트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
2SC5337-AZ CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V SOT89 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2dB @ 1GHz 이득: 8.3dB 전력-최대: 2W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 250mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,022
2SC5338-AZ CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 6GHZ SOT89 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 6GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz 이득: 10dB 전력-최대: 1.8W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,516
2SC5338-T1-AZ CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 6GHZ SOT89 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 6GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz 이득: 10dB 전력-최대: 1.8W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89	재고 있음5,778
2SC5347AE-TD-E ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 4.7GHZ PCP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 4.7GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz 이득: 8dB 전력-최대: 1.3W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 50mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: PCP	재고 있음23,268
2SC5347AF-TD-E ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 4.7GHZ PCP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 4.7GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz 이득: 8dB 전력-최대: 1.3W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 135 @ 50mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: PCP	재고 있음7,668
2SC5374A-TL-E ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 10V 5.2GHZ SMCP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V 주파수-전환: 5.2GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz 이득: 10.5dB @ 1GHz 전력-최대: 100mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 110 @ 7mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416 공급자 장치 패키지: SMCP	재고 있음8,154
2SC5415AE-TD-E ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 6.7GHZ PCP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 6.7GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz 이득: 9dB 전력-최대: 800mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 30mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: PCP	재고 있음8,694
2SC5415AF-TD-E ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 6.7GHZ PCP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 6.7GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz 이득: 9dB 전력-최대: 800mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 30mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: PCP	재고 있음8,874
2SC5454-A CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 6V 14.5GHZ SOT143 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 6V 주파수-전환: 14.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz 이득: 12dB 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 75 @ 20mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,832
2SC5454-T1-A CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 6V 14.5GHZ SOT143 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 6V 주파수-전환: 14.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz 이득: 12dB 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 75 @ 20mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA 공급자 장치 패키지: SOT-143	재고 있음5,418
2SC5455-A CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT143 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 6V 주파수-전환: 12GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz 이득: 10dB 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 75 @ 30mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,246
2SC5455-T1-A CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT143 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 6V 주파수-전환: 12GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz 이득: 10dB 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 75 @ 30mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA 공급자 장치 패키지: SOT-143	재고 있음4,356
2SC5488A-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 10V 7GHZ 3SSFP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V 주파수-전환: 7GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz 이득: 12dB 전력-최대: 100mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 3-SSFP	재고 있음3,402
2SC5490A-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 10V 8GHZ 3SSFP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V 주파수-전환: 8GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 0.9dB @ 1.5GHz ~ 1GHz 이득: 10dB ~ 5.5dB @ 1.5GHz 전력-최대: 100mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 10mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-81 공급자 장치 패키지: 3-SSFP	재고 있음5,274
2SC5501A-4-TR-E ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 10V 7GHZ 4MCP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V 주파수-전환: 7GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz 이득: 13dB 전력-최대: 500mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: 4-MCP	재고 있음3,400
2SC5508-A CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 3.3V 25GHZ SOT343F 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3.3V 주파수-전환: 25GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz 이득: 19dB 전력-최대: 115mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 2V 전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-343F 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,516
2SC5508-T2-A CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 3.3V 25GHZ SOT343F 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3.3V 주파수-전환: 25GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz 이득: 17dB 전력-최대: 115mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 2V 전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-343F 공급자 장치 패키지: SOT-343F	재고 있음4,806
2SC5509-A CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 3.3V 15GHZ SOT343F 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3.3V 주파수-전환: 15GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz 이득: 14dB 전력-최대: 190mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 2V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-343F 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,906
2SC5509-T2-A CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 3.3V 15GHZ SOT343 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3.3V 주파수-전환: 15GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz 이득: 14dB 전력-최대: 190mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 2V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-343F 공급자 장치 패키지: SOT-343	재고 있음6,876
2SC5536A-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 1.7GHZ 3SSFP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 1.7GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.8dB @ 150MHz 이득: 16dB 전력-최대: 100mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 3mA, 2V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-81 공급자 장치 패키지: 3-SSFP	재고 있음6,678
2SC5551AE-TD-E ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 30V 3.5GHZ PCP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V 주파수-전환: 3.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 1.3W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 50mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 300mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: PCP	재고 있음4,896
2SC5551AF-TD-E ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 30V 3.5GHZ PCP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V 주파수-전환: 3.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 1.3W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 135 @ 50mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 300mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: PCP	재고 있음3,042
2SC5606-A CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 3.3V 21GHZ SOT523 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3.3V 주파수-전환: 21GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz 이득: 12.5dB 전력-최대: 115mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 2V 전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-523 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,366
2SC5606-T1-A CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 3.3V 21GHZ SOT523 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3.3V 주파수-전환: 21GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz 이득: 14dB 전력-최대: 115mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 2V 전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-523 공급자 장치 패키지: SOT-523	재고 있음5,418
2SC563200L Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 8V 1.1GHZ SMINI3-G1 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 8V 주파수-전환: 1.1GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 150mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 2mA, 4V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SMini3-G1	재고 있음21,666
2SC5632G0L Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 8V 1.1GHZ SMINI3-F2 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 8V 주파수-전환: 1.1GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 150mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 2mA, 4V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-85 공급자 장치 패키지: SMini3-F2	재고 있음7,506
2SC5646A-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 4V 12.5GHZ 3SSFP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4V 주파수-전환: 10GHz ~ 12.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz 이득: 9.5dB ~ 10.5dB @ 2GHz 전력-최대: 100mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 1V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-81 공급자 장치 패키지: 3-SSFP	재고 있음6,246
2SC5750-A CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 6V 15GHZ SOT343 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 6V 주파수-전환: 15GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz 이득: 15dB 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 75 @ 20mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,400
2SC5750-T1-A CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 6V 15GHZ SOT343 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 6V 주파수-전환: 15GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz 이득: 15dB 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 75 @ 20mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: SOT-343	재고 있음4,734
2SC5751-A CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 6V 15GHZ SOT343F 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 6V 주파수-전환: 15GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz 이득: 16dB 전력-최대: 205mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 75 @ 20mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-343F 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,286

