메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
R1LV3216RSA-7SI#S0 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 32M PARALLEL 48TSOP 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I	재고 있음8,046
R1LV3216RSA-7SR#B0 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 32M PARALLEL 48TSOP I 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I	재고 있음6,570
R1LV3216RSA-7SR#S0 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 32M PARALLEL 48TSOP I 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I	재고 있음8,622
R1LV3216RSD-5SI#B0 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 32M PARALLEL 52TSOP II 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width) 공급자 장치 패키지: 52-TSOP II	재고 있음7,044
R1LV3216RSD-5SI#S0 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 32M PARALLEL 52TSOP II 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width) 공급자 장치 패키지: 52-TSOP II	재고 있음6,588
R1LV3216RSD-7SI#B0 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 32M PARALLEL 52TSOP II 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width) 공급자 장치 패키지: 52-TSOP II	재고 있음5,994
R1LV3216RSD-7SI#S0 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 32M PARALLEL 52TSOP II 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width) 공급자 장치 패키지: 52-TSOP II	재고 있음8,730
R1LV5256ESA-5SI#B0 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-TSOP	재고 있음7,650
R1LV5256ESA-5SI#B1 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-TSOP	재고 있음8,148
R1LV5256ESA-5SI#S0 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-TSOP	재고 있음6,948
R1LV5256ESA-5SI#S1 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-TSOP	재고 있음12,846
R1LV5256ESA-5SR#B0 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 256KBIT 55NS 28TSOP 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-TSOP	재고 있음2,970
R1LV5256ESA-5SR#S0 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 256KBIT 55NS 28TSOP 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-TSOP	재고 있음4,950
R1LV5256ESA-7SI#B0 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 256KBIT 70NS 28TSOP 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-TSOP	재고 있음7,164
R1LV5256ESA-7SI#S0 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 256KBIT 70NS 28TSOP 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-TSOP	재고 있음8,190
R1LV5256ESA-7SR#B0 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-TSOP	재고 있음7,596
R1LV5256ESA-7SR#S0 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-TSOP	재고 있음6,426
R1LV5256ESP-5SI#B0 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 256K PARALLEL 28SOP 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.330", 8.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-SOP	재고 있음15,924
R1LV5256ESP-5SI#S0 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 256K PARALLEL 28SOP 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.330", 8.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-SOP	재고 있음5,868
R1LV5256ESP-5SR#S0 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 256KBIT 55NS 28SOP 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.342", 8.69mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-SOP	재고 있음3,598
R1LV5256ESP-7SI#B0 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 256K PARALLEL 28SOP 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.330", 8.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-SOP	재고 있음6,912
R1LV5256ESP-7SI#S0 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 256KBIT 70NS 28SOP 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.342", 8.69mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-SOP	재고 있음7,434
R1LV5256ESP-7SR#B0 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 256KBIT 70NS 28SOP 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.330", 8.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-SOP	재고 있음2,304
R1LV5256ESP-7SR#S0 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 256KBIT 70NS 28SOP 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.342", 8.69mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-SOP	재고 있음3,582
R1RP0408DGE-0PI#B0 Renesas Electronics America	기억 MICROCOMPUTER 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns 접근 시간: 10ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 36-SOJ	재고 있음4,968
R1RP0408DGE-2LR#B0 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 4M FAST 36-SOJ 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 12ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 36-SOJ	재고 있음4,572
R1RP0408DGE-2PI#B0 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 4M FAST 36-SOJ 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 12ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 36-SOJ	재고 있음4,410
R1RP0408DGE-2PR#B0 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 4M FAST 36-SOJ 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 12ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 36-SOJ	재고 있음8,658
R1RP0416DGE-2LR#B0 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 4M FAST 44-SOJ 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 4Mb (256K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 12ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-SOJ	재고 있음8,100
R1RP0416DGE-2PI#B0 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 4M FAST 44-SOJ 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 4Mb (256K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 12ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-SOJ	재고 있음8,352

R1LV3216RSA-7SI#S0

Renesas Electronics America

기억

IC SRAM 32M PARALLEL 48TSOP

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 32Mb (4M x 8, 2M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 48-TSOP I

재고 있음8,046

R1LV3216RSA-7SR#B0

Renesas Electronics America

기억

IC SRAM 32M PARALLEL 48TSOP I

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 32Mb (4M x 8, 2M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 48-TSOP I

재고 있음6,570

R1LV3216RSA-7SR#S0

Renesas Electronics America

기억

IC SRAM 32M PARALLEL 48TSOP I

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 32Mb (4M x 8, 2M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 48-TSOP I

재고 있음8,622

R1LV3216RSD-5SI#B0

Renesas Electronics America

기억

IC SRAM 32M PARALLEL 52TSOP II

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 32Mb (4M x 8, 2M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width)
공급자 장치 패키지: 52-TSOP II

재고 있음7,044

R1LV3216RSD-5SI#S0

Renesas Electronics America

기억

IC SRAM 32M PARALLEL 52TSOP II

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 32Mb (4M x 8, 2M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width)
공급자 장치 패키지: 52-TSOP II

