메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
MT29C1G12MAAIYAMD-5 IT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 1G PARAL 130VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)(NAND), 512Mb (16M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 130-VFBGA 공급자 장치 패키지: 130-VFBGA (8x9)	재고 있음8,046
MT29C1G12MAAIYAMD-5 IT TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 1G PARAL 130VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)(NAND), 512Mb (16M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 130-VFBGA 공급자 장치 패키지: 130-VFBGA (8x9)	재고 있음5,652
MT29C1G12MAAIYAMR-5 AIT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 1G PARALLEL 200MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)(NAND), 512M (16M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 130-VFBGA 공급자 장치 패키지: 130-VFBGA (8x9)	재고 있음6,390
MT29C1G12MAAIYAMR-5 AIT TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 1G PARALLEL 200MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)(NAND), 512M (16M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 130-VFBGA 공급자 장치 패키지: 130-VFBGA (8x9)	재고 있음3,114
MT29C1G12MAAJAFAMD-6 IT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 1G PARAL 130VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)(NAND), 512Mb (16M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 130-VFBGA 공급자 장치 패키지: 130-VFBGA (8x9)	재고 있음7,038
MT29C1G12MAAJVAKC-5 IT Micron Technology Inc.	기억 MCP 64MX16/32MX16 VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,622
MT29C1G12MAAJVAKC-5 IT TR Micron Technology Inc.	기억 MCP 64MX16/32MX16 PLASTIC GREEN 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,806
MT29C1G12MAAJVAMD-5 IT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH NAND LPDDR 1.5G 130MCP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 130-VFBGA 공급자 장치 패키지: 130-VFBGA (8x9)	재고 있음5,994
MT29C1G12MAAJVAMD-5 IT TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH NAND LPDDR 1.5G 130MCP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 130-VFBGA 공급자 장치 패키지: 130-VFBGA (8x9)	재고 있음3,834
MT29C1G12MAAJYAMD-5 IT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 1G PARAL 130VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)(NAND), 512Mb (16M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 130-VFBGA 공급자 장치 패키지: 130-VFBGA (8x9)	재고 있음3,906
MT29C1G12MAAJYAMD-5 IT TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 1G PARAL 130VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)(NAND), 512Mb (16M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 130-VFBGA 공급자 장치 패키지: 130-VFBGA (8x9)	재고 있음3,078
MT29C1G56MAACAAAMD-5 IT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 1G PARAL 130VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)(NAND), 256Mb (16M x 16)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 130-VFBGA 공급자 장치 패키지: 130-VFBGA (8x9)	재고 있음6,696
MT29C1G56MAACAUAMD-5 IT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 1G PARAL 130VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)(NAND), 256Mb (8M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 130-VFBGA 공급자 장치 패키지: 130-VFBGA (8x9)	재고 있음7,902
MT29C1G56MAACAVAMD-6 IT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 1G PARAL 130VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)(NAND), 256Mb (8M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 130-VFBGA 공급자 장치 패키지: 130-VFBGA (8x9)	재고 있음2,394
MT29C2DBGM-DC TR Micron Technology Inc.	기억 MASSFLASH/LPDDR2 8G 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,544
MT29C2G24MAAAAHAKC-5 E IT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH/LPDRAM 3GBIT 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,424
MT29C2G24MAAAAHAKC-5 IT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH/LPDRAM 3GBIT 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,168
MT29C2G24MAAAAHAMD-5 IT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 2G PARAL 130VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 2Gb (256M x 8)(NAND), 1Gb (64M x 16)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 130-VFBGA 공급자 장치 패키지: 130-VFBGA (8x9)	재고 있음6,264
MT29C2G24MAAAAHAMD-5 IT TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 2G PARAL 130VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 2Gb (256M x 8)(NAND), 1Gb (64M x 16)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 130-VFBGA 공급자 장치 패키지: 130-VFBGA (8x9)	재고 있음3,726
MT29C2G24MAAAAHAML-5 IT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 2G PARAL 153VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 2Gb (256M x 8)(NAND), 1Gb (64M x 16)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 153-VFBGA 공급자 장치 패키지: 153-VFBGA	재고 있음7,254
MT29C2G24MAAAAKAKD-5 IT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 2G PARAL 137TFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 2Gb (256M x 8)(NAND), 1Gb (32M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 137-TFBGA 공급자 장치 패키지: 137-TFBGA (10.5x13)	재고 있음3,240
MT29C2G24MAAAAKAKD-5 IT TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 2G PARAL 137TFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 2Gb (256M x 8)(NAND), 1Gb (32M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 137-TFBGA 공급자 장치 패키지: 137-TFBGA (10.5x13)	재고 있음3,580
MT29C2G24MAAAAKAMD-5 IT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 2G PARAL 130VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 2Gb (256M x 8)(NAND), 1Gb (32M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 130-VFBGA 공급자 장치 패키지: 130-VFBGA (8x9)	재고 있음13,816
MT29C2G24MAAAAKAMD-5 IT TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 2G PARAL 130VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 2Gb (256M x 8)(NAND), 1Gb (32M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 130-VFBGA 공급자 장치 패키지: 130-VFBGA (8x9)	재고 있음5,076
MT29C2G24MAAAAKAML-5 IT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 2G PARAL 153VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 2Gb (256M x 8)(NAND), 1Gb (32M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 153-VFBGA 공급자 장치 패키지: 153-VFBGA	재고 있음6,660
MT29C2G24MAABAHAKC-5 E IT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 2G PARAL 107TFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 2Gb (128M x 16)(NAND), 1Gb (64M x 16)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 107-TFBGA 공급자 장치 패키지: 107-TFBGA	재고 있음6,696
MT29C2G24MAABAHAKC-5 IT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 2G PARAL 107TFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 2Gb (128M x 16)(NAND), 1Gb (64M x 16)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 107-TFBGA 공급자 장치 패키지: 107-TFBGA	재고 있음22,642
MT29C2G24MAABAHAMD-5 E IT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 2G PARAL 130VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 2Gb (128M x 16)(NAND), 1Gb (64M x 16)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 130-VFBGA 공급자 장치 패키지: 130-VFBGA (8x9)	재고 있음3,240
MT29C2G24MAABAHAMD-5 IT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 2G PARAL 130VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 2Gb (128M x 16)(NAND), 1Gb (64M x 16)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 130-VFBGA 공급자 장치 패키지: 130-VFBGA (8x9)	재고 있음3,454
MT29C2G24MAABAHAMD-5 IT TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 2G PARAL 130VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기: 2Gb (128M x 16)(NAND), 1Gb (64M x 16)(LPDRAM) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 130-VFBGA 공급자 장치 패키지: 130-VFBGA (8x9)	재고 있음7,866

