메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
S27KL0641DABHA023 Cypress Semiconductor	기억 IC NOR 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: Automotive, AEC-Q100, HyperRAM™ KL 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: PSRAM 기술: PSRAM (Pseudo SRAM) 메모리 크기: 64Mb (8M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 40ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-VBGA 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)	재고 있음4,374
S27KL0641DABHA030 Cypress Semiconductor	기억 IC 64 MB FLASH MEMORY 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: Automotive, AEC-Q100, HyperRAM™ KL 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: PSRAM 기술: PSRAM (Pseudo SRAM) 메모리 크기: 64Mb (8M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 40ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-VBGA 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)	재고 있음6,210
S27KL0641DABHA033 Cypress Semiconductor	기억 IC 64 MB FLASH MEMORY 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: Automotive, AEC-Q100, HyperRAM™ KL 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: PSRAM 기술: PSRAM (Pseudo SRAM) 메모리 크기: 64Mb (8M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 40ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-VBGA 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)	재고 있음5,562
S27KL0641DABHB020 Cypress Semiconductor	기억 IC DRAM 64M PARALLEL 24FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: Automotive, AEC-Q100, HyperRAM™ KL 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: PSRAM 기술: PSRAM (Pseudo SRAM) 메모리 크기: 64Mb (8M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 40ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-VBGA 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)	재고 있음6,240
S27KL0641DABHB023 Cypress Semiconductor	기억 IC NOR 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: Automotive, AEC-Q100, HyperRAM™ KL 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: PSRAM 기술: PSRAM (Pseudo SRAM) 메모리 크기: 64Mb (8M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 40ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-VBGA 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)	재고 있음6,876
S27KL0641DABHB030 Cypress Semiconductor	기억 IC 64 MB FLASH MEMORY 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: Automotive, AEC-Q100, HyperRAM™ KL 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: PSRAM 기술: PSRAM (Pseudo SRAM) 메모리 크기: 64Mb (8M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 40ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-VBGA 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)	재고 있음4,014
S27KL0641DABHB033 Cypress Semiconductor	기억 IC 64 MB FLASH MEMORY 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: Automotive, AEC-Q100, HyperRAM™ KL 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: PSRAM 기술: PSRAM (Pseudo SRAM) 메모리 크기: 64Mb (8M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 40ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-VBGA 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)	재고 있음2,880
S27KL0641DABHI020 Cypress Semiconductor	기억 IC DRAM 64M PARALLEL 24FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: HyperRAM™ KL 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: PSRAM 기술: PSRAM (Pseudo SRAM) 메모리 크기: 64Mb (8M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 40ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-VBGA 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)	재고 있음14,100
S27KL0641DABHI023 Cypress Semiconductor	기억 IC DRAM 64M PARALLEL 24FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: HyperRAM™ KL 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: PSRAM 기술: PSRAM (Pseudo SRAM) 메모리 크기: 64Mb (8M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 40ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-VBGA 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)	재고 있음4,122
S27KL0641DABHI030 Cypress Semiconductor	기억 IC 64 MB FLASH MEMORY 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: HyperRAM™ KL 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: PSRAM 기술: PSRAM (Pseudo SRAM) 메모리 크기: 64Mb (8M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 40ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-VBGA 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)	재고 있음6,462
S27KL0641DABHI033 Cypress Semiconductor	기억 IC 64 MB FLASH MEMORY 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: HyperRAM™ KL 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: PSRAM 기술: PSRAM (Pseudo SRAM) 메모리 크기: 64Mb (8M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 40ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-VBGA 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)	재고 있음3,762
S27KL0641DABHV020 Cypress Semiconductor	기억 IC DRAM 64M PARALLEL 24FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: HyperRAM™ KL 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: PSRAM 기술: PSRAM (Pseudo SRAM) 메모리 크기: 64Mb (8M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 40ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-VBGA 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)	재고 있음8,100
S27KL0641DABHV023 Cypress Semiconductor	기억 IC DRAM 64M PARALLEL 24FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: HyperRAM™ KL 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: PSRAM 기술: PSRAM (Pseudo SRAM) 메모리 크기: 64Mb (8M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 40ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-VBGA 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)	재고 있음2,682
S27KL0641DABHV030 Cypress Semiconductor	기억 IC 64 MB FLASH MEMORY 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: HyperRAM™ KL 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: PSRAM 기술: PSRAM (Pseudo SRAM) 메모리 크기: 64Mb (8M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 40ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-VBGA 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)	재고 있음4,410
