트랜지스터

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부품 번호	설명	재고 있음
MMRF1005HR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 120V 1.3GHZ NI-780 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.3GHz 이득: 22.7dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 250W 전압-정격: 120V 패키지 / 케이스: SOT-957A 공급자 장치 패키지: NI-780H-2L	재고 있음5,058
MMRF1005HSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 120V 1.3GHZ NI-780S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.3GHz 이득: 22.7dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 250W 전압-정격: 120V 패키지 / 케이스: NI-780S 공급자 장치 패키지: NI-780S	재고 있음6,732
MMRF1006HR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 120V 450MHZ NI-1230 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 450MHz 이득: 20dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 150mA 전원-출력: 1000W 전압-정격: 120V 패키지 / 케이스: SOT-979A 공급자 장치 패키지: NI-1230-4H	재고 있음6,174
MMRF1006HSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 120V 450MHZ NI-1230S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 450MHz 이득: 20dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 150mA 전원-출력: 1000W 전압-정격: 120V 패키지 / 케이스: NI-1230S-4 공급자 장치 패키지: NI-1230S-4	재고 있음6,516
MMRF1007HR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI-1230 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 1.03GHz 이득: 20dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 150mA 전원-출력: 1000W 전압-정격: 110V 패키지 / 케이스: NI-1230-4H 공급자 장치 패키지: NI-1230-4H	재고 있음2,808
MMRF1007HSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI-1230S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 1.03GHz 이득: 20dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 150mA 전원-출력: 1000W 전압-정격: 110V 패키지 / 케이스: NI-1230-4S 공급자 장치 패키지: NI-1230-4S	재고 있음2,790
MMRF1008GHR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF PULSE LATERAL N-CHANNEL RF POWER 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 900MHz ~ 1.215GHz 이득: 20.3dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): 100µA 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 275W 전압-정격: 100V 패키지 / 케이스: NI-780GH-2L 공급자 장치 패키지: NI-780GH-2L	재고 있음5,868
MMRF1008HR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 100V 1.03GHZ NI-780 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.03GHz 이득: 20.3dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 275W 전압-정격: 100V 패키지 / 케이스: SOT-957A 공급자 장치 패키지: NI-780H-2L	재고 있음6,588
MMRF1008HSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 100V 1.03GHZ NI-780S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.03GHz 이득: 20.3dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 275W 전압-정격: 100V 패키지 / 케이스: NI-780S 공급자 장치 패키지: NI-780S	재고 있음2,826
MMRF1009HR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 110V 1.03GHZ NI-780S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.03GHz 이득: 19.7dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 200mA 전원-출력: 500W 전압-정격: 110V 패키지 / 케이스: SOT-957A 공급자 장치 패키지: NI-780H-2L	재고 있음7,092
MMRF1009HSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 110V 1.03GHZ NI-780S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.03GHz 이득: 19.7dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 200mA 전원-출력: 500W 전압-정격: 110V 패키지 / 케이스: NI-780S 공급자 장치 패키지: NI-780S	재고 있음4,662
MMRF1011HR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 100V 1.4GHZ 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.4GHz 이득: 18dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 150mA 전원-출력: 330W 전압-정격: 100V 패키지 / 케이스: SOT-957A 공급자 장치 패키지: NI-780H-2L	재고 있음4,500
MMRF1011HSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 100V 1.4GHZ 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.4GHz 이득: 18dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 150mA 전원-출력: 330W 전압-정격: 100V 패키지 / 케이스: NI-780S 공급자 장치 패키지: NI-780S	재고 있음6,696
MMRF1012NR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 120V 220MHZ 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 220MHz 이득: 23.9dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 30mA 전원-출력: 10W 전압-정격: 120V 패키지 / 케이스: TO-270-2 공급자 장치 패키지: TO-270-2	재고 있음6,966
MMRF1013HR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 65V 2.9GHZ 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 2.9GHz 이득: 13.3dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 320W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: SOT-979A 공급자 장치 패키지: NI-1230-4H	재고 있음8,190
