메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
MT29C4G48MAZAPAKD-5 IT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 4G PARAL 137TFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 4Gb (256M x 16)(NAND), 2Gb (64M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 137-TFBGA 공급자 장치 패키지: 137-TFBGA (10.5x13)	재고 있음6,642
MT29C4G48MAZAPAKD-5 IT TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 4G PARAL 137TFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 4Gb (256M x 16)(NAND), 2Gb (64M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 137-TFBGA 공급자 장치 패키지: 137-TFBGA (10.5x13)	재고 있음3,598
MT29C4G48MAZAPAKQ-5 IT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 4G PARAL 168WFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 4Gb (256M x 16)(NAND), 2Gb (64M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-WFBGA 공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)	재고 있음6,606
MT29C4G48MAZBAAKQ-5 WT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 4G PARAL 168WFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 4Gb (256M x 16)(NAND), 2Gb (128M x 16)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-WFBGA 공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)	재고 있음6,678
MT29C4G48MAZBAAKQ-5 WT TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 4G PARAL 168WFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 4Gb (256M x 16)(NAND), 2Gb (128M x 16)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-WFBGA 공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)	재고 있음2,970
MT29C4G48MAZBAAKS-5 E WT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 4G PARAL 137VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 4Gb (256M x 16)(NAND), 2Gb (128M x 16)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 137-VFBGA 공급자 장치 패키지: 137-VFBGA (13x10.5)	재고 있음5,706
MT29C4G48MAZBAAKS-5 E WT TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 4G PARAL 137VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 4Gb (256M x 16)(NAND), 2Gb (128M x 16)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 137-VFBGA 공급자 장치 패키지: 137-VFBGA (13x10.5)	재고 있음4,716
MT29C4G48MAZBAAKS-5 WT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 4G PARAL 137VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 4Gb (256M x 16)(NAND), 2Gb (128M x 16)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 137-VFBGA 공급자 장치 패키지: 137-VFBGA (13x10.5)	재고 있음6,318
MT29C4G48MAZBAAKS-5 WT TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 4G PARAL 137VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 4Gb (256M x 16)(NAND), 2Gb (128M x 16)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 137-VFBGA 공급자 장치 패키지: 137-VFBGA (13x10.5)	재고 있음7,002
MT29C4G48MAZBBAKB-48 IT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 4G PARALLEL 208MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 4Gb (256M x 16)(NAND), 2G (128M x 16)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 208MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-WFBGA 공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)	재고 있음5,526
MT29C4G48MAZBBAKB-48 IT TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 4G PARALLEL 208MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 4Gb (256M x 16)(NAND), 2G (128M x 16)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 208MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-WFBGA 공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)	재고 있음7,848
MT29C4G48MAZBBAKS-48 IT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 4GB LPDDR 137VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 137-VFBGA 공급자 장치 패키지: 137-VFBGA (13x10.5)	재고 있음6,426
MT29C4G48MAZBBAKS-48 IT TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 4GB LPDDR 137VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 137-VFBGA 공급자 장치 패키지: 137-VFBGA (13x10.5)	재고 있음3,690
MT29C4G96MAAGBACKD-5 WT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 4G PARAL 137VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 4Gb (256M x 16)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 137-VFBGA 공급자 장치 패키지: 137-VFBGA (13x10.5)	재고 있음6,462
MT29C4G96MAAGBACKD-5 WT TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 4G PARAL 137VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 4Gb (256M x 16)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 137-VFBGA 공급자 장치 패키지: 137-VFBGA (13x10.5)	재고 있음4,068
MT29C4G96MAAHBACKD-5 WT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 4G PARAL 137VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 4Gb (256M x 16)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 137-VFBGA 공급자 장치 패키지: 137-VFBGA (13x10.5)	재고 있음5,292
MT29C4G96MAAHBACKD-5 WT TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 4G PARAL 137VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 4Gb (256M x 16)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 137-VFBGA 공급자 장치 패키지: 137-VFBGA (13x10.5)	재고 있음8,532
MT29C4G96MAYAMCMJ-5 IT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 4G PARALLEL 200MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 4Gb (512M x 8)(NAND), 4Gb (256M x 16)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,526
MT29C4G96MAYAPCJA-5 IT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 4G PARAL 137TFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 4Gb (512M x 8)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 137-TFBGA 공급자 장치 패키지: 137-TFBGA (10.5x13)	재고 있음4,464
MT29C4G96MAYAPCJA-5 IT TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 4G PARAL 137TFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 4Gb (512M x 8)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 137-TFBGA 공급자 장치 패키지: 137-TFBGA (10.5x13)	재고 있음2,664
MT29C4G96MAYAPCMJ-5 IT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 4G PARALLEL 200MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 4Gb (512M x 8)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,298
MT29C4G96MAYBACJG-5 WT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 4G PARAL 168VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 4Gb (512M x 8)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-VFBGA 공급자 장치 패키지: 168-VFBGA (12x12)	재고 있음8,028
MT29C4G96MAYBACJG-5 WT TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 4G PARAL 168VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 4Gb (512M x 8)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-VFBGA 공급자 장치 패키지: 168-VFBGA (12x12)	재고 있음2,934
MT29C4G96MAYBACKD-5 WT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 4G PARAL 137TFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 4Gb (512M x 8)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 137-TFBGA 공급자 장치 패키지: 137-TFBGA (10.5x13)	재고 있음2,970
MT29C4G96MAYBACKD-5 WT TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 4G PARAL 137TFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 4Gb (512M x 8)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 137-TFBGA 공급자 장치 패키지: 137-TFBGA (10.5x13)	재고 있음7,236
MT29C4G96MAZAPCJA-5 IT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 4G PARAL 137TFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 4Gb (256M x 16)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 137-TFBGA 공급자 장치 패키지: 137-TFBGA (10.5x13)	재고 있음2,700
MT29C4G96MAZAPCMJ-5 IT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 4G PARALLEL 200MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 4Gb (256M x 16)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,740
MT29C4G96MAZBACJG-5 IT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 4G PARAL 168VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 4Gb (256M x 16)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-VFBGA 공급자 장치 패키지: 168-VFBGA (12x12)	재고 있음3,312
MT29C4G96MAZBACJG-5 IT TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 4G PARAL 168VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 4Gb (256M x 16)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-VFBGA 공급자 장치 패키지: 168-VFBGA (12x12)	재고 있음2,988
MT29C4G96MAZBACJG-5 WT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 4G PARAL 168VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 4Gb (256M x 16)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-VFBGA 공급자 장치 패키지: 168-VFBGA (12x12)	재고 있음8,568