재고 있음6,588

R1LV3216RSD-7SI#B0

Renesas Electronics America

기억

IC SRAM 32M PARALLEL 52TSOP II

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 32Mb (4M x 8, 2M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width)
공급자 장치 패키지: 52-TSOP II

재고 있음5,994

R1LV3216RSD-7SI#S0

Renesas Electronics America

기억

IC SRAM 32M PARALLEL 52TSOP II

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 32Mb (4M x 8, 2M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width)
공급자 장치 패키지: 52-TSOP II

재고 있음8,730

R1LV5256ESA-5SI#B0

Renesas Electronics America

기억

IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
공급자 장치 패키지: 28-TSOP

재고 있음7,650

R1LV5256ESA-5SI#B1

Renesas Electronics America

기억

IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
공급자 장치 패키지: 28-TSOP

재고 있음8,148

R1LV5256ESA-5SI#S0

Renesas Electronics America

기억

IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
공급자 장치 패키지: 28-TSOP

재고 있음6,948

R1LV5256ESA-5SI#S1

Renesas Electronics America

기억

IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
공급자 장치 패키지: 28-TSOP

재고 있음12,846

R1LV5256ESA-5SR#B0

Renesas Electronics America

기억

IC SRAM 256KBIT 55NS 28TSOP

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
공급자 장치 패키지: 28-TSOP

재고 있음2,970

R1LV5256ESA-5SR#S0

Renesas Electronics America

기억

IC SRAM 256KBIT 55NS 28TSOP

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
공급자 장치 패키지: 28-TSOP

재고 있음4,950

R1LV5256ESA-7SI#B0

Renesas Electronics America

기억

IC SRAM 256KBIT 70NS 28TSOP

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
공급자 장치 패키지: 28-TSOP

재고 있음7,164

R1LV5256ESA-7SI#S0

Renesas Electronics America

기억

IC SRAM 256KBIT 70NS 28TSOP

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
공급자 장치 패키지: 28-TSOP

재고 있음8,190

R1LV5256ESA-7SR#B0

Renesas Electronics America

기억

IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
공급자 장치 패키지: 28-TSOP

재고 있음7,596

R1LV5256ESA-7SR#S0

Renesas Electronics America

기억

IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
공급자 장치 패키지: 28-TSOP

재고 있음6,426

R1LV5256ESP-5SI#B0

Renesas Electronics America

기억

IC SRAM 256K PARALLEL 28SOP

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.330", 8.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 28-SOP

재고 있음15,924

R1LV5256ESP-5SI#S0

Renesas Electronics America

기억

IC SRAM 256K PARALLEL 28SOP

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.330", 8.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 28-SOP

재고 있음5,868

R1LV5256ESP-5SR#S0

Renesas Electronics America

기억

IC SRAM 256KBIT 55NS 28SOP

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.342", 8.69mm Width)
공급자 장치 패키지: 28-SOP

재고 있음3,598

R1LV5256ESP-7SI#B0

Renesas Electronics America

기억

IC SRAM 256K PARALLEL 28SOP

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.330", 8.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 28-SOP

재고 있음6,912

R1LV5256ESP-7SI#S0

Renesas Electronics America

기억

IC SRAM 256KBIT 70NS 28SOP

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.342", 8.69mm Width)
공급자 장치 패키지: 28-SOP

재고 있음7,434

R1LV5256ESP-7SR#B0

Renesas Electronics America

기억

IC SRAM 256KBIT 70NS 28SOP

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.330", 8.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 28-SOP

재고 있음2,304

R1LV5256ESP-7SR#S0

Renesas Electronics America

기억

IC SRAM 256KBIT 70NS 28SOP

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.342", 8.69mm Width)
공급자 장치 패키지: 28-SOP

재고 있음3,582

R1RP0408DGE-0PI#B0

Renesas Electronics America

기억

MICROCOMPUTER

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
접근 시간: 10ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 36-SOJ

재고 있음4,968

R1RP0408DGE-2LR#B0

Renesas Electronics America

기억

IC SRAM 4M FAST 36-SOJ

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
접근 시간: 12ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 36-SOJ

재고 있음4,572

R1RP0408DGE-2PI#B0

Renesas Electronics America

기억

IC SRAM 4M FAST 36-SOJ

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
접근 시간: 12ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 36-SOJ

재고 있음4,410

R1RP0408DGE-2PR#B0

Renesas Electronics America

기억

IC SRAM 4M FAST 36-SOJ

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
접근 시간: 12ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 36-SOJ

재고 있음8,658

R1RP0416DGE-2LR#B0

Renesas Electronics America

기억

IC SRAM 4M FAST 44-SOJ

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
접근 시간: 12ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-SOJ

재고 있음8,100

R1RP0416DGE-2PI#B0

Renesas Electronics America

기억

IC SRAM 4M FAST 44-SOJ

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
접근 시간: 12ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-SOJ

재고 있음8,352

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