S27KL0641DABHV033 Cypress Semiconductor	기억 IC 64 MB FLASH MEMORY 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: HyperRAM™ KL 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: PSRAM 기술: PSRAM (Pseudo SRAM) 메모리 크기: 64Mb (8M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 40ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-VBGA 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)	재고 있음3,852
S27KS0641DPBHA020 Cypress Semiconductor	기억 IC DRAM 64M PARALLEL 24BGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: Automotive, AEC-Q100, HyperRAM™ KS 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: PSRAM 기술: PSRAM (Pseudo SRAM) 메모리 크기: 64Mb (8M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 40ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-VBGA 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)	재고 있음6,420
S27KS0641DPBHB020 Cypress Semiconductor	기억 IC DRAM 64M PARALLEL 24BGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: Automotive, AEC-Q100, HyperRAM™ KS 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: PSRAM 기술: PSRAM (Pseudo SRAM) 메모리 크기: 64Mb (8M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 40ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-VBGA 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)	재고 있음6,084
S27KS0641DPBHB023 Cypress Semiconductor	기억 IC DRAM 64M PARALLEL 166MHZ 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: Automotive, AEC-Q100, HyperRAM™ KS 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: PSRAM 기술: PSRAM (Pseudo SRAM) 메모리 크기: 64Mb (8M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 40ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-VBGA 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)	재고 있음7,344
S27KS0641DPBHI020 Cypress Semiconductor	기억 IC DRAM 64M PARALLEL 24BGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: HyperRAM™ KS 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: PSRAM 기술: PSRAM (Pseudo SRAM) 메모리 크기: 64Mb (8M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 40ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-VBGA 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)	재고 있음8,076
S27KS0641DPBHI023 Cypress Semiconductor	기억 IC DRAM 64M PARALLEL 24BGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: HyperRAM™ KS 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: PSRAM 기술: PSRAM (Pseudo SRAM) 메모리 크기: 64Mb (8M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 40ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-VBGA 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)	재고 있음4,104
S27KS0641DPBHV020 Cypress Semiconductor	기억 IC DRAM 64M PARALLEL 24BGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: HyperRAM™ KS 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: PSRAM 기술: PSRAM (Pseudo SRAM) 메모리 크기: 64Mb (8M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 40ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-VBGA 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)	재고 있음18,348
S27KS0641DPBHV023 Cypress Semiconductor	기억 IC DRAM 64M PARALLEL 24BGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: HyperRAM™ KS 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: PSRAM 기술: PSRAM (Pseudo SRAM) 메모리 크기: 64Mb (8M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 40ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-VBGA 공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)	재고 있음3,490
S29AL008J55BFIR10 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 8M PARALLEL 48FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: AL-J 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 8Mb (1M x 8, 512K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-VFBGA 공급자 장치 패키지: 48-FBGA (8.15x6.15)	재고 있음2,340
S29AL008J55BFIR20 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 8M PARALLEL 48FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: AL-J 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 8Mb (1M x 8, 512K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-VFBGA 공급자 장치 패키지: 48-FBGA (8.15x6.15)	재고 있음18,132
S29AL008J55BFIR22 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 8M PARALLEL 48FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: AL-J 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 8Mb (1M x 8, 512K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-VFBGA 공급자 장치 패키지: 48-FBGA (8.15x6.15)	재고 있음5,184
S29AL008J55BFIR23 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 8M PARALLEL 48FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: AL-J 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 8Mb (1M x 8, 512K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-VFBGA 공급자 장치 패키지: 48-FBGA (8.15x6.15)	재고 있음4,464
S29AL008J55TFAR20 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 8M PARALLEL 48TSOP I 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: AL-J 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 8Mb (1M x 8, 512K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I	재고 있음7,164
S29AL008J55TFAR23 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 8M PARALLEL 48TSOP I 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: AL-J 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 8Mb (1M x 8, 512K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I	재고 있음8,226
S29AL008J55TFIR10 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 8M PARALLEL 48TSOP I 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: AL-J 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 8Mb (1M x 8, 512K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I	재고 있음28,884
S29AL008J55TFIR20 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 8M PARALLEL 48TSOP I 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: AL-J 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 8Mb (1M x 8, 512K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I	재고 있음9,000