MT29C4G48MAZAPAKD-5 IT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 4G PARAL 137TFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 4Gb (256M x 16)(NAND), 2Gb (64M x 32)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 137-TFBGA
공급자 장치 패키지: 137-TFBGA (10.5x13)

재고 있음6,642

MT29C4G48MAZAPAKD-5 IT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 4G PARAL 137TFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 4Gb (256M x 16)(NAND), 2Gb (64M x 32)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 137-TFBGA
공급자 장치 패키지: 137-TFBGA (10.5x13)

재고 있음3,598

MT29C4G48MAZAPAKQ-5 IT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 4G PARAL 168WFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 4Gb (256M x 16)(NAND), 2Gb (64M x 32)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-WFBGA
공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)

재고 있음6,606

MT29C4G48MAZBAAKQ-5 WT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 4G PARAL 168WFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 4Gb (256M x 16)(NAND), 2Gb (128M x 16)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-WFBGA
공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)

재고 있음6,678

MT29C4G48MAZBAAKQ-5 WT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 4G PARAL 168WFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 4Gb (256M x 16)(NAND), 2Gb (128M x 16)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-WFBGA
공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)

재고 있음2,970

MT29C4G48MAZBAAKS-5 E WT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 4G PARAL 137VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 4Gb (256M x 16)(NAND), 2Gb (128M x 16)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 137-VFBGA
공급자 장치 패키지: 137-VFBGA (13x10.5)

재고 있음5,706

MT29C4G48MAZBAAKS-5 E WT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 4G PARAL 137VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 4Gb (256M x 16)(NAND), 2Gb (128M x 16)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 137-VFBGA
공급자 장치 패키지: 137-VFBGA (13x10.5)

재고 있음4,716

MT29C4G48MAZBAAKS-5 WT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 4G PARAL 137VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 4Gb (256M x 16)(NAND), 2Gb (128M x 16)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 137-VFBGA
공급자 장치 패키지: 137-VFBGA (13x10.5)

