메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
S26KL128SDABHB030 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 128M PARALLEL 24FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ KL 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 128Mb (16M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 96ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-VBGA 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)	재고 있음7,536
S26KL128SDABHI020 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 128M PARALLEL 24FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: HyperFlash™ KL 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 128Mb (16M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 96ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-VBGA 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)	재고 있음13,890
S26KL128SDABHI030 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 128M PARALLEL 24FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: HyperFlash™ KL 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 128Mb (16M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 96ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-VBGA 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)	재고 있음7,956
S26KL128SDABHM030 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 128M PARALLEL 24FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ KL 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 128Mb (16M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 96ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-VBGA 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)	재고 있음7,932
S26KL128SDABHN020 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 128M PARALLEL 24FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: HyperFlash™ KL 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 128Mb (16M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 96ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-VBGA 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)	재고 있음7,704
S26KL128SDABHN030 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 128M PARALLEL 24FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: HyperFlash™ KL 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 128Mb (16M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 96ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-VBGA 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)	재고 있음8,880
S26KL128SDABHV020 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 128M PARALLEL 24FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: HyperFlash™ KL 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 128Mb (16M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 96ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-VBGA 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)	재고 있음12,012
S26KL128SDABHV030 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 128M PARALLEL 24FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: HyperFlash™ KL 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 128Mb (16M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 96ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-VBGA 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)	재고 있음8,424
S26KL256SDABHA020 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 256M PARALLEL 24FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ KL 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 256Mb (32M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 96ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-VBGA 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)	재고 있음14,580
S26KL256SDABHA030 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 256M PARALLEL 24FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ KL 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 256Mb (32M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 96ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-VBGA 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)	재고 있음9,132
S26KL256SDABHB020 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 256M PARALLEL 24FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ KL 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 256Mb (32M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 96ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-VBGA 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)	재고 있음18,072
S26KL256SDABHB023 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 256M PARALLEL 100MHZ 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ KL 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 256Mb (32M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 96ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-VBGA 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)	재고 있음3,150
S26KL256SDABHB030 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 256M PARALLEL 24FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ KL 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 256Mb (32M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 96ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-VBGA 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)	재고 있음9,384
S26KL256SDABHI020 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 256M PARALLEL 24FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: HyperFlash™ KL 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 256Mb (32M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 96ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-VBGA 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)	재고 있음18,900
S26KL256SDABHI030 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 256M PARALLEL 24FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: HyperFlash™ KL 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 256Mb (32M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 96ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-VBGA 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)	재고 있음11,736
S26KL256SDABHM030 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 256M PARALLEL 24FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ KL 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 256Mb (32M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 96ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-VBGA 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)	재고 있음6,576
S26KL256SDABHN020 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 256M PARALLEL 24FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: HyperFlash™ KL 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 256Mb (32M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 96ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-VBGA 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)	재고 있음9,036
S26KL256SDABHN030 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 256M PARALLEL 24FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: HyperFlash™ KL 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 256Mb (32M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 96ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-VBGA 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)	재고 있음9,240
S26KL256SDABHV020 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 256M PARALLEL 24FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: HyperFlash™ KL 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 256Mb (32M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 96ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-VBGA 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)	재고 있음18,504
S26KL256SDABHV030 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 256M PARALLEL 24FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: HyperFlash™ KL 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 256Mb (32M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 96ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-VBGA 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)	재고 있음15,912
S26KL512SDABHA020 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 24FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ KL 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 96ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-VBGA 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)	재고 있음18,288
S26KL512SDABHA030 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 24FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ KL 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 96ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-VBGA 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)	재고 있음7,128
S26KL512SDABHB020 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 24FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ KL 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 96ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-VBGA 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)	재고 있음9,708
S26KL512SDABHB023 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 100MHZ 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ KL 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 96ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-VBGA 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)	재고 있음7,740
S26KL512SDABHB030 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 24FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ KL 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 96ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-VBGA 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)	재고 있음13,896
S26KL512SDABHI020 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 24FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: HyperFlash™ KL 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 96ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-VBGA 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)	재고 있음20,988
S26KL512SDABHI030 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 24FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: HyperFlash™ KL 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 96ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-VBGA 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)	재고 있음9,744
S26KL512SDABHM030 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 24FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ KL 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 96ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-VBGA 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)	재고 있음6,624
S26KL512SDABHN020 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 24FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: HyperFlash™ KL 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 96ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-VBGA 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)	재고 있음8,916
S26KL512SDABHN030 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 24FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: HyperFlash™ KL 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 96ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-VBGA 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)	재고 있음7,356

S26KL128SDABHB030

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 128M PARALLEL 24FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ KL
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 128Mb (16M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 96ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-VBGA
공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)

