메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
MT29C1G12MAACYAKD-5 IT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 1G PARAL 137TFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)(NAND), 512Mb (16M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 137-TFBGA 공급자 장치 패키지: 137-TFBGA (10.5x13)	재고 있음5,724
MT29C1G12MAACYAKD-5 IT TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 1G PARAL 137TFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)(NAND), 512Mb (16M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 137-TFBGA 공급자 장치 패키지: 137-TFBGA (10.5x13)	재고 있음7,794
MT29C1G12MAACYAMD-5 IT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 1G PARAL 130VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)(NAND), 512Mb (16M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 130-VFBGA 공급자 장치 패키지: 130-VFBGA (8x9)	재고 있음3,528
MT29C1G12MAACYAMD-5 IT TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 1G PARAL 130VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)(NAND), 512Mb (16M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 130-VFBGA 공급자 장치 패키지: 130-VFBGA (8x9)	재고 있음6,696
MT29C1G12MAACYAML-5 IT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 1G PARAL 153VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)(NAND), 512Mb (16M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 153-VFBGA 공급자 장치 패키지: 153-VFBGA	재고 있음5,634
MT29C1G12MAADAEAKC-6 IT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 1G PARAL 107VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)(NAND), 1Gb (64M x 16)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 107-VFBGA 공급자 장치 패키지: 107-VFBGA	재고 있음3,400
MT29C1G12MAADAFAKD-6 E IT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 1G PARAL 137TFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)(NAND), 1Gb (32M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 137-TFBGA 공급자 장치 패키지: 137-TFBGA (10.5x13)	재고 있음2,376
MT29C1G12MAADAFAKD-6 E IT TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 1G PARAL 137TFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)(NAND), 1Gb (32M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 137-TFBGA 공급자 장치 패키지: 137-TFBGA (10.5x13)	재고 있음5,184
MT29C1G12MAADAFAKD-6 IT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 1G PARAL 137TFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)(NAND), 1Gb (32M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 137-TFBGA 공급자 장치 패키지: 137-TFBGA (10.5x13)	재고 있음3,420
MT29C1G12MAADAFAKD-6 IT TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 1G PARAL 137TFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)(NAND), 1Gb (32M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 137-TFBGA 공급자 장치 패키지: 137-TFBGA (10.5x13)	재고 있음7,614
MT29C1G12MAADAFAMD-6 E IT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 1G PARAL 130VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)(NAND), 1Gb (32M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 130-VFBGA 공급자 장치 패키지: 130-VFBGA (8x9)	재고 있음7,668
MT29C1G12MAADAFAMD-6 E IT TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 1G PARAL 130VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)(NAND), 1Gb (32M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 130-VFBGA 공급자 장치 패키지: 130-VFBGA (8x9)	재고 있음3,186
MT29C1G12MAADAFAMD-6 IT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 1G PARAL 130VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)(NAND), 1Gb (32M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 130-VFBGA 공급자 장치 패키지: 130-VFBGA (8x9)	재고 있음3,690
MT29C1G12MAADAFAMD-6 IT TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 1G PARAL 130VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)(NAND), 1Gb (32M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 130-VFBGA 공급자 장치 패키지: 130-VFBGA (8x9)	재고 있음8,928
MT29C1G12MAADVAKC-5 IT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 1G PARAL 107TFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)(NAND), 512Mb (32M x 16)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 107-TFBGA 공급자 장치 패키지: 107-TFBGA	재고 있음4,104
MT29C1G12MAADVAMD-5 E IT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 1G PARAL 130VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)(NAND), 512Mb (32M x 16)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 130-VFBGA 공급자 장치 패키지: 130-VFBGA (8x9)	재고 있음7,164
MT29C1G12MAADVAMD-5 E IT TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 1G PARAL 130VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)(NAND), 512Mb (32M x 16)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 130-VFBGA 공급자 장치 패키지: 130-VFBGA (8x9)	재고 있음5,364
MT29C1G12MAADVAMD-5 IT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 1G PARAL 130VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)(NAND), 512Mb (32M x 16)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 130-VFBGA 공급자 장치 패키지: 130-VFBGA (8x9)	재고 있음7,272
MT29C1G12MAADVAMD-5 IT TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 1G PARAL 130VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)(NAND), 512Mb (32M x 16)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 130-VFBGA 공급자 장치 패키지: 130-VFBGA (8x9)	재고 있음3,942
MT29C1G12MAADVAML-5 IT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 1G PARAL 153VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)(NAND), 512Mb (32M x 16)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 153-VFBGA 공급자 장치 패키지: 153-VFBGA	재고 있음5,526
MT29C1G12MAADYAKD-5 IT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 1G PARAL 137TFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)(NAND), 512Mb (16M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 137-TFBGA 공급자 장치 패키지: 137-TFBGA (10.5x13)	재고 있음7,200
MT29C1G12MAADYAKD-5 IT TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 1G PARAL 137TFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)(NAND), 512Mb (16M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 137-TFBGA 공급자 장치 패키지: 137-TFBGA (10.5x13)	재고 있음2,178
MT29C1G12MAADYAKE-5 IT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 1G PARAL 137TFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)(NAND), 512Mb (16M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 137-TFBGA 공급자 장치 패키지: 137-TFBGA (10.5x13)	재고 있음2,358
MT29C1G12MAADYAKE-5 IT TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 1G PARAL 137TFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)(NAND), 512Mb (16M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 137-TFBGA 공급자 장치 패키지: 137-TFBGA (10.5x13)	재고 있음8,568
MT29C1G12MAADYAMD-5 IT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 1G PARAL 130VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)(NAND), 512Mb (16M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 130-VFBGA 공급자 장치 패키지: 130-VFBGA (8x9)	재고 있음2,304
MT29C1G12MAADYAMD-5 IT TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 1G PARAL 130VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)(NAND), 512Mb (16M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 130-VFBGA 공급자 장치 패키지: 130-VFBGA (8x9)	재고 있음5,778
MT29C1G12MAADYAML-5 IT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 1G PARAL 153VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)(NAND), 512Mb (16M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 153-VFBGA 공급자 장치 패키지: 153-VFBGA	재고 있음8,748
MT29C1G12MAAIAFAMD-6 IT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 1G PARAL 130VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)(NAND), 512Mb (16M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 130-VFBGA 공급자 장치 패키지: 130-VFBGA (8x9)	재고 있음6,282
MT29C1G12MAAIVAMD-5 IT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 1G PARAL 130VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)(NAND), 512Mb (16M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 130-VFBGA 공급자 장치 패키지: 130-VFBGA (8x9)	재고 있음7,380
MT29C1G12MAAIVAMD-5 IT TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 1G PARAL 130VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)(NAND), 512Mb (16M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 130-VFBGA 공급자 장치 패키지: 130-VFBGA (8x9)	재고 있음2,880

