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PTFA043002E V1

PTFA043002E V1

참조 용

부품 번호 PTFA043002E V1
PNEDA 부품 번호 PTFA043002E-V1
설명 IC FET RF LDMOS 300W H-30275-4
제조업체 Infineon Technologies
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PTFA043002E V1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PTFA043002E V1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
PTFA043002E V1, PTFA043002E V1 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 299.28 KB)
PDFPTFA043002E V1 데이터 시트 표지
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  • PTFA043002E V1 Distributor

PTFA043002E V1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수800MHz
이득16dB
전압-테스트32V
전류 정격 (Amps)10µA
소음 수치-
현재-테스트1.55A
전원-출력100W
전압-정격65V
패키지 / 케이스2-Flatpack, Fin Leads
공급자 장치 패키지H-30275-4

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10µA

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51W

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소음 수치

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125V

패키지 / 케이스

440223

공급자 장치 패키지

440223

PTFA212001F/1 P4

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

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전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

1.6A

전원-출력

50W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

공급자 장치 패키지

H-37260-2

제조업체

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시리즈

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트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

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이득

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전압-테스트

3V

전류 정격 (Amps)

350mA

소음 수치

-

현재-테스트

300mA

전원-출력

28dbm

전압-정격

3V

패키지 / 케이스

4-SMD, Flat Leads

공급자 장치 패키지

79A

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.99GHz

이득

14dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.4A

전원-출력

32W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-880

공급자 장치 패키지

NI-880

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