메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
MT29C2G24MAABAKAKD-5 IT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 2G PARAL 137TFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 2Gb (128M x 16)(NAND), 1Gb (32M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 137-TFBGA 공급자 장치 패키지: 137-TFBGA (10.5x13)	재고 있음2,754
MT29C2G24MAABAKAKD-5 IT TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 2G PARAL 137TFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 2Gb (128M x 16)(NAND), 1Gb (32M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 137-TFBGA 공급자 장치 패키지: 137-TFBGA (10.5x13)	재고 있음2,520
MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 2G PARAL 130VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 2Gb (128M x 16)(NAND), 1Gb (32M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 130-VFBGA 공급자 장치 패키지: 130-VFBGA (8x9)	재고 있음8,334
MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 2G PARAL 130VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 2Gb (128M x 16)(NAND), 1Gb (32M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 130-VFBGA 공급자 장치 패키지: 130-VFBGA (8x9)	재고 있음2,988
MT29C2G24MAABAKAML-5 E IT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 2G PARAL 153VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 2Gb (128M x 16)(NAND), 1Gb (32M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 153-VFBGA 공급자 장치 패키지: 153-VFBGA	재고 있음6,030
MT29C2G24MAABAKAML-5 IT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 2G PARAL 153VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 2Gb (128M x 16)(NAND), 1Gb (32M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 153-VFBGA 공급자 장치 패키지: 153-VFBGA	재고 있음7,218
MT29C2G48MAKLCJI-6 IT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 2G PARALLEL 166MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 2Gb (128M x 16)(NAND), 1Gb (32M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-VFBGA 공급자 장치 패키지: -	재고 있음1,974
MT29C2G48MAKLCJI-6 IT TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 2G PARALLEL 166MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 2Gb (128M x 16)(NAND), 1Gb (32M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-VFBGA 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,978
MT29C3DAMF-DC TR Micron Technology Inc.	기억 MASSFLASH/LPDDR2 8G 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,190
MT29C3DBAN-DC TR Micron Technology Inc.	기억 MASSFLASH/LPDDR2 12G 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,014
MT29C4G48MAAGBAAKS-5 WT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 4G PARAL 137VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 4Gb (512M x 8)(NAND), 2Gb (64M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 137-VFBGA 공급자 장치 패키지: 137-VFBGA (13x10.5)	재고 있음4,104
MT29C4G48MAAGBAAKS-5 WT TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 4G PARAL 137VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 4Gb (512M x 8)(NAND), 2Gb (64M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 137-VFBGA 공급자 장치 패키지: 137-VFBGA (13x10.5)	재고 있음7,452
MT29C4G48MAAGBBAKS-48 IT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH LPDRAM 137VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,786
MT29C4G48MAAGBBAKS-48 IT TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH LPDRAM 137VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,456
MT29C4G48MAAGBBAKS-48 WT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 4G PARALLEL 208MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 4Gb (512M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 208MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 137-VFBGA 공급자 장치 패키지: 137-VFBGA (13x10.5)	재고 있음7,560
MT29C4G48MAAGBBAKS-48 WT TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 4G PARALLEL 208MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 4Gb (512M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 208MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 137-VFBGA 공급자 장치 패키지: 137-VFBGA (13x10.5)	재고 있음6,660
MT29C4G48MAAHBAAKS-5 WT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 4G PARAL 137VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 4Gb (256M x 16)(NAND), 2Gb (64M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 137-VFBGA 공급자 장치 패키지: 137-VFBGA (13x10.5)	재고 있음5,778
MT29C4G48MAAHBAAKS-5 WT TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 4G PARAL 137VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 4Gb (256M x 16)(NAND), 2Gb (64M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 137-VFBGA 공급자 장치 패키지: 137-VFBGA (13x10.5)	재고 있음6,732
MT29C4G48MAYAMAKC-5 IT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 4G PARAL 107TFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 4Gb (512M x 8)(NAND), 2Gb (128M x 16)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 107-TFBGA 공급자 장치 패키지: 107-TFBGA	재고 있음8,190
MT29C4G48MAYAPAKD-5 IT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 4G PARAL 137TFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 4Gb (512M x 8)(NAND), 2Gb (64M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 137-TFBGA 공급자 장치 패키지: 137-TFBGA (10.5x13)	재고 있음3,418
MT29C4G48MAYBAAKQ-5 WT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 4G PARAL 168WFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 4Gb (512M x 8)(NAND), 2Gb (64M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-WFBGA 공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)	재고 있음8,262
MT29C4G48MAYBAAKQ-5 WT TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 4G PARAL 168WFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 4Gb (512M x 8)(NAND), 2Gb (64M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-WFBGA 공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)	재고 있음8,748
MT29C4G48MAYBBAHK-48 AIT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 4G PARALLEL 208MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 4Gb (512M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 208MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 137-VFBGA 공급자 장치 패키지: 137-VFBGA (13x10.5)	재고 있음3,636
MT29C4G48MAYBBAHK-48 AIT TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 4G PARALLEL 208MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 4Gb (512M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 208MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 137-VFBGA 공급자 장치 패키지: 137-VFBGA (13x10.5)	재고 있음3,960
MT29C4G48MAYBBAKS-48 IT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH LPDRAM 137VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,724
MT29C4G48MAYBBAKS-48 IT TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH LPDRAM 137VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,344
MT29C4G48MAYBBAMR-48 IT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH LPDRAM 6G 130MCP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 130-VFBGA 공급자 장치 패키지: 130-VFBGA (8x9)	재고 있음5,346
MT29C4G48MAYBBAMR-48 IT TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH LPDRAM 6G 130MCP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 130-VFBGA 공급자 장치 패키지: 130-VFBGA (8x9)	재고 있음12,834
MT29C4G48MAZAMAKC-5 IT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 4G PARAL 107TFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 4Gb (256M x 16)(NAND), 2Gb (128M x 16)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 107-TFBGA 공급자 장치 패키지: 107-TFBGA	재고 있음3,492
MT29C4G48MAZAMAMK-5 IT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 4G PARAL 153VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 4Gb (256M x 16)(NAND), 2Gb (128M x 16)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 153-VFBGA 공급자 장치 패키지: 153-VFBGA	재고 있음7,344