MT29C1G12MAAIYAMD-5 IT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 1G PARAL 130VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)(NAND), 512Mb (16M x 32)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 130-VFBGA
공급자 장치 패키지: 130-VFBGA (8x9)

재고 있음8,046

MT29C1G12MAAIYAMD-5 IT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 1G PARAL 130VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)(NAND), 512Mb (16M x 32)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 130-VFBGA
공급자 장치 패키지: 130-VFBGA (8x9)

재고 있음5,652

MT29C1G12MAAIYAMR-5 AIT

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기억

IC FLASH RAM 1G PARALLEL 200MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)(NAND), 512M (16M x 32)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 130-VFBGA
공급자 장치 패키지: 130-VFBGA (8x9)

재고 있음6,390

MT29C1G12MAAIYAMR-5 AIT TR

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IC FLASH RAM 1G PARALLEL 200MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)(NAND), 512M (16M x 32)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 130-VFBGA
공급자 장치 패키지: 130-VFBGA (8x9)

재고 있음3,114

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IC FLASH RAM 1G PARAL 130VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)(NAND), 512Mb (16M x 32)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 130-VFBGA
공급자 장치 패키지: 130-VFBGA (8x9)

재고 있음7,038

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Micron Technology Inc.

기억

MCP 64MX16/32MX16 VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,622

MT29C1G12MAAJVAKC-5 IT TR

Micron Technology Inc.

기억

MCP 64MX16/32MX16 PLASTIC GREEN

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,806

MT29C1G12MAAJVAMD-5 IT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH NAND LPDDR 1.5G 130MCP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 130-VFBGA
공급자 장치 패키지: 130-VFBGA (8x9)

재고 있음5,994

MT29C1G12MAAJVAMD-5 IT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH NAND LPDDR 1.5G 130MCP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 130-VFBGA
공급자 장치 패키지: 130-VFBGA (8x9)

재고 있음3,834

MT29C1G12MAAJYAMD-5 IT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 1G PARAL 130VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)(NAND), 512Mb (16M x 32)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 130-VFBGA
공급자 장치 패키지: 130-VFBGA (8x9)

