메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
R1LV0108ESF-7SR#S0 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-TSOP (8x20)	재고 있음7,218
R1LV0108ESN-5SI#B0 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 1M PARALLEL 32SOP 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-SOIC (0.450", 11.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-SOP	재고 있음9,360
R1LV0108ESN-5SI#S0 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 1M PARALLEL 32SOP 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-SOIC (0.450", 11.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-SOP	재고 있음6,552
R1LV0108ESN-5SR#B0 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 1M PARALLEL 32SOP 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-SOIC (0.450", 11.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-SOP	재고 있음6,552
R1LV0108ESN-5SR#S0 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 1M PARALLEL 32SOP 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-SOIC (0.450", 11.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-SOP	재고 있음5,634
R1LV0108ESN-7SI#B0 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 1M PARALLEL 32SOP 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-SOIC (0.450", 11.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-SOP	재고 있음4,842
R1LV0108ESN-7SI#S0 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 1M PARALLEL 32SOP 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-SOIC (0.450", 11.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-SOP	재고 있음8,982
R1LV0108ESN-7SR#B0 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 1M PARALLEL 32SOP 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-SOIC (0.450", 11.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-SOP	재고 있음8,424
R1LV0108ESN-7SR#S0 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 1M PARALLEL 32SOP 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-SOIC (0.450", 11.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-SOP	재고 있음4,446
R1LV0208BSA-5SI#B0 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 2M PARALLEL 32STSOP 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 2Mb (256K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-sTSOP	재고 있음2,322
R1LV0208BSA-5SI#B1 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 2M PARALLEL 32STSOP 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 2Mb (256K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-sTSOP	재고 있음8,352
R1LV0208BSA-5SI#S0 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 2M PARALLEL 32STSOP 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 2Mb (256K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-sTSOP	재고 있음3,690
R1LV0208BSA-5SI#S1 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 2M PARALLEL 32STSOP 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 2Mb (256K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-sTSOP	재고 있음6,966
R1LV0208BSA-7SI#B0 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 2MBIT 70NS 32STSOP 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 2Mb (256K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-sTSOP	재고 있음6,264
R1LV0208BSA-7SI#S0 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 2MBIT 70NS 32TSOP 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 2Mb (256K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-sTSOP	재고 있음5,634
R1LV0216BSB-5SI#B0 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 2Mb (128K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음4,248
R1LV0216BSB-5SI#B1 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 2Mb (128K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음8,328
R1LV0216BSB-5SI#S0 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 2Mb (128K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음3,222
R1LV0216BSB-5SI#S1 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 2Mb (128K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음3,258
R1LV0216BSB-7SI#B0 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 2Mb (128K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음5,166
R1LV0216BSB-7SI#S0 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 2MBIT 70NS 44TSOP 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 2Mb (128K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음3,330
R1LV0408DSB-5SI#B0 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-TSOP II	재고 있음3,418
R1LV0808ASB-5SI#B0 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 8Mb (1M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음2,304
R1LV0808ASB-5SI#S0 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 8Mb (1M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음2,556
R1LV0808ASB-7SI#B0 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 8Mb (1M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 2.4V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음5,418
R1LV0808ASB-7SI#S0 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 8Mb (1M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 2.4V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음6,642
R1LV0816ABG-5SI#B0 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 8M PARALLEL 48FBGA 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 8Mb (512K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFBGA 공급자 장치 패키지: 48-FBGA (7.5x8.5)	재고 있음2,466
R1LV0816ABG-5SI#S0 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 8M PARALLEL 48CSP 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 8Mb (512K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFBGA 공급자 장치 패키지: 48-FBGA (7.5x8.5)	재고 있음8,730
R1LV0816ABG-7SI#B0 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 8M PARALLEL 48FBGA 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 8Mb (512K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 2.4V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFBGA 공급자 장치 패키지: 48-FBGA (7.5x8.5)	재고 있음4,698
R1LV0816ABG-7SI#S0 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 8M PARALLEL 48CSP 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 8Mb (512K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 2.4V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFBGA 공급자 장치 패키지: 48-FBGA (7.5x8.5)	재고 있음4,878

R1LV0108ESF-7SR#S0

Renesas Electronics America

기억

IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 32-TSOP (8x20)

재고 있음7,218

R1LV0108ESN-5SI#B0

Renesas Electronics America

기억

IC SRAM 1M PARALLEL 32SOP

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-SOIC (0.450", 11.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 32-SOP

재고 있음9,360

R1LV0108ESN-5SI#S0

Renesas Electronics America

기억

IC SRAM 1M PARALLEL 32SOP

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-SOIC (0.450", 11.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 32-SOP

재고 있음6,552

R1LV0108ESN-5SR#B0

Renesas Electronics America

기억

IC SRAM 1M PARALLEL 32SOP

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-SOIC (0.450", 11.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 32-SOP