MT29C2G24MAABAKAKD-5 IT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 2G PARAL 137TFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)(NAND), 1Gb (32M x 32)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 137-TFBGA
공급자 장치 패키지: 137-TFBGA (10.5x13)

재고 있음2,754

MT29C2G24MAABAKAKD-5 IT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 2G PARAL 137TFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)(NAND), 1Gb (32M x 32)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 137-TFBGA
공급자 장치 패키지: 137-TFBGA (10.5x13)

재고 있음2,520

MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 2G PARAL 130VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)(NAND), 1Gb (32M x 32)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 130-VFBGA
공급자 장치 패키지: 130-VFBGA (8x9)

재고 있음8,334

MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 2G PARAL 130VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)(NAND), 1Gb (32M x 32)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 130-VFBGA
공급자 장치 패키지: 130-VFBGA (8x9)

재고 있음2,988

MT29C2G24MAABAKAML-5 E IT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 2G PARAL 153VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)(NAND), 1Gb (32M x 32)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 153-VFBGA
공급자 장치 패키지: 153-VFBGA

재고 있음6,030

MT29C2G24MAABAKAML-5 IT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 2G PARAL 153VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)(NAND), 1Gb (32M x 32)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 153-VFBGA
공급자 장치 패키지: 153-VFBGA

재고 있음7,218

MT29C2G48MAKLCJI-6 IT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 2G PARALLEL 166MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)(NAND), 1Gb (32M x 32)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-VFBGA
공급자 장치 패키지: -

재고 있음1,974

MT29C2G48MAKLCJI-6 IT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 2G PARALLEL 166MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)(NAND), 1Gb (32M x 32)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-VFBGA
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,978

MT29C3DAMF-DC TR

Micron Technology Inc.

기억

MASSFLASH/LPDDR2 8G

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,190

MT29C3DBAN-DC TR

Micron Technology Inc.

