메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
S26KL512SDABHV020 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 24FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: HyperFlash™ KL 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 96ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-VBGA 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)	재고 있음15,492
S26KL512SDABHV023 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 100MHZ 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: HyperFlash™ KL 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 96ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-VBGA 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)	재고 있음2,250
S26KL512SDABHV030 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 24FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: HyperFlash™ KL 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 96ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-VBGA 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)	재고 있음15,384
S26KS128SDABHA030 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 128M PARALLEL 24FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ KS 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 128Mb (16M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 96ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-VBGA 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)	재고 있음8,460
S26KS128SDABHB030 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 128M PARALLEL 24FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ KS 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 128Mb (16M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 96ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-VBGA 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)	재고 있음9,876
S26KS128SDABHI030 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 128M PARALLEL 24FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: HyperFlash™ KS 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 128Mb (16M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 96ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-VBGA 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)	재고 있음9,528
S26KS128SDABHM030 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 128M PARALLEL 24FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ KS 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 128Mb (16M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 96ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-VBGA 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)	재고 있음7,116
S26KS128SDABHN030 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 128M PARALLEL 24FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: HyperFlash™ KS 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 128Mb (16M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 96ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-VBGA 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)	재고 있음7,488
S26KS128SDABHV030 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 128M PARALLEL 24FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: HyperFlash™ KS 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 128Mb (16M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 96ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-VBGA 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)	재고 있음10,056
S26KS128SDGBHA030 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 128M PARALLEL 24FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ KS 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 128Mb (16M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 96ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-VBGA 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)	재고 있음7,332
S26KS128SDGBHB030 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 128M PARALLEL 24FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ KS 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 128Mb (16M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 96ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-VBGA 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)	재고 있음8,196
S26KS128SDGBHI030 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 128M PARALLEL 24FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: HyperFlash™ KS 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 128Mb (16M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 96ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-VBGA 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)	재고 있음14,988
S26KS128SDGBHM030 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 128M PARALLEL 24FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ KS 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 128Mb (16M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 96ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-VBGA 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)	재고 있음7,932
S26KS128SDGBHN030 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 128M PARALLEL 24FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: HyperFlash™ KS 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 128Mb (16M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 96ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-VBGA 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)	재고 있음9,276
S26KS128SDGBHV030 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 128M PARALLEL 24FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: HyperFlash™ KS 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 128Mb (16M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 96ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-VBGA 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)	재고 있음17,712
S26KS128SDPBHA020 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 128M PARALLEL 24FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ KS 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 128Mb (16M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 96ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-VBGA 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)	재고 있음9,420
S26KS128SDPBHB020 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 128M PARALLEL 24FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ KS 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 128Mb (16M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 96ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-VBGA 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)	재고 있음14,868
S26KS128SDPBHI020 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 128M PARALLEL 24FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: HyperFlash™ KS 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 128Mb (16M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 96ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-VBGA 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)	재고 있음21,072
S26KS128SDPBHN020 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 128M PARALLEL 24FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: HyperFlash™ KS 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 128Mb (16M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 96ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-VBGA 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)	재고 있음6,252
S26KS128SDPBHV020 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 128M PARALLEL 24FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: HyperFlash™ KS 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 128Mb (16M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 96ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-VBGA 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)	재고 있음12,492
S26KS256SDABHA030 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 256M PARALLEL 24FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ KS 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 256Mb (32M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 96ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-VBGA 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)	재고 있음7,776
S26KS256SDABHB030 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 256M PARALLEL 24FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ KS 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 256Mb (32M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 96ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-VBGA 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)	재고 있음7,488
S26KS256SDABHI030 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 256M PARALLEL 24FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: HyperFlash™ KS 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 256Mb (32M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 96ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-VBGA 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)	재고 있음7,644
S26KS256SDABHM030 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 256M PARALLEL 24FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ KS 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 256Mb (32M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 96ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-VBGA 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)	재고 있음8,760
S26KS256SDABHN030 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 256M PARALLEL 24FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: HyperFlash™ KS 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 256Mb (32M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 96ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-VBGA 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)	재고 있음8,964
S26KS256SDABHV030 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 256M PARALLEL 24FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: HyperFlash™ KS 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 256Mb (32M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 96ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-VBGA 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)	재고 있음8,268
S26KS256SDGBHA030 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 256M PARALLEL 24FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ KS 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 256Mb (32M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 96ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-VBGA 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)	재고 있음8,472
S26KS256SDGBHB030 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 256M PARALLEL 24FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ KS 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 256Mb (32M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 96ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-VBGA 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)	재고 있음7,116
S26KS256SDGBHI030 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 256M PARALLEL 24FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: HyperFlash™ KS 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 256Mb (32M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 96ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-VBGA 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)	재고 있음12,480
S26KS256SDGBHM030 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 256M PARALLEL 24FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ KS 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 256Mb (32M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 96ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-VBGA 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)	재고 있음8,364

