메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
MT28HL16GJBA3ERK-0SCT Micron Technology Inc.	기억 NOR FLASH 512MX32 PLASTIC 3.3V 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,124
MT28HL16GJBB3ERK-0SCT Micron Technology Inc.	기억 NOR FLASH 512MX32 PLASTIC 3.3V 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,858
MT28HL16GPBB3EBK-0GCT Micron Technology Inc.	기억 NOR FLASH 512MX32 PLASTIC 3.3V 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,508
MT28HL32GQBA6EBL-0GCT Micron Technology Inc.	기억 NOR FLASH 512MX64 PLASTIC 3.3V 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,454
MT28HL32GQBB3ERK-0GCT Micron Technology Inc.	기억 NOR FLASH 1GX32 PLASTIC PBF FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,768
MT28HL32GQBB3ERK-0GCT TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH NOR MLC 1GX32 FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,912
MT28HL32GQBB3ERK-0SCT Micron Technology Inc.	기억 NOR FLASH 1GX32 PLASTIC 3.3V 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,028
MT28HL32GQBB6EBL-0GCT Micron Technology Inc.	기억 NOR FLASH 512MX64 PLASTIC 3.3V 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,096
MT28HL64GRBA6EBL-0GCT Micron Technology Inc.	기억 NOR FLASH 1GX64 PLASTIC PBF TLGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,654
MT28HL64GRBB6EBL-0GCT Micron Technology Inc.	기억 NOR FLASH 1GX64 PLASTIC 3.3V 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,786
MT28HL64GRBB6EBL-0GCT TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH NOR 1GX64 3.3V FLGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,878
MT29AZ5A3CHHWD-18AAT.84F Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 4Gb (512M x 8)(NAND), 8Gb (512M x 16)(LPDDR2) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 533MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 162-VFBGA 공급자 장치 패키지: 162-VFBGA (10.5x8)	재고 있음8,082
MT29AZ5A3CHHWD-18AAT.84F TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 4Gb (512M x 8)(NAND), 8Gb (512M x 16)(LPDDR2) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 533MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 162-VFBGA 공급자 장치 패키지: 162-VFBGA (10.5x8)	재고 있음6,030
MT29AZ5A3CHHWD-18AIT.84F Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 4Gb (512M x 8)(NAND), 2Gb (128M x 16)(LPDDR2) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 533MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 162-VFBGA 공급자 장치 패키지: 162-VFBGA (10.5x8)	재고 있음13,638
MT29AZ5A3CHHWD-18AIT.84F TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 4Gb (512M x 8)(NAND), 2Gb (128M x 16)(LPDDR2) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 533MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 162-VFBGA 공급자 장치 패키지: 162-VFBGA (10.5x8)	재고 있음7,200
MT29C1G12MAACAEAKC-6 IT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 1G PARAL 107VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)(NAND), 512Mb (16M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 107-VFBGA 공급자 장치 패키지: 107-VFBGA	재고 있음6,102
MT29C1G12MAACAEAMD-6 IT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 1G PARAL 130VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)(NAND), 512Mb (16M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 130-VFBGA 공급자 장치 패키지: 130-VFBGA (8x9)	재고 있음8,460
MT29C1G12MAACAEAMD-6 IT TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 1G PARAL 130VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)(NAND), 512Mb (32M x 16)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 130-VFBGA 공급자 장치 패키지: 130-VFBGA (8x9)	재고 있음4,914
MT29C1G12MAACAEAML-6 IT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 1G PARAL 153VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)(NAND), 512Mb (16M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 153-VFBGA 공급자 장치 패키지: 153-VFBGA	재고 있음8,100
MT29C1G12MAACAFAKD-6 IT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 1G PARAL 137TFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)(NAND), 512Mb (16M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 137-TFBGA 공급자 장치 패키지: 137-TFBGA (10.5x13)	재고 있음6,030
MT29C1G12MAACAFAKD-6 IT TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 1G PARAL 137TFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)(NAND), 512Mb (16M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 137-TFBGA 공급자 장치 패키지: 137-TFBGA (10.5x13)	재고 있음4,482
MT29C1G12MAACAFAMD-6 IT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 1G PARAL 130VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)(NAND), 512Mb (16M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 130-VFBGA 공급자 장치 패키지: 130-VFBGA (8x9)	재고 있음2,142
MT29C1G12MAACAFAMD-6 IT TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 1G PARAL 130VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)(NAND), 512Mb (16M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 130-VFBGA 공급자 장치 패키지: 130-VFBGA (8x9)	재고 있음6,786
MT29C1G12MAACAFAML-6 IT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 1G PARAL 153VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)(NAND), 512Mb (16M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 153-VFBGA 공급자 장치 패키지: 153-VFBGA	재고 있음3,562
MT29C1G12MAACVAKC-5 IT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 1G PARAL 107TFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)(NAND), 512Mb (32M x 16)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 107-TFBGA 공급자 장치 패키지: 107-TFBGA	재고 있음2,970
MT29C1G12MAACVAMD-5 E IT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 1G PARAL 130VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)(NAND), 512Mb (32M x 16)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 130-VFBGA 공급자 장치 패키지: 130-VFBGA (8x9)	재고 있음4,662
MT29C1G12MAACVAMD-5 E IT TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 1G PARAL 130VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)(NAND), 512Mb (32M x 16)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 130-VFBGA 공급자 장치 패키지: 130-VFBGA (8x9)	재고 있음5,724
MT29C1G12MAACVAMD-5 IT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 1G PARAL 130VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)(NAND), 512Mb (32M x 16)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 130-VFBGA 공급자 장치 패키지: 130-VFBGA (8x9)	재고 있음5,040
MT29C1G12MAACVAMD-5 IT TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 1G PARAL 130VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)(NAND), 512Mb (32M x 16)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 130-VFBGA 공급자 장치 패키지: 130-VFBGA (8x9)	재고 있음8,316
MT29C1G12MAACVAML-5 IT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 1G PARAL 153VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)(NAND), 512Mb (32M x 16)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 153-VFBGA 공급자 장치 패키지: 153-VFBGA	재고 있음7,056

