 47W 전압-정격: 68V 패키지 / 케이스: NI-860C3 공급자 장치 패키지: NI-860C3	재고 있음35
MRF6P9220HR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 68V 880MHZ NI-860C3 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 880MHz 이득: 20dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.6A 전원-출력: 47W 전압-정격: 68V 패키지 / 케이스: NI-860C3 공급자 장치 패키지: NI-860C3	재고 있음2,970
MRF6S18060NBR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 68V 1.99GHZ TO272-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.99GHz 이득: 15dB 전압-테스트: 26V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 600mA 전원-출력: 60W 전압-정격: 68V 패키지 / 케이스: TO-272BB 공급자 장치 패키지: TO-272 WB-4	재고 있음4,248
MRF6S18060NR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 68V 1.99GHZ TO270-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.99GHz 이득: 15dB 전압-테스트: 26V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 600mA 전원-출력: 60W 전압-정격: 68V 패키지 / 케이스: TO-270AB 공급자 장치 패키지: TO-270 WB-4	재고 있음5,958
MRF6S18100NBR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 68V 1.99GHZ TO2724 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.99GHz 이득: 14.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 900mA 전원-출력: 100W 전압-정격: 68V 패키지 / 케이스: TO-272BB 공급자 장치 패키지: TO-272 WB-4	재고 있음7,380
MRF6S18100NR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 68V 1.99GHZ TO2704 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.99GHz 이득: 14.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 900mA 전원-출력: 100W 전압-정격: 68V 패키지 / 케이스: TO-270AB 공급자 장치 패키지: TO-270 WB-4	재고 있음6,642
MRF6S18140HR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 68V 1.88GHZ NI880 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.88GHz 이득: 16dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.2A 전원-출력: 29W 전압-정격: 68V 패키지 / 케이스: NI-880 공급자 장치 패키지: NI-880	재고 있음3,168
MRF6S18140HR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 68V 1.88GHZ NI880 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.88GHz 이득: 16dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.2A 전원-출력: 29W 전압-정격: 68V 패키지 / 케이스: NI-880 공급자 장치 패키지: NI-880	재고 있음3,402
MRF6S18140HSR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 68V 1.88GHZ NI880S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.88GHz 이득: 16dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.2A 전원-출력: 29W 전압-정격: 68V 패키지 / 케이스: NI-880S 공급자 장치 패키지: NI-880S	재고 있음6,372
MRF6S18140HSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 68V 1.88GHZ NI880S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.88GHz 이득: 16dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.2A 전원-출력: 29W 전압-정격: 68V 패키지 / 케이스: NI-880S 공급자 장치 패키지: NI-880S	재고 있음8,370
MRF6S19060GNR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 68V 1.93GHZ TO-270-2 GW 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.93GHz 이득: 16dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 610mA 전원-출력: 12W 전압-정격: 68V 패키지 / 케이스: TO-270BA 공급자 장치 패키지: TO-270-2 GULL	재고 있음8,190
MRF6S19060MBR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 68V 1.93GHZ TO272-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.93GHz 이득: 16dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 610mA 전원-출력: 12W 전압-정격: 68V 패키지 / 케이스: TO-272-4 공급자 장치 패키지: TO-272 WB-4	재고 있음3,168
MRF6S19060MR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 68V 1.93GHZ TO270-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.93GHz 이득: 16dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 610mA 전원-출력: 12W 전압-정격: 68V 패키지 / 케이스: TO-270-4 공급자 장치 패키지: TO-270 WB-4	재고 있음8,730
MRF6S19060NBR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 68V 1.93GHZ TO272-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.93GHz 이득: 16dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 610mA 전원-출력: 12W 전압-정격: 68V 패키지 / 케이스: TO-272BB 공급자 장치 패키지: TO-272 WB-4	재고 있음8,928
MRF6S19060NR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 68V 1.93GHZ TO270-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.93GHz 이득: 16dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 610mA 전원-출력: 12W 전압-정격: 68V 패키지 / 케이스: TO-270AB 공급자 장치 패키지: TO-270 WB-4	재고 있음8,712

«
‹
1
...
903
904
905
906 (current)
907
908
909
...
2164
›
»

Send Message

Certifications

트랜지스터

자원

지원

Social Media

Need Help?
Send Message