S26KL512SDABHV020

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 24FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: HyperFlash™ KL
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 96ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-VBGA
공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)

재고 있음15,492

S26KL512SDABHV023

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 100MHZ

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: HyperFlash™ KL
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 96ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-VBGA
공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)

재고 있음2,250

S26KL512SDABHV030

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 24FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: HyperFlash™ KL
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 96ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-VBGA
공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)

재고 있음15,384

S26KS128SDABHA030

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 128M PARALLEL 24FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ KS
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 128Mb (16M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 96ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-VBGA
공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)

재고 있음8,460

S26KS128SDABHB030

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 128M PARALLEL 24FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ KS
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 128Mb (16M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 96ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-VBGA
공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)

재고 있음9,876

S26KS128SDABHI030

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 128M PARALLEL 24FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: HyperFlash™ KS
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 128Mb (16M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 96ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-VBGA
공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)

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IC FLASH 128M PARALLEL 24FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ KS
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 128Mb (16M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 96ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-VBGA
공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)

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IC FLASH 128M PARALLEL 24FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: HyperFlash™ KS
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 128Mb (16M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 96ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-VBGA
공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)

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IC FLASH 128M PARALLEL 24FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: HyperFlash™ KS
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 128Mb (16M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 96ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-VBGA
공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)

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IC FLASH 128M PARALLEL 24FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ KS
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 128Mb (16M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 96ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-VBGA
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제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ KS
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 128Mb (16M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 96ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-VBGA
공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)

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제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: HyperFlash™ KS
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 128Mb (16M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 96ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-VBGA
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제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ KS
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 128Mb (16M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 96ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-VBGA
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제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: HyperFlash™ KS
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 128Mb (16M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 96ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-VBGA
공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)

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제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: HyperFlash™ KS
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 128Mb (16M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 96ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-VBGA
공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)

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제조업체: Cypress Semiconductor Corp
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메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 128Mb (16M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 96ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-VBGA
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메모리 크기: 128Mb (16M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
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전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
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패키지 / 케이스: 24-VBGA
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메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 128Mb (16M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 96ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-VBGA
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IC FLASH 128M PARALLEL 24FBGA

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시리즈: HyperFlash™ KS
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 128Mb (16M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 96ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
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IC FLASH 128M PARALLEL 24FBGA

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시리즈: HyperFlash™ KS
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 128Mb (16M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
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전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
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IC FLASH 256M PARALLEL 24FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ KS
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
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시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 96ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
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패키지 / 케이스: 24-VBGA
공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)

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IC FLASH 256M PARALLEL 24FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ KS
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
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시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 96ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-VBGA
공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)

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IC FLASH 256M PARALLEL 24FBGA

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시리즈: HyperFlash™ KS
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 96ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-VBGA
공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)

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메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 96ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-VBGA
공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)

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IC FLASH 256M PARALLEL 24FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: HyperFlash™ KS
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 96ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-VBGA
공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)

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IC FLASH 256M PARALLEL 24FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: HyperFlash™ KS
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 96ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-VBGA
공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)

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IC FLASH 256M PARALLEL 24FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
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메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 96ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-VBGA
공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)

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IC FLASH 256M PARALLEL 24FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ KS
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 96ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-VBGA
공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)

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제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: HyperFlash™ KS
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 96ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-VBGA
공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)

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기술: FLASH - NOR
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메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
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전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
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