트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
2SC5015-T1-A CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT343 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 6V 주파수-전환: 12GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz 이득: 11dB 전력-최대: 150mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 75 @ 10mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: SOT-343	재고 있음8,298
2SC501900L Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 10V 6GHZ MINIP3-F1 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V 주파수-전환: 6GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.7dB @ 800MHz 이득: 7.5dB ~ 10dB 전력-최대: 1W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 20mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: MiniP3-F1	재고 있음3,618
2SC5065-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 7GHZ USM 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 7GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz 이득: - 전력-최대: 100mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: USM	재고 있음7,038
2SC5065-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 7GHZ USM 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 7GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz 이득: 12dB ~ 17dB 전력-최대: 100mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: USM	재고 있음23,124
2SC5066-O,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 7GHZ SSM 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 7GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz 이득: - 전력-최대: 100mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416 공급자 장치 패키지: SSM	재고 있음47,898
2SC5066-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 7GHZ SSM 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 7GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz 이득: - 전력-최대: 100mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416 공급자 장치 패키지: SSM	재고 있음4,662
2SC5084-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 7GHZ SMINI 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 7GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz 이득: 11dB 전력-최대: 150mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 20mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: S-Mini	재고 있음8,064
2SC5084YTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 7GHZ SC59 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 7GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz 이득: 11dB 전력-최대: 150mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SC-59	재고 있음17,244
2SC5085-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 7GHZ USM 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 7GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz 이득: - 전력-최대: 100mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 20mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: USM	재고 있음4,320
2SC5085-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 7GHZ USM 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 7GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz 이득: 11dB ~ 16.5dB 전력-최대: 100mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: USM	재고 있음2,754
2SC5086-O,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 7GHZ SSM 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 7GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz 이득: - 전력-최대: 100mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 20mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416 공급자 장치 패키지: SSM	재고 있음1,247,322
2SC5086-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 7GHZ SSM 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 7GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz 이득: - 전력-최대: 100mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416 공급자 장치 패키지: SSM	재고 있음4,554
2SC5087-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 7GHZ SMQ 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 7GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.1dB @ 500MHz ~ 1GHz 이득: - 전력-최대: 150mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 20mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-61AA 공급자 장치 패키지: SMQ	재고 있음14,274
2SC5087R(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SMQ 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 8GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2dB @ 1GHz 이득: - 전력-최대: 150mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-61AA 공급자 장치 패키지: SMQ	재고 있음28,608
2SC5087YTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 7GHZ SMQ 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 7GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz 이득: 13dB 전력-최대: 150mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-61AA 공급자 장치 패키지: SMQ	재고 있음3,060
2SC5088-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 7GHZ USQ 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 7GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz 이득: 18dB 전력-최대: 100mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 20mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: USQ	재고 있음5,292
2SC5095-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 10V 10GHZ SC70 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V 주파수-전환: 10GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz 이득: 13dB ~ 7dB 전력-최대: 100mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 7mA, 6V 전류-수집기 (Ic) (최대): 15mA 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SC-70	재고 있음6,048
2SC5095-R(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 10V 10GHZ SC70 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V 주파수-전환: 10GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz 이득: 13dB ~ 7.5dB 전력-최대: 100mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 7mA, 6V 전류-수집기 (Ic) (최대): 15mA 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SC-70	재고 있음2,232
2SC5096-R,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 10V 10GHZ SSM 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V 주파수-전환: 10GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz 이득: 1.4dB 전력-최대: 100mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 7mA, 6V 전류-수집기 (Ic) (최대): 15mA 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416 공급자 장치 패키지: SSM	재고 있음2,682
2SC5108-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-RF TRANS RF NPN 10V 1GHZ SSM 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V 주파수-전환: 6GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 11dB 전력-최대: 100mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416 공급자 장치 패키지: SSM	재고 있음3,204
2SC5226A-4-TL-E ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 10V 7GHZ 3MCP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V 주파수-전환: 7GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz 이득: 12dB 전력-최대: 150mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: 3-MCP	재고 있음4,014
2SC5226A-5-TL-E ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 10V 7GHZ 3MCP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V 주파수-전환: 7GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz 이득: 12dB 전력-최대: 150mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 135 @ 20mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: 3-MCP	재고 있음4,716
2SC5227A-4-TB-E ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 10V 7GHZ 3CP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V 주파수-전환: 7GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz 이득: 12dB 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: 3-CP	재고 있음3,834
2SC5227A-5-TB-E ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 10V 7GHZ 3CP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V 주파수-전환: 7GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz 이득: 12dB 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 135 @ 20mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: 3-CP	재고 있음2,160
2SC5231A-8-TL-E ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 10V 7GHZ SMCP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V 주파수-전환: 7GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz 이득: 12dB 전력-최대: 100mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416 공급자 장치 패키지: SMCP	재고 있음6,318
2SC5231A-9-TL-E ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 10V 7GHZ SMCP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V 주파수-전환: 7GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz 이득: 12dB ~ 8.5dB @ 1GHz 전력-최대: 100mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 135 @ 20mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: SMCP	재고 있음4,374
2SC5245A-4-TL-E ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 10V 8GHZ 3MCP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V 주파수-전환: 8GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 1.5GHz 이득: 10dB 전력-최대: 150mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 10mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: 3-MCP	재고 있음4,122
2SC5277A-2-TL-E ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 10V 8GHZ SMCP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V 주파수-전환: 8GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 0.9dB @ 1.5GHz ~ 1GHz 이득: 10dB ~ 5.5dB @ 1.5GHz 전력-최대: 100mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 10mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416 공급자 장치 패키지: SMCP	재고 있음6,732
2SC5336-AZ CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 6.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz 이득: 12dB 전력-최대: 1.2W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,218
2SC5336-T1-AZ CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 6.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz 이득: 12dB 전력-최대: 1.2W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89	재고 있음7,632

