메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
R1RP0416DGE-2PR#B0 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 4M FAST 44-SOJ 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 4Mb (256K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 12ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-SOJ	재고 있음4,662
R1RP0416DSB-2LR#B0 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM IBIS ASYNC 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 4Mb (256K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 12ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음8,118
R1RP0416DSB-2LR#D1 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM IBIS ASYNC 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 4Mb (256K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 12ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음7,002
R1RP0416DSB-2PI#B0 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM IBIS ASYNC 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 4Mb (256K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 12ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음3,852
R1RP0416DSB-2PI#D1 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM IBIS ASYNC 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 4Mb (256K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 12ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음2,100
R1RP0416DSB-2PR#B0 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM IBIS ASYNC 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 4Mb (256K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 12ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음7,668
R1RP0416DSB-2PR#D1 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM IBIS ASYNC 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 4Mb (256K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 12ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음2,934
R1RW0408DGE-0PI#B0 Renesas Electronics America	기억 MICROCOMPUTER 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns 접근 시간: 10ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 36-SOJ	재고 있음2,088
R1RW0408DGE-2LR#B0 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 4M FAST 36-SOJ 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 12ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 36-SOJ	재고 있음2,880
R1RW0408DGE-2PI#B0 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 4M FAST 36-SOJ 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 12ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 36-SOJ	재고 있음4,986
R1RW0408DGE-2PR#B0 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 4M FAST 36-SOJ 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 12ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 36-SOJ	재고 있음6,750
R1RW0416DGE-2PI#B0 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 4M FAST 44-SOJ 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 4Mb (256K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 12ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-SOJ	재고 있음6,408
R1RW0416DGE-2PR#B0 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 4M FAST 44-SOJ 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 4Mb (256K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 12ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-SOJ	재고 있음100
R1RW0416DSB-2LR#B0 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM IBIS ASYNC 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 4Mb (256K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 12ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음2,754
R1RW0416DSB-2LR#D1 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM IBIS ASYNC 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 4Mb (256K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 12ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음3,114
R1RW0416DSB-2PI#B0 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM IBIS ASYNC 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 4Mb (256K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 12ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음5,364
R1RW0416DSB-2PI#D0 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 4Mb (256K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 12ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음7,596
R1RW0416DSB-2PI#D1 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 4Mb (256K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 12ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음7,632
R1RW0416DSB-2PR#B0 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM IBIS ASYNC 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 4Mb (256K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 12ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음7,110
R1RW0416DSB-2PR#D1 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM IBIS ASYNC 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 4Mb (256K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 12ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음7,452
R1WV3216RBG-7SI#B0 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 32M PARALLEL 48BGA 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 32Mb (2M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFBGA 공급자 장치 패키지: 48-FBGA (7.5x8.5)	재고 있음4,446
R1WV3216RBG-7SI#S0 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 32M PARALLEL 48BGA 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 32Mb (2M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFBGA 공급자 장치 패키지: 48-FBGA (7.5x8.5)	재고 있음5,184
R1WV3216RBG-7SR#B0 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 32M PARALLEL 48FBGA 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 32Mb (2M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFBGA 공급자 장치 패키지: 48-FBGA (7.5x8.5)	재고 있음5,382
R1WV6416RBG-5SI#B0 Renesas Electronics America	기억 64M MCP(2X32M) ADV.SRAM 3V FBGA 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFBGA 공급자 장치 패키지: 48-TFBGA (8.5x11)	재고 있음8,136
R1WV6416RBG-5SI#S0 Renesas Electronics America	기억 64M MCP(2X32M) ADV.SRAM 3V FBGA 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFBGA 공급자 장치 패키지: 48-TFBGA (8.5x11)	재고 있음7,434
R1WV6416RSA-5SI#B0 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 32MBIT 48TSOP 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I	재고 있음972
R1WV6416RSA-5SI#S0 Renesas Electronics America	기억 64M ADV LPSRAM, STACKED, TSOP, P 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I	재고 있음4,248
R1WV6416RSA-7SR#B0 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 64M PARALLEL 48TSOP 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I	재고 있음8,694
R1WV6416RSD-5SI#B0 Renesas Electronics America	기억 64M ADV LPSRAM, STACKED, UTSOP, 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width) 공급자 장치 패키지: 52-TSOP II	재고 있음8,982
R1WV6416RSD-5SI#S0 Renesas Electronics America	기억 64M ADV LPSRAM, STACKED, UTSOP, 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width) 공급자 장치 패키지: 52-TSOP II	재고 있음7,128

R1RP0416DGE-2PR#B0

Renesas Electronics America

기억

IC SRAM 4M FAST 44-SOJ

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
접근 시간: 12ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-SOJ

재고 있음4,662

R1RP0416DSB-2LR#B0

Renesas Electronics America

기억

IC SRAM IBIS ASYNC

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
접근 시간: 12ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP II

재고 있음8,118

R1RP0416DSB-2LR#D1

Renesas Electronics America

기억

IC SRAM IBIS ASYNC

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
접근 시간: 12ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP II

재고 있음7,002

R1RP0416DSB-2PI#B0

Renesas Electronics America

기억

IC SRAM IBIS ASYNC

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
접근 시간: 12ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP II