재고 있음6,318

MT29C4G48MAZBAAKS-5 WT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 4G PARAL 137VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 4Gb (256M x 16)(NAND), 2Gb (128M x 16)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 137-VFBGA
공급자 장치 패키지: 137-VFBGA (13x10.5)

재고 있음7,002

MT29C4G48MAZBBAKB-48 IT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 4G PARALLEL 208MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 4Gb (256M x 16)(NAND), 2G (128M x 16)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 208MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-WFBGA
공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)

재고 있음5,526

MT29C4G48MAZBBAKB-48 IT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 4G PARALLEL 208MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 4Gb (256M x 16)(NAND), 2G (128M x 16)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 208MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-WFBGA
공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)

재고 있음7,848

MT29C4G48MAZBBAKS-48 IT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 4GB LPDDR 137VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 137-VFBGA
공급자 장치 패키지: 137-VFBGA (13x10.5)

재고 있음6,426

MT29C4G48MAZBBAKS-48 IT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 4GB LPDDR 137VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 137-VFBGA
공급자 장치 패키지: 137-VFBGA (13x10.5)

재고 있음3,690

MT29C4G96MAAGBACKD-5 WT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 4G PARAL 137VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 4Gb (256M x 16)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 137-VFBGA
공급자 장치 패키지: 137-VFBGA (13x10.5)

재고 있음6,462

MT29C4G96MAAGBACKD-5 WT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 4G PARAL 137VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 4Gb (256M x 16)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 137-VFBGA
공급자 장치 패키지: 137-VFBGA (13x10.5)

재고 있음4,068

MT29C4G96MAAHBACKD-5 WT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 4G PARAL 137VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 4Gb (256M x 16)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 137-VFBGA
공급자 장치 패키지: 137-VFBGA (13x10.5)

재고 있음5,292

MT29C4G96MAAHBACKD-5 WT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 4G PARAL 137VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 4Gb (256M x 16)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 137-VFBGA
공급자 장치 패키지: 137-VFBGA (13x10.5)

재고 있음8,532

MT29C4G96MAYAMCMJ-5 IT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 4G PARALLEL 200MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)(NAND), 4Gb (256M x 16)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,526

MT29C4G96MAYAPCJA-5 IT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 4G PARAL 137TFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 137-TFBGA
공급자 장치 패키지: 137-TFBGA (10.5x13)

재고 있음4,464

MT29C4G96MAYAPCJA-5 IT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 4G PARAL 137TFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 137-TFBGA
공급자 장치 패키지: 137-TFBGA (10.5x13)

재고 있음2,664

MT29C4G96MAYAPCMJ-5 IT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 4G PARALLEL 200MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,298

MT29C4G96MAYBACJG-5 WT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 4G PARAL 168VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-VFBGA
공급자 장치 패키지: 168-VFBGA (12x12)

재고 있음8,028

MT29C4G96MAYBACJG-5 WT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 4G PARAL 168VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-VFBGA
공급자 장치 패키지: 168-VFBGA (12x12)

재고 있음2,934

MT29C4G96MAYBACKD-5 WT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 4G PARAL 137TFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 137-TFBGA
공급자 장치 패키지: 137-TFBGA (10.5x13)

재고 있음2,970

MT29C4G96MAYBACKD-5 WT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 4G PARAL 137TFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 137-TFBGA
공급자 장치 패키지: 137-TFBGA (10.5x13)

재고 있음7,236

MT29C4G96MAZAPCJA-5 IT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 4G PARAL 137TFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 4Gb (256M x 16)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 137-TFBGA
공급자 장치 패키지: 137-TFBGA (10.5x13)

재고 있음2,700

MT29C4G96MAZAPCMJ-5 IT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 4G PARALLEL 200MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 4Gb (256M x 16)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,740

MT29C4G96MAZBACJG-5 IT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 4G PARAL 168VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 4Gb (256M x 16)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-VFBGA
공급자 장치 패키지: 168-VFBGA (12x12)

재고 있음3,312

MT29C4G96MAZBACJG-5 IT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 4G PARAL 168VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 4Gb (256M x 16)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-VFBGA
공급자 장치 패키지: 168-VFBGA (12x12)

재고 있음2,988

MT29C4G96MAZBACJG-5 WT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 4G PARAL 168VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 4Gb (256M x 16)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-VFBGA
공급자 장치 패키지: 168-VFBGA (12x12)

재고 있음8,568

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