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BSS8402DW-7-F

BSS8402DW-7-F

참조 용

부품 번호 BSS8402DW-7-F
PNEDA 부품 번호 BSS8402DW-7-F
설명 MOSFET N/P-CH 60V/50V SC70-6
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 6 - 12월 11 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BSS8402DW-7-F 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BSS8402DW-7-F
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
BSS8402DW-7-F, BSS8402DW-7-F 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 451.35 KB)
PDFBSS8402DW-7 데이터 시트 표지
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BSS8402DW-7-F 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
FET 유형N and P-Channel
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)60V, 50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)115mA, 130mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds50pF @ 25V
전력-최대200mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지SOT-363

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7A, 5.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

29mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.2nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

300pF @ 15V

전력-최대

1.5W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

TSMT8

APTM120DSK57T3G

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제조업체

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시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V (1.2kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

17A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

684mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 2.5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

187nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5155pF @ 25V

전력-최대

390W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP3

공급자 장치 패키지

SP3

SLA5065 LF830

Sanken

제조업체

Sanken

시리즈

-

FET 유형

4 N-Channel

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

100mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

660pF @ 10V

전력-최대

4.8W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

15-SIP

공급자 장치 패키지

15-SIP

FDG6302P

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

140mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

10Ohm @ 140mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.31nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

12pF @ 10V

전력-최대

300mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SC-88 (SC-70-6)

NVMFD5C470NLT1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

11A (Ta), 36A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

11.5mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 20µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

590pF @ 25V

전력-최대

3W (Ta), 24W (Tc)

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

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