재고 있음3,852

R1RP0416DSB-2PI#D1

Renesas Electronics America

기억

IC SRAM IBIS ASYNC

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
접근 시간: 12ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP II

재고 있음2,100

R1RP0416DSB-2PR#B0

Renesas Electronics America

기억

IC SRAM IBIS ASYNC

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
접근 시간: 12ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP II

재고 있음7,668

R1RP0416DSB-2PR#D1

Renesas Electronics America

기억

IC SRAM IBIS ASYNC

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
접근 시간: 12ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP II

재고 있음2,934

R1RW0408DGE-0PI#B0

Renesas Electronics America

기억

MICROCOMPUTER

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
접근 시간: 10ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 36-SOJ

재고 있음2,088

R1RW0408DGE-2LR#B0

Renesas Electronics America

기억

IC SRAM 4M FAST 36-SOJ

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
접근 시간: 12ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 36-SOJ

재고 있음2,880

R1RW0408DGE-2PI#B0

Renesas Electronics America

기억

IC SRAM 4M FAST 36-SOJ

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
접근 시간: 12ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 36-SOJ

재고 있음4,986

R1RW0408DGE-2PR#B0

Renesas Electronics America

기억

IC SRAM 4M FAST 36-SOJ

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
접근 시간: 12ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 36-SOJ

재고 있음6,750

R1RW0416DGE-2PI#B0

Renesas Electronics America

기억

IC SRAM 4M FAST 44-SOJ

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
접근 시간: 12ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-SOJ

재고 있음6,408

R1RW0416DGE-2PR#B0

Renesas Electronics America

기억

IC SRAM 4M FAST 44-SOJ

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
접근 시간: 12ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-SOJ

재고 있음100

R1RW0416DSB-2LR#B0

Renesas Electronics America

기억

IC SRAM IBIS ASYNC

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
접근 시간: 12ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP II

재고 있음2,754

R1RW0416DSB-2LR#D1

Renesas Electronics America

기억

IC SRAM IBIS ASYNC

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
접근 시간: 12ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP II

재고 있음3,114

R1RW0416DSB-2PI#B0

Renesas Electronics America

기억

IC SRAM IBIS ASYNC

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
접근 시간: 12ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP II

재고 있음5,364

R1RW0416DSB-2PI#D0

Renesas Electronics America

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
접근 시간: 12ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP II

재고 있음7,596

R1RW0416DSB-2PI#D1

Renesas Electronics America

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
접근 시간: 12ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP II

재고 있음7,632

R1RW0416DSB-2PR#B0

Renesas Electronics America

기억

IC SRAM IBIS ASYNC

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
접근 시간: 12ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP II

재고 있음7,110

R1RW0416DSB-2PR#D1

Renesas Electronics America

기억

IC SRAM IBIS ASYNC

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
접근 시간: 12ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP II

재고 있음7,452

R1WV3216RBG-7SI#B0

Renesas Electronics America

기억

IC SRAM 32M PARALLEL 48BGA

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 32Mb (2M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFBGA
공급자 장치 패키지: 48-FBGA (7.5x8.5)

재고 있음4,446

R1WV3216RBG-7SI#S0

Renesas Electronics America

기억

IC SRAM 32M PARALLEL 48BGA

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 32Mb (2M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFBGA
공급자 장치 패키지: 48-FBGA (7.5x8.5)

재고 있음5,184

R1WV3216RBG-7SR#B0

Renesas Electronics America

기억

IC SRAM 32M PARALLEL 48FBGA

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 32Mb (2M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFBGA
공급자 장치 패키지: 48-FBGA (7.5x8.5)

재고 있음5,382

R1WV6416RBG-5SI#B0

Renesas Electronics America

기억

64M MCP(2X32M) ADV.SRAM 3V FBGA

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFBGA
공급자 장치 패키지: 48-TFBGA (8.5x11)

재고 있음8,136

R1WV6416RBG-5SI#S0

Renesas Electronics America

기억

64M MCP(2X32M) ADV.SRAM 3V FBGA

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFBGA
공급자 장치 패키지: 48-TFBGA (8.5x11)

재고 있음7,434

R1WV6416RSA-5SI#B0

Renesas Electronics America

기억

IC SRAM 32MBIT 48TSOP

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 48-TSOP I

재고 있음972

R1WV6416RSA-5SI#S0

Renesas Electronics America

기억

64M ADV LPSRAM, STACKED, TSOP, P

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 48-TSOP I

재고 있음4,248

R1WV6416RSA-7SR#B0

Renesas Electronics America

기억

IC SRAM 64M PARALLEL 48TSOP

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 48-TSOP I

재고 있음8,694

R1WV6416RSD-5SI#B0

Renesas Electronics America

기억

64M ADV LPSRAM, STACKED, UTSOP,

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width)
공급자 장치 패키지: 52-TSOP II

재고 있음8,982

R1WV6416RSD-5SI#S0

Renesas Electronics America

기억

64M ADV LPSRAM, STACKED, UTSOP,

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width)
공급자 장치 패키지: 52-TSOP II

재고 있음7,128

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