S27KL0641DABHA023

Cypress Semiconductor

기억

IC NOR

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: Automotive, AEC-Q100, HyperRAM™ KL
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: PSRAM
기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
메모리 크기: 64Mb (8M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 40ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-VBGA
공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)

재고 있음4,374

S27KL0641DABHA030

Cypress Semiconductor

기억

IC 64 MB FLASH MEMORY

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: Automotive, AEC-Q100, HyperRAM™ KL
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: PSRAM
기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
메모리 크기: 64Mb (8M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 40ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-VBGA
공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)

재고 있음6,210

S27KL0641DABHA033

Cypress Semiconductor

기억

IC 64 MB FLASH MEMORY

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: Automotive, AEC-Q100, HyperRAM™ KL
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: PSRAM
기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
메모리 크기: 64Mb (8M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 40ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-VBGA
공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)

재고 있음5,562

S27KL0641DABHB020

Cypress Semiconductor

기억

IC DRAM 64M PARALLEL 24FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: Automotive, AEC-Q100, HyperRAM™ KL
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: PSRAM
기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
메모리 크기: 64Mb (8M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 40ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-VBGA
공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)

재고 있음6,240

S27KL0641DABHB023

Cypress Semiconductor

기억

IC NOR

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: Automotive, AEC-Q100, HyperRAM™ KL
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: PSRAM
기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
메모리 크기: 64Mb (8M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 40ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-VBGA
공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)

재고 있음6,876

S27KL0641DABHB030

Cypress Semiconductor

기억

IC 64 MB FLASH MEMORY

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: Automotive, AEC-Q100, HyperRAM™ KL
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: PSRAM
기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
메모리 크기: 64Mb (8M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 40ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-VBGA
공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)

재고 있음4,014

S27KL0641DABHB033

Cypress Semiconductor

기억

IC 64 MB FLASH MEMORY

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: Automotive, AEC-Q100, HyperRAM™ KL
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: PSRAM
기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
메모리 크기: 64Mb (8M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 40ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-VBGA
공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)

재고 있음2,880

S27KL0641DABHI020

Cypress Semiconductor

기억

IC DRAM 64M PARALLEL 24FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: HyperRAM™ KL
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: PSRAM
기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
메모리 크기: 64Mb (8M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 40ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-VBGA
공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)

재고 있음14,100

S27KL0641DABHI023

Cypress Semiconductor

기억

IC DRAM 64M PARALLEL 24FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: HyperRAM™ KL
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: PSRAM
기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
메모리 크기: 64Mb (8M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 40ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-VBGA
공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)

재고 있음4,122

S27KL0641DABHI030

Cypress Semiconductor

기억

IC 64 MB FLASH MEMORY

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: HyperRAM™ KL
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: PSRAM
기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
메모리 크기: 64Mb (8M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 40ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-VBGA
공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)

재고 있음6,462

S27KL0641DABHI033

Cypress Semiconductor

기억

IC 64 MB FLASH MEMORY

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: HyperRAM™ KL
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: PSRAM
기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
메모리 크기: 64Mb (8M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 40ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-VBGA
공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)

재고 있음3,762

S27KL0641DABHV020

Cypress Semiconductor

기억

IC DRAM 64M PARALLEL 24FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: HyperRAM™ KL
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: PSRAM
기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
메모리 크기: 64Mb (8M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 40ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-VBGA
공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)

재고 있음8,100

S27KL0641DABHV023

Cypress Semiconductor

기억

IC DRAM 64M PARALLEL 24FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: HyperRAM™ KL
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: PSRAM
기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
메모리 크기: 64Mb (8M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 40ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-VBGA
공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)

재고 있음2,682

S27KL0641DABHV030

Cypress Semiconductor

기억

IC 64 MB FLASH MEMORY

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: HyperRAM™ KL
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: PSRAM
기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
메모리 크기: 64Mb (8M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 40ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-VBGA
공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)