재고 있음6,552

R1LV0108ESN-5SR#S0

Renesas Electronics America

기억

IC SRAM 1M PARALLEL 32SOP

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-SOIC (0.450", 11.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 32-SOP

재고 있음5,634

R1LV0108ESN-7SI#B0

Renesas Electronics America

기억

IC SRAM 1M PARALLEL 32SOP

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-SOIC (0.450", 11.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 32-SOP

재고 있음4,842

R1LV0108ESN-7SI#S0

Renesas Electronics America

기억

IC SRAM 1M PARALLEL 32SOP

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-SOIC (0.450", 11.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 32-SOP

재고 있음8,982

R1LV0108ESN-7SR#B0

Renesas Electronics America

기억

IC SRAM 1M PARALLEL 32SOP

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-SOIC (0.450", 11.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 32-SOP

재고 있음8,424

R1LV0108ESN-7SR#S0

Renesas Electronics America

기억

IC SRAM 1M PARALLEL 32SOP

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-SOIC (0.450", 11.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 32-SOP

재고 있음4,446

R1LV0208BSA-5SI#B0

Renesas Electronics America

기억

IC SRAM 2M PARALLEL 32STSOP

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 2Mb (256K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width)
공급자 장치 패키지: 32-sTSOP

재고 있음2,322

R1LV0208BSA-5SI#B1

Renesas Electronics America

기억

IC SRAM 2M PARALLEL 32STSOP

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 2Mb (256K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width)
공급자 장치 패키지: 32-sTSOP

재고 있음8,352

R1LV0208BSA-5SI#S0

Renesas Electronics America

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IC SRAM 2M PARALLEL 32STSOP

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 2Mb (256K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width)
공급자 장치 패키지: 32-sTSOP

재고 있음3,690

R1LV0208BSA-5SI#S1

Renesas Electronics America

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IC SRAM 2M PARALLEL 32STSOP

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 2Mb (256K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width)
공급자 장치 패키지: 32-sTSOP

재고 있음6,966

R1LV0208BSA-7SI#B0

Renesas Electronics America

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IC SRAM 2MBIT 70NS 32STSOP

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 2Mb (256K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width)
공급자 장치 패키지: 32-sTSOP

재고 있음6,264

R1LV0208BSA-7SI#S0

Renesas Electronics America

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IC SRAM 2MBIT 70NS 32TSOP

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 2Mb (256K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width)
공급자 장치 패키지: 32-sTSOP

재고 있음5,634

R1LV0216BSB-5SI#B0

Renesas Electronics America

기억

IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 2Mb (128K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP II

재고 있음4,248

R1LV0216BSB-5SI#B1

Renesas Electronics America

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IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 2Mb (128K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP II

재고 있음8,328

R1LV0216BSB-5SI#S0

Renesas Electronics America

기억

IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 2Mb (128K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP II

재고 있음3,222

R1LV0216BSB-5SI#S1

Renesas Electronics America

기억

IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 2Mb (128K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP II

재고 있음3,258

R1LV0216BSB-7SI#B0

Renesas Electronics America

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IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 2Mb (128K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP II

재고 있음5,166

R1LV0216BSB-7SI#S0

Renesas Electronics America

기억

IC SRAM 2MBIT 70NS 44TSOP

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 2Mb (128K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP II

재고 있음3,330

R1LV0408DSB-5SI#B0

Renesas Electronics America

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 32-TSOP II

재고 있음3,418

R1LV0808ASB-5SI#B0

Renesas Electronics America

기억

IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 8Mb (1M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP II

재고 있음2,304

R1LV0808ASB-5SI#S0

Renesas Electronics America

기억

IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 8Mb (1M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP II

재고 있음2,556

R1LV0808ASB-7SI#B0

Renesas Electronics America

기억

IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 8Mb (1M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 2.4V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP II

재고 있음5,418

R1LV0808ASB-7SI#S0

Renesas Electronics America

기억

IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 8Mb (1M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 2.4V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP II

재고 있음6,642

R1LV0816ABG-5SI#B0

Renesas Electronics America

기억

IC SRAM 8M PARALLEL 48FBGA

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 8Mb (512K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFBGA
공급자 장치 패키지: 48-FBGA (7.5x8.5)

재고 있음2,466

R1LV0816ABG-5SI#S0

Renesas Electronics America

기억

IC SRAM 8M PARALLEL 48CSP

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 8Mb (512K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFBGA
공급자 장치 패키지: 48-FBGA (7.5x8.5)

재고 있음8,730

R1LV0816ABG-7SI#B0

Renesas Electronics America

기억

IC SRAM 8M PARALLEL 48FBGA

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 8Mb (512K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 2.4V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFBGA
공급자 장치 패키지: 48-FBGA (7.5x8.5)

재고 있음4,698

R1LV0816ABG-7SI#S0

Renesas Electronics America

기억

IC SRAM 8M PARALLEL 48CSP

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 8Mb (512K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 2.4V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFBGA
공급자 장치 패키지: 48-FBGA (7.5x8.5)

재고 있음4,878

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