MMRF1013HSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 65V 2.9GHZ 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 2.9GHz 이득: 13.3dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 320W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-1230-4S 공급자 장치 패키지: NI-1230-4S	재고 있음6,300
MMRF1014NT1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 68V 1.96GHZ PLD-1.5 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.96GHz 이득: 18dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 50mA 전원-출력: 4W 전압-정격: 68V 패키지 / 케이스: PLD-1.5 공급자 장치 패키지: PLD-1.5	재고 있음5,058
MMRF1015GNR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 68V 960MHZ 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 960MHz 이득: 18dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 125mA 전원-출력: 10W 전압-정격: 68V 패키지 / 케이스: TO-270BA 공급자 장치 패키지: TO-270-2 GULL	재고 있음7,866
MMRF1015NR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 68V 960MHZ TO270 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 960MHz 이득: 18dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 125mA 전원-출력: 10W 전압-정격: 68V 패키지 / 케이스: TO-270-2 공급자 장치 패키지: TO-270-2	재고 있음4,608
MMRF1016HR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 120V 225MHZ 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 225MHz 이득: 25dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 2.6A 전원-출력: 125W 전압-정격: 120V 패키지 / 케이스: SOT-979A 공급자 장치 패키지: NI-1230-4H	재고 있음3,492
MMRF1017NR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 960MHZ 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 960MHz 이득: 20dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.4A 전원-출력: 80W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: OM-780-2 공급자 장치 패키지: OM-780-2	재고 있음3,562
MMRF1018NBR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 120V 860MHZ 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 860MHz 이득: 22dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 350mA 전원-출력: 18W 전압-정격: 120V 패키지 / 케이스: TO-272-4 공급자 장치 패키지: TO-272-4	재고 있음5,058
MMRF1018NR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 120V 860MHZ 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 860MHz 이득: 22dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 350mA 전원-출력: 18W 전압-정격: 120V 패키지 / 케이스: TO-270-4 공급자 장치 패키지: TO-270 WB-4	재고 있음5,652
MMRF1019NR4 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 100V 1.09GHZ PLD-1.5 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.09GHz 이득: 25dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 10mA 전원-출력: 10W 전압-정격: 100V 패키지 / 케이스: PLD-1.5 공급자 장치 패키지: PLD-1.5	재고 있음4,050
MMRF1020-04GNR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 105V 920MHZ OM780-4G 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 920MHz 이득: 19.5dB 전압-테스트: 48V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 860mA 전원-출력: 100W 전압-정격: 105V 패키지 / 케이스: OM-780G-4L 공급자 장치 패키지: OM-780G-4L	재고 있음3,564
MMRF1020-04NR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 105V 920MHZ OM780-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 920MHz 이득: 19.5dB 전압-테스트: 48V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 860mA 전원-출력: 100W 전압-정격: 105V 패키지 / 케이스: OM780-4 공급자 장치 패키지: OM780-4	재고 있음6,888
MMRF1021NT1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 30V 870MHZ PLD1.5W 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 870MHz 이득: 15.2dB 전압-테스트: 7.5V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 7.3W 전압-정격: 30V 패키지 / 케이스: PLD-1.5W 공급자 장치 패키지: PLD-1.5W	재고 있음6,048
MMRF1022HSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 65V 2.14GHZ NI1230S-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 2.14GHz 이득: 16.2dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 500mA 전원-출력: 63W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-1230-4LS2L 공급자 장치 패키지: NI-1230-4LS2L	재고 있음7,254
MMRF1023HSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.3GHZ NI-1230-4LS2L 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.3GHz 이득: 14.9dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 750mA 전원-출력: 66W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-1230-4LS2L 공급자 장치 패키지: NI-1230-4LS2L	재고 있음3,168
MMRF1024HSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 65V 2.5GHZ NI-1230-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 2.5GHz 이득: 14.1dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 700mA 전원-출력: 50W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-1230-4LS2L 공급자 장치 패키지: NI-1230-4LS2L	재고 있음6,768

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