재고 있음7,536

S26KL128SDABHI020

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 128M PARALLEL 24FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: HyperFlash™ KL
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 128Mb (16M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 96ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-VBGA
공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)

재고 있음13,890

S26KL128SDABHI030

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 128M PARALLEL 24FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: HyperFlash™ KL
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 128Mb (16M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 96ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-VBGA
공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)

재고 있음7,956

S26KL128SDABHM030

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 128M PARALLEL 24FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ KL
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 128Mb (16M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 96ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-VBGA
공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)

재고 있음7,932

S26KL128SDABHN020

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 128M PARALLEL 24FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: HyperFlash™ KL
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 128Mb (16M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 96ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-VBGA
공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)

재고 있음7,704

S26KL128SDABHN030

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 128M PARALLEL 24FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: HyperFlash™ KL
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 128Mb (16M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 96ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-VBGA
공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)

재고 있음8,880

S26KL128SDABHV020

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 128M PARALLEL 24FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: HyperFlash™ KL
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 128Mb (16M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 96ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-VBGA
공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)

재고 있음12,012

S26KL128SDABHV030

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 128M PARALLEL 24FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: HyperFlash™ KL
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 128Mb (16M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 96ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-VBGA
공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)

재고 있음8,424

S26KL256SDABHA020

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 256M PARALLEL 24FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ KL
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 96ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-VBGA
공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)

재고 있음14,580

S26KL256SDABHA030

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 256M PARALLEL 24FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ KL
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 96ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-VBGA
공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)

재고 있음9,132

S26KL256SDABHB020

Cypress Semiconductor

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IC FLASH 256M PARALLEL 24FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ KL
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 96ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-VBGA
공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)

재고 있음18,072

S26KL256SDABHB023

Cypress Semiconductor

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IC FLASH 256M PARALLEL 100MHZ

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ KL
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 96ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-VBGA
공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)

재고 있음3,150

S26KL256SDABHB030

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IC FLASH 256M PARALLEL 24FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ KL
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 96ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-VBGA
공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)

재고 있음9,384

S26KL256SDABHI020

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IC FLASH 256M PARALLEL 24FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: HyperFlash™ KL
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 96ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-VBGA
공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)

재고 있음18,900

S26KL256SDABHI030

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IC FLASH 256M PARALLEL 24FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: HyperFlash™ KL
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 96ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-VBGA
공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)

재고 있음11,736

S26KL256SDABHM030

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IC FLASH 256M PARALLEL 24FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ KL
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 96ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-VBGA
공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)

재고 있음6,576

S26KL256SDABHN020

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IC FLASH 256M PARALLEL 24FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: HyperFlash™ KL
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 96ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-VBGA
공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)

재고 있음9,036

S26KL256SDABHN030

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IC FLASH 256M PARALLEL 24FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: HyperFlash™ KL
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 96ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-VBGA
공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)

재고 있음9,240

S26KL256SDABHV020

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IC FLASH 256M PARALLEL 24FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: HyperFlash™ KL
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 96ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-VBGA
공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)

재고 있음18,504

S26KL256SDABHV030

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IC FLASH 256M PARALLEL 24FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: HyperFlash™ KL
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 96ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-VBGA
공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)

재고 있음15,912

S26KL512SDABHA020

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IC FLASH 512M PARALLEL 24FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ KL
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 96ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-VBGA
공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)

재고 있음18,288

S26KL512SDABHA030

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IC FLASH 512M PARALLEL 24FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ KL
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 96ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-VBGA
공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)

재고 있음7,128

S26KL512SDABHB020

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IC FLASH 512M PARALLEL 24FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ KL
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 96ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-VBGA
공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)

재고 있음9,708

S26KL512SDABHB023

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IC FLASH 512M PARALLEL 100MHZ

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ KL
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 96ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-VBGA
공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)

재고 있음7,740

S26KL512SDABHB030

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IC FLASH 512M PARALLEL 24FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ KL
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 96ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-VBGA
공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)

재고 있음13,896

S26KL512SDABHI020

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IC FLASH 512M PARALLEL 24FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: HyperFlash™ KL
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 96ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-VBGA
공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)

재고 있음20,988

S26KL512SDABHI030

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IC FLASH 512M PARALLEL 24FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: HyperFlash™ KL
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 96ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-VBGA
공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)

재고 있음9,744

S26KL512SDABHM030

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IC FLASH 512M PARALLEL 24FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ KL
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 96ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-VBGA
공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)

재고 있음6,624

S26KL512SDABHN020

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IC FLASH 512M PARALLEL 24FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: HyperFlash™ KL
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 96ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-VBGA
공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)

재고 있음8,916

S26KL512SDABHN030

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IC FLASH 512M PARALLEL 24FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: HyperFlash™ KL
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 96ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-VBGA
공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)

재고 있음7,356

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