재고 있음3,906

MT29C1G12MAAJYAMD-5 IT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 1G PARAL 130VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)(NAND), 512Mb (16M x 32)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 130-VFBGA
공급자 장치 패키지: 130-VFBGA (8x9)

재고 있음3,078

MT29C1G56MAACAAAMD-5 IT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 1G PARAL 130VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)(NAND), 256Mb (16M x 16)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 130-VFBGA
공급자 장치 패키지: 130-VFBGA (8x9)

재고 있음6,696

MT29C1G56MAACAUAMD-5 IT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 1G PARAL 130VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)(NAND), 256Mb (8M x 32)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 130-VFBGA
공급자 장치 패키지: 130-VFBGA (8x9)

재고 있음7,902

MT29C1G56MAACAVAMD-6 IT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 1G PARAL 130VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)(NAND), 256Mb (8M x 32)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 130-VFBGA
공급자 장치 패키지: 130-VFBGA (8x9)

재고 있음2,394

MT29C2DBGM-DC TR

Micron Technology Inc.

기억

MASSFLASH/LPDDR2 8G

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,544

MT29C2G24MAAAAHAKC-5 E IT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH/LPDRAM 3GBIT

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,424

MT29C2G24MAAAAHAKC-5 IT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH/LPDRAM 3GBIT

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,168

MT29C2G24MAAAAHAMD-5 IT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 2G PARAL 130VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 2Gb (256M x 8)(NAND), 1Gb (64M x 16)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 130-VFBGA
공급자 장치 패키지: 130-VFBGA (8x9)

재고 있음6,264

MT29C2G24MAAAAHAMD-5 IT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 2G PARAL 130VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 2Gb (256M x 8)(NAND), 1Gb (64M x 16)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 130-VFBGA
공급자 장치 패키지: 130-VFBGA (8x9)

재고 있음3,726

MT29C2G24MAAAAHAML-5 IT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 2G PARAL 153VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 2Gb (256M x 8)(NAND), 1Gb (64M x 16)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 153-VFBGA
공급자 장치 패키지: 153-VFBGA

재고 있음7,254

MT29C2G24MAAAAKAKD-5 IT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 2G PARAL 137TFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 2Gb (256M x 8)(NAND), 1Gb (32M x 32)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 137-TFBGA
공급자 장치 패키지: 137-TFBGA (10.5x13)

재고 있음3,240

MT29C2G24MAAAAKAKD-5 IT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 2G PARAL 137TFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 2Gb (256M x 8)(NAND), 1Gb (32M x 32)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 137-TFBGA
공급자 장치 패키지: 137-TFBGA (10.5x13)

재고 있음3,580

MT29C2G24MAAAAKAMD-5 IT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 2G PARAL 130VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 2Gb (256M x 8)(NAND), 1Gb (32M x 32)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 130-VFBGA
공급자 장치 패키지: 130-VFBGA (8x9)

재고 있음13,816

MT29C2G24MAAAAKAMD-5 IT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 2G PARAL 130VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 2Gb (256M x 8)(NAND), 1Gb (32M x 32)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 130-VFBGA
공급자 장치 패키지: 130-VFBGA (8x9)

재고 있음5,076

MT29C2G24MAAAAKAML-5 IT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 2G PARAL 153VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 2Gb (256M x 8)(NAND), 1Gb (32M x 32)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 153-VFBGA
공급자 장치 패키지: 153-VFBGA

재고 있음6,660

MT29C2G24MAABAHAKC-5 E IT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 2G PARAL 107TFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)(NAND), 1Gb (64M x 16)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 107-TFBGA
공급자 장치 패키지: 107-TFBGA

재고 있음6,696

MT29C2G24MAABAHAKC-5 IT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 2G PARAL 107TFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)(NAND), 1Gb (64M x 16)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 107-TFBGA
공급자 장치 패키지: 107-TFBGA

재고 있음22,642

MT29C2G24MAABAHAMD-5 E IT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 2G PARAL 130VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)(NAND), 1Gb (64M x 16)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 130-VFBGA
공급자 장치 패키지: 130-VFBGA (8x9)

재고 있음3,240

MT29C2G24MAABAHAMD-5 IT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 2G PARAL 130VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)(NAND), 1Gb (64M x 16)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 130-VFBGA
공급자 장치 패키지: 130-VFBGA (8x9)

재고 있음3,454

MT29C2G24MAABAHAMD-5 IT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 2G PARAL 130VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)(NAND), 1Gb (64M x 16)(LPDRAM)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 130-VFBGA
공급자 장치 패키지: 130-VFBGA (8x9)

재고 있음7,866

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