재고 있음4,410

S27KL0641DABHV033

Cypress Semiconductor

기억

IC 64 MB FLASH MEMORY

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: HyperRAM™ KL
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: PSRAM
기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
메모리 크기: 64Mb (8M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 40ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-VBGA
공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)

재고 있음3,852

S27KS0641DPBHA020

Cypress Semiconductor

기억

IC DRAM 64M PARALLEL 24BGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: Automotive, AEC-Q100, HyperRAM™ KS
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: PSRAM
기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
메모리 크기: 64Mb (8M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 40ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-VBGA
공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)

재고 있음6,420

S27KS0641DPBHB020

Cypress Semiconductor

기억

IC DRAM 64M PARALLEL 24BGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: Automotive, AEC-Q100, HyperRAM™ KS
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: PSRAM
기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
메모리 크기: 64Mb (8M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 40ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-VBGA
공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)

재고 있음6,084

S27KS0641DPBHB023

Cypress Semiconductor

기억

IC DRAM 64M PARALLEL 166MHZ

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: Automotive, AEC-Q100, HyperRAM™ KS
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: PSRAM
기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
메모리 크기: 64Mb (8M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 40ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-VBGA
공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)

재고 있음7,344

S27KS0641DPBHI020

Cypress Semiconductor

기억

IC DRAM 64M PARALLEL 24BGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: HyperRAM™ KS
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: PSRAM
기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
메모리 크기: 64Mb (8M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 40ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-VBGA
공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)

재고 있음8,076

S27KS0641DPBHI023

Cypress Semiconductor

기억

IC DRAM 64M PARALLEL 24BGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: HyperRAM™ KS
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: PSRAM
기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
메모리 크기: 64Mb (8M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 40ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-VBGA
공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)

재고 있음4,104

S27KS0641DPBHV020

Cypress Semiconductor

기억

IC DRAM 64M PARALLEL 24BGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: HyperRAM™ KS
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: PSRAM
기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
메모리 크기: 64Mb (8M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 40ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-VBGA
공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)

재고 있음18,348

S27KS0641DPBHV023

Cypress Semiconductor

기억

IC DRAM 64M PARALLEL 24BGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: HyperRAM™ KS
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: PSRAM
기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
메모리 크기: 64Mb (8M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 40ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-VBGA
공급자 장치 패키지: 24-FBGA (6x8)

재고 있음3,490

S29AL008J55BFIR10

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 8M PARALLEL 48FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: AL-J
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 8Mb (1M x 8, 512K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-VFBGA
공급자 장치 패키지: 48-FBGA (8.15x6.15)

재고 있음2,340

S29AL008J55BFIR20

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 8M PARALLEL 48FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: AL-J
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 8Mb (1M x 8, 512K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-VFBGA
공급자 장치 패키지: 48-FBGA (8.15x6.15)

재고 있음18,132

S29AL008J55BFIR22

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 8M PARALLEL 48FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: AL-J
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 8Mb (1M x 8, 512K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-VFBGA
공급자 장치 패키지: 48-FBGA (8.15x6.15)

재고 있음5,184

S29AL008J55BFIR23

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 8M PARALLEL 48FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: AL-J
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 8Mb (1M x 8, 512K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-VFBGA
공급자 장치 패키지: 48-FBGA (8.15x6.15)

재고 있음4,464

S29AL008J55TFAR20

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 8M PARALLEL 48TSOP I

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: AL-J
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 8Mb (1M x 8, 512K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 48-TSOP I

재고 있음7,164

S29AL008J55TFAR23

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 8M PARALLEL 48TSOP I

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: AL-J
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 8Mb (1M x 8, 512K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 48-TSOP I

재고 있음8,226

S29AL008J55TFIR10

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 8M PARALLEL 48TSOP I

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: AL-J
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 8Mb (1M x 8, 512K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 48-TSOP I

재고 있음28,884

S29AL008J55TFIR20

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 8M PARALLEL 48TSOP I

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: AL-J
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 8Mb (1M x 8, 512K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 48-TSOP I

재고 있음9,000

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