2SC5015-T1-A

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT343

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 6V
주파수-전환: 12GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz
이득: 11dB
전력-최대: 150mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 75 @ 10mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: SOT-343

재고 있음8,298

2SC501900L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 10V 6GHZ MINIP3-F1

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V
주파수-전환: 6GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.7dB @ 800MHz
이득: 7.5dB ~ 10dB
전력-최대: 1W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 20mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: MiniP3-F1

재고 있음3,618

2SC5065-O(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 7GHZ USM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 7GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz
이득: -
전력-최대: 100mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: USM

재고 있음7,038

2SC5065-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 7GHZ USM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 7GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
이득: 12dB ~ 17dB
전력-최대: 100mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: USM

재고 있음23,124

2SC5066-O,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 7GHZ SSM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 7GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz
이득: -
전력-최대: 100mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
공급자 장치 패키지: SSM

재고 있음47,898

2SC5066-Y,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 7GHZ SSM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 7GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz
이득: -
전력-최대: 100mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
공급자 장치 패키지: SSM

재고 있음4,662

2SC5084-O(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 7GHZ SMINI

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 7GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
이득: 11dB
전력-최대: 150mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 20mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: S-Mini

재고 있음8,064

2SC5084YTE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 7GHZ SC59

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 7GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
이득: 11dB
전력-최대: 150mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SC-59

재고 있음17,244

2SC5085-O(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 7GHZ USM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 7GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz
이득: -
전력-최대: 100mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 20mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: USM

재고 있음4,320

2SC5085-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 7GHZ USM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 7GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
이득: 11dB ~ 16.5dB
전력-최대: 100mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: USM

재고 있음2,754

2SC5086-O,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 7GHZ SSM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 7GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz
이득: -
전력-최대: 100mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 20mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
공급자 장치 패키지: SSM

재고 있음1,247,322

2SC5086-Y,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 7GHZ SSM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 7GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz
이득: -
전력-최대: 100mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
공급자 장치 패키지: SSM