2SC5337-AZ

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V SOT89

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2dB @ 1GHz
이득: 8.3dB
전력-최대: 2W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 250mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,022

2SC5338-AZ

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 6GHZ SOT89

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 6GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz
이득: 10dB
전력-최대: 1.8W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,516

2SC5338-T1-AZ

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 6GHZ SOT89

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 6GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz
이득: 10dB
전력-최대: 1.8W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89

재고 있음5,778

2SC5347AE-TD-E

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 4.7GHZ PCP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 4.7GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz
이득: 8dB
전력-최대: 1.3W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 50mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: PCP

재고 있음23,268

2SC5347AF-TD-E

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 4.7GHZ PCP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 4.7GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz
이득: 8dB
전력-최대: 1.3W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 135 @ 50mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: PCP

재고 있음7,668

2SC5374A-TL-E

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 10V 5.2GHZ SMCP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V
주파수-전환: 5.2GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz
이득: 10.5dB @ 1GHz
전력-최대: 100mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 110 @ 7mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
공급자 장치 패키지: SMCP

재고 있음8,154

2SC5415AE-TD-E

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 6.7GHZ PCP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 6.7GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
이득: 9dB
전력-최대: 800mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 30mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: PCP

재고 있음8,694

2SC5415AF-TD-E

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 6.7GHZ PCP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 6.7GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
이득: 9dB
전력-최대: 800mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 30mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: PCP

재고 있음8,874

2SC5454-A

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 6V 14.5GHZ SOT143

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 6V
주파수-전환: 14.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz
이득: 12dB
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 75 @ 20mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,832

2SC5454-T1-A

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 6V 14.5GHZ SOT143

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 6V
주파수-전환: 14.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz
이득: 12dB
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 75 @ 20mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA
공급자 장치 패키지: SOT-143

재고 있음5,418

2SC5455-A

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT143

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 6V
주파수-전환: 12GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz
이득: 10dB
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 75 @ 30mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,246