MT28HL16GJBA3ERK-0SCT

Micron Technology Inc.

기억

NOR FLASH 512MX32 PLASTIC 3.3V

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,124

MT28HL16GJBB3ERK-0SCT

Micron Technology Inc.

기억

NOR FLASH 512MX32 PLASTIC 3.3V

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,858

MT28HL16GPBB3EBK-0GCT

Micron Technology Inc.

기억

NOR FLASH 512MX32 PLASTIC 3.3V

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,508

MT28HL32GQBA6EBL-0GCT

Micron Technology Inc.

기억

NOR FLASH 512MX64 PLASTIC 3.3V

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,454

MT28HL32GQBB3ERK-0GCT

Micron Technology Inc.

기억

NOR FLASH 1GX32 PLASTIC PBF FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,768

MT28HL32GQBB3ERK-0GCT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH NOR MLC 1GX32 FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,912

MT28HL32GQBB3ERK-0SCT

Micron Technology Inc.

기억

NOR FLASH 1GX32 PLASTIC 3.3V

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,028

MT28HL32GQBB6EBL-0GCT

Micron Technology Inc.

기억

NOR FLASH 512MX64 PLASTIC 3.3V

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,096

MT28HL64GRBA6EBL-0GCT

Micron Technology Inc.

기억

NOR FLASH 1GX64 PLASTIC PBF TLGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,654

MT28HL64GRBB6EBL-0GCT

Micron Technology Inc.

기억

NOR FLASH 1GX64 PLASTIC 3.3V

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,786

MT28HL64GRBB6EBL-0GCT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH NOR 1GX64 3.3V FLGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,878

MT29AZ5A3CHHWD-18AAT.84F

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)(NAND), 8Gb (512M x 16)(LPDDR2)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 533MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 162-VFBGA
공급자 장치 패키지: 162-VFBGA (10.5x8)

재고 있음8,082

MT29AZ5A3CHHWD-18AAT.84F TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)(NAND), 8Gb (512M x 16)(LPDDR2)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 533MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 162-VFBGA
공급자 장치 패키지: 162-VFBGA (10.5x8)