기억

MASSFLASH/LPDDR2 12G

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,014

MT29C4G48MAAGBAAKS-5 WT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 4G PARAL 137VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)(NAND), 2Gb (64M x 32)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 137-VFBGA
공급자 장치 패키지: 137-VFBGA (13x10.5)

재고 있음4,104

MT29C4G48MAAGBAAKS-5 WT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 4G PARAL 137VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)(NAND), 2Gb (64M x 32)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 137-VFBGA
공급자 장치 패키지: 137-VFBGA (13x10.5)

재고 있음7,452

MT29C4G48MAAGBBAKS-48 IT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH LPDRAM 137VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,786

MT29C4G48MAAGBBAKS-48 IT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH LPDRAM 137VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,456

MT29C4G48MAAGBBAKS-48 WT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 4G PARALLEL 208MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 208MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 137-VFBGA
공급자 장치 패키지: 137-VFBGA (13x10.5)

재고 있음7,560

MT29C4G48MAAGBBAKS-48 WT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 4G PARALLEL 208MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 208MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 137-VFBGA
공급자 장치 패키지: 137-VFBGA (13x10.5)

재고 있음6,660

MT29C4G48MAAHBAAKS-5 WT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 4G PARAL 137VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 4Gb (256M x 16)(NAND), 2Gb (64M x 32)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 137-VFBGA
공급자 장치 패키지: 137-VFBGA (13x10.5)

재고 있음5,778

MT29C4G48MAAHBAAKS-5 WT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 4G PARAL 137VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 4Gb (256M x 16)(NAND), 2Gb (64M x 32)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 137-VFBGA
공급자 장치 패키지: 137-VFBGA (13x10.5)

재고 있음6,732

MT29C4G48MAYAMAKC-5 IT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 4G PARAL 107TFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)(NAND), 2Gb (128M x 16)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 107-TFBGA
공급자 장치 패키지: 107-TFBGA

재고 있음8,190

MT29C4G48MAYAPAKD-5 IT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 4G PARAL 137TFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)(NAND), 2Gb (64M x 32)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 137-TFBGA
공급자 장치 패키지: 137-TFBGA (10.5x13)

재고 있음3,418

MT29C4G48MAYBAAKQ-5 WT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 4G PARAL 168WFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)(NAND), 2Gb (64M x 32)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-WFBGA
공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)

재고 있음8,262

MT29C4G48MAYBAAKQ-5 WT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 4G PARAL 168WFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)(NAND), 2Gb (64M x 32)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-WFBGA
공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)

재고 있음8,748

MT29C4G48MAYBBAHK-48 AIT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 4G PARALLEL 208MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 208MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 137-VFBGA
공급자 장치 패키지: 137-VFBGA (13x10.5)

재고 있음3,636

MT29C4G48MAYBBAHK-48 AIT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 4G PARALLEL 208MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 208MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 137-VFBGA
공급자 장치 패키지: 137-VFBGA (13x10.5)

재고 있음3,960

MT29C4G48MAYBBAKS-48 IT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH LPDRAM 137VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,724

MT29C4G48MAYBBAKS-48 IT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH LPDRAM 137VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,344

MT29C4G48MAYBBAMR-48 IT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH LPDRAM 6G 130MCP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 130-VFBGA
공급자 장치 패키지: 130-VFBGA (8x9)

재고 있음5,346

MT29C4G48MAYBBAMR-48 IT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH LPDRAM 6G 130MCP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 130-VFBGA
공급자 장치 패키지: 130-VFBGA (8x9)

재고 있음12,834

MT29C4G48MAZAMAKC-5 IT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 4G PARAL 107TFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 4Gb (256M x 16)(NAND), 2Gb (128M x 16)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 107-TFBGA
공급자 장치 패키지: 107-TFBGA

재고 있음3,492

MT29C4G48MAZAMAMK-5 IT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 4G PARAL 153VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 4Gb (256M x 16)(NAND), 2Gb (128M x 16)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 153-VFBGA
공급자 장치 패키지: 153-VFBGA

재고 있음7,344

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