2SC5455-T1-A

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT143

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 6V
주파수-전환: 12GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz
이득: 10dB
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 75 @ 30mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA
공급자 장치 패키지: SOT-143

재고 있음4,356

2SC5488A-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 10V 7GHZ 3SSFP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V
주파수-전환: 7GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz
이득: 12dB
전력-최대: 100mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: 3-SSFP

재고 있음3,402

2SC5490A-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 10V 8GHZ 3SSFP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V
주파수-전환: 8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 0.9dB @ 1.5GHz ~ 1GHz
이득: 10dB ~ 5.5dB @ 1.5GHz
전력-최대: 100mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 10mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-81
공급자 장치 패키지: 3-SSFP

재고 있음5,274

2SC5501A-4-TR-E

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 10V 7GHZ 4MCP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V
주파수-전환: 7GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz
이득: 13dB
전력-최대: 500mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: 4-MCP

재고 있음3,400

2SC5508-A

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 3.3V 25GHZ SOT343F

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3.3V
주파수-전환: 25GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz
이득: 19dB
전력-최대: 115mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 2V
전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-343F
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,516

2SC5508-T2-A

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 3.3V 25GHZ SOT343F

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3.3V
주파수-전환: 25GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz
이득: 17dB
전력-최대: 115mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 2V
전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-343F
공급자 장치 패키지: SOT-343F

재고 있음4,806

2SC5509-A

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 3.3V 15GHZ SOT343F

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3.3V
주파수-전환: 15GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz
이득: 14dB
전력-최대: 190mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 2V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-343F
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,906

2SC5509-T2-A

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 3.3V 15GHZ SOT343

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3.3V
주파수-전환: 15GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz
이득: 14dB
전력-최대: 190mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 2V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-343F
공급자 장치 패키지: SOT-343

재고 있음6,876

2SC5536A-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 1.7GHZ 3SSFP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 1.7GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.8dB @ 150MHz
이득: 16dB
전력-최대: 100mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 3mA, 2V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-81
공급자 장치 패키지: 3-SSFP

재고 있음6,678

2SC5551AE-TD-E

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 30V 3.5GHZ PCP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
주파수-전환: 3.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 1.3W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 50mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 300mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: PCP

재고 있음4,896

2SC5551AF-TD-E

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 30V 3.5GHZ PCP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
주파수-전환: 3.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 1.3W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 135 @ 50mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 300mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: PCP

재고 있음3,042

2SC5606-A

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 3.3V 21GHZ SOT523

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3.3V
주파수-전환: 21GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz
이득: 12.5dB
전력-최대: 115mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 2V
전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-523
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,366

2SC5606-T1-A

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 3.3V 21GHZ SOT523

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3.3V
주파수-전환: 21GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz
이득: 14dB
전력-최대: 115mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 2V
전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-523
공급자 장치 패키지: SOT-523

재고 있음5,418

2SC563200L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 8V 1.1GHZ SMINI3-G1

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 8V
주파수-전환: 1.1GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 150mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 2mA, 4V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SMini3-G1

재고 있음21,666

2SC5632G0L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 8V 1.1GHZ SMINI3-F2

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 8V
주파수-전환: 1.1GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 150mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 2mA, 4V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-85
공급자 장치 패키지: SMini3-F2

재고 있음7,506

2SC5646A-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 4V 12.5GHZ 3SSFP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4V
주파수-전환: 10GHz ~ 12.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz
이득: 9.5dB ~ 10.5dB @ 2GHz
전력-최대: 100mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 1V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-81
공급자 장치 패키지: 3-SSFP

재고 있음6,246

2SC5750-A

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 6V 15GHZ SOT343

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 6V
주파수-전환: 15GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz
이득: 15dB
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 75 @ 20mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,400

2SC5750-T1-A

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 6V 15GHZ SOT343

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 6V
주파수-전환: 15GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz
이득: 15dB
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 75 @ 20mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: SOT-343

재고 있음4,734

2SC5751-A

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 6V 15GHZ SOT343F

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 6V
주파수-전환: 15GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz
이득: 16dB
전력-최대: 205mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 75 @ 20mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-343F
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,286

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