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메모리 IC

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S26KS256SDGBHN030
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Cypress Semiconductor

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IC FLASH 256M PARALLEL 24FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: HyperFlash™ KS
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 96ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 24-VBGA
  • 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)
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S26KS256SDGBHV030
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IC FLASH 256M PARALLEL 24FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: HyperFlash™ KS
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 96ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 24-VBGA
  • 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)
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S26KS256SDPBHA020
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IC FLASH 256M PARALLEL 24FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ KS
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 166MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 96ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 24-VBGA
  • 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)
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IC FLASH 256M PARALLEL 24FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ KS
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 166MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 96ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 24-VBGA
  • 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)
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IC FLASH 256M PARALLEL 24FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ KS
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 166MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 96ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 24-VBGA
  • 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)
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IC FLASH 256M PARALLEL 24FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: HyperFlash™ KS
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 166MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 96ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
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  • 패키지 / 케이스: 24-VBGA
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IC FLASH 256M PARALLEL 166MHZ

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100, HyperRAM™ KS
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 166MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 96ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 24-VBGA
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IC FLASH 256M PARALLEL 166MHZ

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100, HyperRAM™ KS
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 166MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
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  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
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  • 패키지 / 케이스: 24-VBGA
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IC FLASH 256M PARALLEL 24FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: HyperFlash™ KS
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 166MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 96ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 24-VBGA
  • 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)
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IC FLASH 256M PARALLEL 24FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: HyperFlash™ KS
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 166MHz
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IC FLASH 512M PARALLEL 24FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ KS
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 100MHz
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  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
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  • 패키지 / 케이스: 24-VBGA
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IC FLASH 512M PARALLEL 24FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ KS
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 100MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 96ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 24-VBGA
  • 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)
재고 있음16,548
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IC FLASH 512M PARALLEL 24FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: HyperFlash™ KS
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 100MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 96ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 24-VBGA
  • 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)
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IC FLASH 512M PARALLEL 24FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ KS
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 100MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 96ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
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  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 24-VBGA
  • 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)
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S26KS512SDABHN030
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IC FLASH 512M PARALLEL 24FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: HyperFlash™ KS
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 100MHz
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  • 접근 시간: 96ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
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IC FLASH 512M PARALLEL 24FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: HyperFlash™ KS
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 100MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 96ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 24-VBGA
  • 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)
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IC FLASH 512M PARALLEL 133MHZ

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ KS
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 96ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 24-VBGA
  • 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)
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IC FLASH 512M PARALLEL 24FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ KS
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 96ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 24-VBGA
  • 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)
재고 있음7,326
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IC FLASH 512M PARALLEL 24FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: HyperFlash™ KS
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 96ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 24-VBGA
  • 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)
재고 있음9,396
S26KS512SDGBHM030
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IC FLASH 512M PARALLEL 24FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ KS
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 96ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 24-VBGA
  • 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)
재고 있음7,272
S26KS512SDGBHN030
S26KS512SDGBHN030

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IC FLASH 512M PARALLEL 24FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: HyperFlash™ KS
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 96ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 24-VBGA
  • 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)
재고 있음6,612
S26KS512SDGBHV030
S26KS512SDGBHV030

Cypress Semiconductor

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IC FLASH 512M PARALLEL 24FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: HyperFlash™ KS
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 96ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 24-VBGA
  • 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)
재고 있음8,652
S26KS512SDPBHA020
S26KS512SDPBHA020

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IC FLASH 512M PARALLEL 24FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ KS
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 166MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 96ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 24-VBGA
  • 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)
재고 있음20,352
S26KS512SDPBHA023
S26KS512SDPBHA023

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기억

IC FLASH 512M PARALLEL 166MHZ

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ KS
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 166MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 96ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 24-VBGA
  • 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)
재고 있음6,066
S26KS512SDPBHB020
S26KS512SDPBHB020

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 24FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ KS
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 166MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 96ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 24-VBGA
  • 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)
재고 있음18,060
S26KS512SDPBHI020
S26KS512SDPBHI020

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IC FLASH 512M PARALLEL 24FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: HyperFlash™ KS
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 166MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 96ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 24-VBGA
  • 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)
재고 있음18,972
S26KS512SDPBHM020
S26KS512SDPBHM020

Cypress Semiconductor

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IC NOR

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: *
  • 메모리 유형: -
  • 메모리 포맷: -
  • 기술: -
  • 메모리 크기: -
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음5,796
S26KS512SDPBHN020
S26KS512SDPBHN020

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 24FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: HyperFlash™ KS
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 166MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 96ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 24-VBGA
  • 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)
재고 있음5,994
S26KS512SDPBHV020
S26KS512SDPBHV020

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 24FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: HyperFlash™ KS
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 166MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 96ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 24-VBGA
  • 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)
재고 있음22,278
S27KL0641DABHA020
S27KL0641DABHA020

Cypress Semiconductor

기억

IC DRAM 64M PARALLEL 24FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100, HyperRAM™ KL
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: PSRAM
  • 기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
  • 메모리 크기: 64Mb (8M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 100MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 40ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 24-VBGA
  • 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)
재고 있음6,828