트랜지스터

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부품 번호	설명	재고 있음
MRF5S19060MBR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 1.99GHZ TO-272-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.93GHz ~ 1.99GHz 이득: 14dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 750mA 전원-출력: 12W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: TO-272BB 공급자 장치 패키지: TO-272 WB-4	재고 있음5,166
MRF5S19060MR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 1.99GHZ TO-270-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.93GHz ~ 1.99GHz 이득: 14dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 750mA 전원-출력: 12W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: TO-270AB 공급자 장치 패키지: TO-270 WB-4	재고 있음7,686
MRF5S19060NBR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 1.99GHZ TO-272-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.99GHz 이득: 14dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 750mA 전원-출력: 12W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: TO-272BB 공급자 장치 패키지: TO-272 WB-4	재고 있음8,442
MRF5S19060NR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 1.99GHZ TO-270-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.99GHz 이득: 14dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 750mA 전원-출력: 12W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: TO-270AB 공급자 장치 패키지: TO-270 WB-4	재고 있음2,358
MRF5S19090HR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 1.99GHZ NI-780 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.93GHz ~ 1.99GHz 이득: 14.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 850mA 전원-출력: 18W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-780 공급자 장치 패키지: NI-780	재고 있음7,506
MRF5S19090HR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 1.99GHZ NI-780 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.93GHz ~ 1.99GHz 이득: 14.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 850mA 전원-출력: 18W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-780 공급자 장치 패키지: NI-780	재고 있음3,924
MRF5S19090HSR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 1.99GHZ NI-780S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.93GHz ~ 1.99GHz 이득: 14.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 850mA 전원-출력: 18W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-780S 공급자 장치 패키지: NI-780S	재고 있음2,556
MRF5S19090HSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 1.99GHZ NI-780S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.93GHz ~ 1.99GHz 이득: 14.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 850mA 전원-출력: 18W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-780S 공급자 장치 패키지: NI-780S	재고 있음7,416
MRF5S19100HR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 1.99GHZ NI-780 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.93GHz ~ 1.99GHz 이득: 13.9dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1A 전원-출력: 22W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-780 공급자 장치 패키지: NI-780	재고 있음7,470
MRF5S19100HR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 1.99GHZ NI-780 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.93GHz ~ 1.99GHz 이득: 13.9dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1A 전원-출력: 22W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-780 공급자 장치 패키지: NI-780	재고 있음4,824
MRF5S19100HSR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 1.99GHZ NI-780S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.93GHz ~ 1.99GHz 이득: 13.9dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1A 전원-출력: 22W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-780S 공급자 장치 패키지: NI-780S	재고 있음3,042
MRF5S19100HSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 1.99GHZ NI-780S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.93GHz ~ 1.99GHz 이득: 13.9dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1A 전원-출력: 22W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-780S 공급자 장치 패키지: NI-780S	재고 있음3,744
MRF5S19130HR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 1.99GHZ NI-880 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.99GHz 이득: 13dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.2A 전원-출력: 26W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-880 공급자 장치 패키지: NI-880	재고 있음3,132
MRF5S19130HR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 1.99GHZ NI-880 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.93GHz ~ 1.99GHz 이득: 13dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.2A 전원-출력: 26W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-880 공급자 장치 패키지: NI-880	재고 있음3,780
MRF5S19130HSR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 1.99GHZ NI-880S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.99GHz 이득: 13dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.2A 전원-출력: 26W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-880S 공급자 장치 패키지: NI-880S	재고 있음8,046
MRF5S19130HSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 1.99GHZ NI-880S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.93GHz ~ 1.99GHz 이득: 13dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.2A 전원-출력: 26W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-880S 공급자 장치 패키지: NI-880S	재고 있음5,346
MRF5S19150HR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 1.99GHZ NI-880 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.99GHz 이득: 14dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.4A 전원-출력: 32W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-880 공급자 장치 패키지: NI-880	재고 있음2,970
MRF5S19150HR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 1.99GHZ NI-880 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.93GHz ~ 1.99GHz 이득: 14dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.4A 전원-출력: 32W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-880 공급자 장치 패키지: NI-880	재고 있음5,130
MRF5S19150HSR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 1.99GHZ NI-880S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.99GHz 이득: 14dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.4A 전원-출력: 32W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-880S 공급자 장치 패키지: NI-880S	재고 있음2,016
MRF5S19150HSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 1.99GHZ NI-880S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.93GHz ~ 1.99GHz 이득: 14dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.4A 전원-출력: 32W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-880S 공급자 장치 패키지: NI-880S	재고 있음2,934
MRF5S21045MBR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 68V 2.17GHZ TO272-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.11GHz ~ 2.17GHz 이득: 14.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 500mA 전원-출력: 10W 전압-정격: 68V 패키지 / 케이스: TO-272-4 공급자 장치 패키지: TO-272 WB-4	재고 있음7,902
MRF5S21045MR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 68V 2.17GHZ TO270-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.11GHz ~ 2.17GHz 이득: 14.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 500mA 전원-출력: 10W 전압-정격: 68V 패키지 / 케이스: TO-270-4 공급자 장치 패키지: TO-270 WB-4	재고 있음5,526
MRF5S21045NBR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 68V 2.12GHZ TO272-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.12GHz 이득: 14.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 500mA 전원-출력: 10W 전압-정격: 68V 패키지 / 케이스: TO-272BB 공급자 장치 패키지: TO-272 WB-4	재고 있음2,196
MRF5S21045NR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 68V 2.12GHZ TO270-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.12GHz 이득: 14.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 500mA 전원-출력: 10W 전압-정격: 68V 패키지 / 케이스: TO-270AB 공급자 장치 패키지: TO-270 WB-4	재고 있음5,220
MRF5S21090HR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.11GHZ NI-780 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.11GHz 이득: 14.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 850mA 전원-출력: 19W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: SOT-957A 공급자 장치 패키지: NI-780H-2L	재고 있음7,218
MRF5S21090HR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.11GHZ NI-780 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.11GHz 이득: 14.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 850mA 전원-출력: 19W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: SOT-957A 공급자 장치 패키지: NI-780H-2L	재고 있음8,154
MRF5S21090HSR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.11GHZ NI-780S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.11GHz 이득: 14.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 850mA 전원-출력: 19W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-780S 공급자 장치 패키지: NI-780S	재고 있음6,264
MRF5S21090HSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.11GHZ NI-780S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.11GHz 이득: 14.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 850mA 전원-출력: 19W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-780S 공급자 장치 패키지: NI-780S	재고 있음8,172
MRF5S21100HR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.17GHZ NI-780 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.16GHz ~ 2.17GHz 이득: 13.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.05A 전원-출력: 23W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: SOT-957A 공급자 장치 패키지: NI-780H-2L	재고 있음7,056
MRF5S21100HR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.17GHZ NI-780 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.16GHz ~ 2.17GHz 이득: 13.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.05A 전원-출력: 23W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: SOT-957A 공급자 장치 패키지: NI-780H-2L	재고 있음7,236

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