MT29C1G12MAACYAKD-5 IT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 1G PARAL 137TFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)(NAND), 512Mb (16M x 32)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 137-TFBGA
공급자 장치 패키지: 137-TFBGA (10.5x13)

재고 있음5,724

MT29C1G12MAACYAKD-5 IT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 1G PARAL 137TFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)(NAND), 512Mb (16M x 32)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 137-TFBGA
공급자 장치 패키지: 137-TFBGA (10.5x13)

재고 있음7,794

MT29C1G12MAACYAMD-5 IT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 1G PARAL 130VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)(NAND), 512Mb (16M x 32)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 130-VFBGA
공급자 장치 패키지: 130-VFBGA (8x9)

재고 있음3,528

MT29C1G12MAACYAMD-5 IT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 1G PARAL 130VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)(NAND), 512Mb (16M x 32)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 130-VFBGA
공급자 장치 패키지: 130-VFBGA (8x9)

재고 있음6,696

MT29C1G12MAACYAML-5 IT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 1G PARAL 153VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)(NAND), 512Mb (16M x 32)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 153-VFBGA
공급자 장치 패키지: 153-VFBGA

재고 있음5,634

MT29C1G12MAADAEAKC-6 IT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 1G PARAL 107VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)(NAND), 1Gb (64M x 16)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 107-VFBGA
공급자 장치 패키지: 107-VFBGA

재고 있음3,400

MT29C1G12MAADAFAKD-6 E IT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 1G PARAL 137TFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)(NAND), 1Gb (32M x 32)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 137-TFBGA
공급자 장치 패키지: 137-TFBGA (10.5x13)

재고 있음2,376

MT29C1G12MAADAFAKD-6 E IT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 1G PARAL 137TFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)(NAND), 1Gb (32M x 32)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 137-TFBGA
공급자 장치 패키지: 137-TFBGA (10.5x13)

재고 있음5,184

MT29C1G12MAADAFAKD-6 IT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 1G PARAL 137TFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)(NAND), 1Gb (32M x 32)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 137-TFBGA
공급자 장치 패키지: 137-TFBGA (10.5x13)

재고 있음3,420

MT29C1G12MAADAFAKD-6 IT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 1G PARAL 137TFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)(NAND), 1Gb (32M x 32)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 137-TFBGA
공급자 장치 패키지: 137-TFBGA (10.5x13)

재고 있음7,614

MT29C1G12MAADAFAMD-6 E IT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 1G PARAL 130VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)(NAND), 1Gb (32M x 32)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 130-VFBGA
공급자 장치 패키지: 130-VFBGA (8x9)