재고 있음4,554

2SC5087-O(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 7GHZ SMQ

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 7GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.1dB @ 500MHz ~ 1GHz
이득: -
전력-최대: 150mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 20mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-61AA
공급자 장치 패키지: SMQ

재고 있음14,274

2SC5087R(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 8GHZ SMQ

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2dB @ 1GHz
이득: -
전력-최대: 150mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-61AA
공급자 장치 패키지: SMQ

재고 있음28,608

2SC5087YTE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 7GHZ SMQ

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 7GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
이득: 13dB
전력-최대: 150mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-61AA
공급자 장치 패키지: SMQ

재고 있음3,060

2SC5088-O(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 7GHZ USQ

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 7GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz
이득: 18dB
전력-최대: 100mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 20mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: USQ

재고 있음5,292

2SC5095-O(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 10V 10GHZ SC70

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V
주파수-전환: 10GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz
이득: 13dB ~ 7dB
전력-최대: 100mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 7mA, 6V
전류-수집기 (Ic) (최대): 15mA
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SC-70

재고 있음6,048

2SC5095-R(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 10V 10GHZ SC70

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V
주파수-전환: 10GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz
이득: 13dB ~ 7.5dB
전력-최대: 100mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 7mA, 6V
전류-수집기 (Ic) (최대): 15mA
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SC-70

재고 있음2,232

2SC5096-R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 10V 10GHZ SSM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V
주파수-전환: 10GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz
이득: 1.4dB
전력-최대: 100mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 7mA, 6V
전류-수집기 (Ic) (최대): 15mA
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
공급자 장치 패키지: SSM

재고 있음2,682

2SC5108-Y,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

TRANS RF NPN 10V 1GHZ SSM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V
주파수-전환: 6GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 11dB
전력-최대: 100mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
공급자 장치 패키지: SSM

재고 있음3,204

2SC5226A-4-TL-E

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 10V 7GHZ 3MCP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V
주파수-전환: 7GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz
이득: 12dB
전력-최대: 150mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: 3-MCP

재고 있음4,014

2SC5226A-5-TL-E

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 10V 7GHZ 3MCP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V
주파수-전환: 7GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz
이득: 12dB
전력-최대: 150mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 135 @ 20mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: 3-MCP

재고 있음4,716

2SC5227A-4-TB-E

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 10V 7GHZ 3CP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V
주파수-전환: 7GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz
이득: 12dB
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: 3-CP

재고 있음3,834

2SC5227A-5-TB-E

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 10V 7GHZ 3CP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V
주파수-전환: 7GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz
이득: 12dB
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 135 @ 20mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: 3-CP

재고 있음2,160

2SC5231A-8-TL-E

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 10V 7GHZ SMCP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V
주파수-전환: 7GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz
이득: 12dB
전력-최대: 100mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
공급자 장치 패키지: SMCP

재고 있음6,318

2SC5231A-9-TL-E

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 10V 7GHZ SMCP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V
주파수-전환: 7GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz
이득: 12dB ~ 8.5dB @ 1GHz
전력-최대: 100mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 135 @ 20mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: SMCP

재고 있음4,374

2SC5245A-4-TL-E

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 10V 8GHZ 3MCP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V
주파수-전환: 8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 1.5GHz
이득: 10dB
전력-최대: 150mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 10mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: 3-MCP

재고 있음4,122

2SC5277A-2-TL-E

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 10V 8GHZ SMCP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V
주파수-전환: 8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 0.9dB @ 1.5GHz ~ 1GHz
이득: 10dB ~ 5.5dB @ 1.5GHz
전력-최대: 100mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 10mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
공급자 장치 패키지: SMCP

재고 있음6,732

2SC5336-AZ

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 6.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz
이득: 12dB
전력-최대: 1.2W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,218

2SC5336-T1-AZ

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 6.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz
이득: 12dB
전력-최대: 1.2W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89

재고 있음7,632

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