재고 있음6,030

MT29AZ5A3CHHWD-18AIT.84F

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)(NAND), 2Gb (128M x 16)(LPDDR2)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 533MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 162-VFBGA
공급자 장치 패키지: 162-VFBGA (10.5x8)

재고 있음13,638

MT29AZ5A3CHHWD-18AIT.84F TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)(NAND), 2Gb (128M x 16)(LPDDR2)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 533MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 162-VFBGA
공급자 장치 패키지: 162-VFBGA (10.5x8)

재고 있음7,200

MT29C1G12MAACAEAKC-6 IT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 1G PARAL 107VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)(NAND), 512Mb (16M x 32)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 107-VFBGA
공급자 장치 패키지: 107-VFBGA

재고 있음6,102

MT29C1G12MAACAEAMD-6 IT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 1G PARAL 130VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)(NAND), 512Mb (16M x 32)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 130-VFBGA
공급자 장치 패키지: 130-VFBGA (8x9)

재고 있음8,460

MT29C1G12MAACAEAMD-6 IT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 1G PARAL 130VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)(NAND), 512Mb (32M x 16)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 130-VFBGA
공급자 장치 패키지: 130-VFBGA (8x9)

재고 있음4,914

MT29C1G12MAACAEAML-6 IT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 1G PARAL 153VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)(NAND), 512Mb (16M x 32)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 153-VFBGA
공급자 장치 패키지: 153-VFBGA

재고 있음8,100

MT29C1G12MAACAFAKD-6 IT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 1G PARAL 137TFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)(NAND), 512Mb (16M x 32)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 137-TFBGA
공급자 장치 패키지: 137-TFBGA (10.5x13)

재고 있음6,030

MT29C1G12MAACAFAKD-6 IT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 1G PARAL 137TFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)(NAND), 512Mb (16M x 32)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 137-TFBGA
공급자 장치 패키지: 137-TFBGA (10.5x13)

재고 있음4,482

MT29C1G12MAACAFAMD-6 IT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 1G PARAL 130VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)(NAND), 512Mb (16M x 32)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 130-VFBGA
공급자 장치 패키지: 130-VFBGA (8x9)

재고 있음2,142

MT29C1G12MAACAFAMD-6 IT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 1G PARAL 130VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)(NAND), 512Mb (16M x 32)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 130-VFBGA
공급자 장치 패키지: 130-VFBGA (8x9)

재고 있음6,786

MT29C1G12MAACAFAML-6 IT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 1G PARAL 153VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)(NAND), 512Mb (16M x 32)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 153-VFBGA
공급자 장치 패키지: 153-VFBGA

재고 있음3,562

MT29C1G12MAACVAKC-5 IT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 1G PARAL 107TFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)(NAND), 512Mb (32M x 16)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 107-TFBGA
공급자 장치 패키지: 107-TFBGA

재고 있음2,970

MT29C1G12MAACVAMD-5 E IT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 1G PARAL 130VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)(NAND), 512Mb (32M x 16)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 130-VFBGA
공급자 장치 패키지: 130-VFBGA (8x9)

재고 있음4,662

MT29C1G12MAACVAMD-5 E IT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 1G PARAL 130VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)(NAND), 512Mb (32M x 16)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 130-VFBGA
공급자 장치 패키지: 130-VFBGA (8x9)

재고 있음5,724

MT29C1G12MAACVAMD-5 IT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 1G PARAL 130VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)(NAND), 512Mb (32M x 16)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 130-VFBGA
공급자 장치 패키지: 130-VFBGA (8x9)

재고 있음5,040

MT29C1G12MAACVAMD-5 IT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 1G PARAL 130VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)(NAND), 512Mb (32M x 16)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 130-VFBGA
공급자 장치 패키지: 130-VFBGA (8x9)

재고 있음8,316

MT29C1G12MAACVAML-5 IT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 1G PARAL 153VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)(NAND), 512Mb (32M x 16)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 153-VFBGA
공급자 장치 패키지: 153-VFBGA

재고 있음7,056

Send Message

Certifications

메모리 IC

자원

지원

Social Media

Need Help?
Send Message