재고 있음7,668

MT29C1G12MAADAFAMD-6 E IT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 1G PARAL 130VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)(NAND), 1Gb (32M x 32)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 130-VFBGA
공급자 장치 패키지: 130-VFBGA (8x9)

재고 있음3,186

MT29C1G12MAADAFAMD-6 IT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 1G PARAL 130VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)(NAND), 1Gb (32M x 32)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 130-VFBGA
공급자 장치 패키지: 130-VFBGA (8x9)

재고 있음3,690

MT29C1G12MAADAFAMD-6 IT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 1G PARAL 130VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)(NAND), 1Gb (32M x 32)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 130-VFBGA
공급자 장치 패키지: 130-VFBGA (8x9)

재고 있음8,928

MT29C1G12MAADVAKC-5 IT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 1G PARAL 107TFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)(NAND), 512Mb (32M x 16)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 107-TFBGA
공급자 장치 패키지: 107-TFBGA

재고 있음4,104

MT29C1G12MAADVAMD-5 E IT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 1G PARAL 130VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)(NAND), 512Mb (32M x 16)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 130-VFBGA
공급자 장치 패키지: 130-VFBGA (8x9)

재고 있음7,164

MT29C1G12MAADVAMD-5 E IT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 1G PARAL 130VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)(NAND), 512Mb (32M x 16)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 130-VFBGA
공급자 장치 패키지: 130-VFBGA (8x9)

재고 있음5,364

MT29C1G12MAADVAMD-5 IT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 1G PARAL 130VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)(NAND), 512Mb (32M x 16)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 130-VFBGA
공급자 장치 패키지: 130-VFBGA (8x9)

재고 있음7,272

MT29C1G12MAADVAMD-5 IT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 1G PARAL 130VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)(NAND), 512Mb (32M x 16)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 130-VFBGA
공급자 장치 패키지: 130-VFBGA (8x9)

재고 있음3,942

MT29C1G12MAADVAML-5 IT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 1G PARAL 153VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)(NAND), 512Mb (32M x 16)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 153-VFBGA
공급자 장치 패키지: 153-VFBGA

재고 있음5,526

MT29C1G12MAADYAKD-5 IT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 1G PARAL 137TFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)(NAND), 512Mb (16M x 32)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 137-TFBGA
공급자 장치 패키지: 137-TFBGA (10.5x13)

재고 있음7,200

MT29C1G12MAADYAKD-5 IT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 1G PARAL 137TFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)(NAND), 512Mb (16M x 32)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 137-TFBGA
공급자 장치 패키지: 137-TFBGA (10.5x13)

재고 있음2,178

MT29C1G12MAADYAKE-5 IT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 1G PARAL 137TFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)(NAND), 512Mb (16M x 32)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 137-TFBGA
공급자 장치 패키지: 137-TFBGA (10.5x13)

재고 있음2,358

MT29C1G12MAADYAKE-5 IT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 1G PARAL 137TFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)(NAND), 512Mb (16M x 32)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 137-TFBGA
공급자 장치 패키지: 137-TFBGA (10.5x13)

재고 있음8,568

MT29C1G12MAADYAMD-5 IT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 1G PARAL 130VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)(NAND), 512Mb (16M x 32)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 130-VFBGA
공급자 장치 패키지: 130-VFBGA (8x9)

재고 있음2,304

MT29C1G12MAADYAMD-5 IT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 1G PARAL 130VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)(NAND), 512Mb (16M x 32)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 130-VFBGA
공급자 장치 패키지: 130-VFBGA (8x9)

재고 있음5,778

MT29C1G12MAADYAML-5 IT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 1G PARAL 153VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)(NAND), 512Mb (16M x 32)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 153-VFBGA
공급자 장치 패키지: 153-VFBGA

재고 있음8,748

MT29C1G12MAAIAFAMD-6 IT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 1G PARAL 130VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)(NAND), 512Mb (16M x 32)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 130-VFBGA
공급자 장치 패키지: 130-VFBGA (8x9)

재고 있음6,282

MT29C1G12MAAIVAMD-5 IT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 1G PARAL 130VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)(NAND), 512Mb (16M x 32)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 130-VFBGA
공급자 장치 패키지: 130-VFBGA (8x9)

재고 있음7,380

MT29C1G12MAAIVAMD-5 IT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 1G PARAL 130VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)(NAND), 512Mb (16M x 32)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 130-VFBGA
공급자 장치 패키지: 130-VFBGA (8x9)

재고 있음2,880

Send Message

Certifications

메모리 IC

자원

지원

Social Media

Need Help?
Send Message