트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
2SC5751-T2-A CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 6V 15GHZ SOT343F 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 6V 주파수-전환: 15GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz 이득: 16dB 전력-최대: 205mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 75 @ 20mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-343F 공급자 장치 패키지: SOT-343F	재고 있음8,946
2SC5752-A CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT343 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 6V 주파수-전환: 12GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz 이득: 13dB 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 75 @ 30mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,266
2SC5752-T1-A CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT343 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 6V 주파수-전환: 12GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz 이득: 13dB 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 75 @ 30mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: SOT-343	재고 있음8,298
2SC5753-A CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT343F 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 6V 주파수-전환: 12GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz 이득: 13.5dB 전력-최대: 205mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 75 @ 30mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-343F 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,222
2SC5753-T2-A CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT343F 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 6V 주파수-전환: 12GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz 이득: 13.5dB 전력-최대: 205mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 75 @ 30mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-343F 공급자 장치 패키지: SOT-343F	재고 있음7,200
2SC5754-A CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 5V 20GHZ SOT343F 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5V 주파수-전환: 20GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 12dB 전력-최대: 735mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 100mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-343F 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,254
2SC5754-T2-A CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 5V 20GHZ SOT343F 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5V 주파수-전환: 20GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 6.5dB 전력-최대: 735mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 100mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-343F 공급자 장치 패키지: SOT-343F	재고 있음7,920
40033 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,744
40036S Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,626
40036ST Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,538
42105 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,384
42106HS Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,526
42107HS Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,158
42108HS Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,042
42126 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,850
44010 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,616
44022H Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,220
44086H Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,798
45005 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,600
46007T Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,752
46010 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,888
46015 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,768
48042 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,064
55GN01CA-TB-E ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 10V 4.5GHZ 3CP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V 주파수-전환: 4.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.9dB @ 1GHz 이득: 9.5dB 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: 3-CP	재고 있음3,690
55GN01FA-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 10V 5.5GHZ 3SSFP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V 주파수-전환: 4.5GHz ~ 5.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.9dB @ 1GHz 이득: 11dB ~ 19dB @ 1GHz ~ 400MHz 전력-최대: 250mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-81 공급자 장치 패키지: 3-SSFP	재고 있음2,034
55GN01MA-TL-E ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 10V 5.5GHZ 3MCP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V 주파수-전환: 4.5GHz ~ 5.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.9dB @ 1GHz 이득: 10dB @ 1GHz 전력-최대: 400mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: 3-MCP	재고 있음25,806
58048 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,940
60099H Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,354
60158 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,478
60159 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,736

2SC5751-T2-A

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 6V 15GHZ SOT343F

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 6V
주파수-전환: 15GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz
이득: 16dB
전력-최대: 205mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 75 @ 20mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-343F
공급자 장치 패키지: SOT-343F

재고 있음8,946

2SC5752-A

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT343

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 6V
주파수-전환: 12GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz
이득: 13dB
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 75 @ 30mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,266

2SC5752-T1-A

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT343

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 6V
주파수-전환: 12GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz
이득: 13dB
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 75 @ 30mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: SOT-343

재고 있음8,298

2SC5753-A

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT343F

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 6V
주파수-전환: 12GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz
이득: 13.5dB
전력-최대: 205mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 75 @ 30mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-343F
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,222

2SC5753-T2-A

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT343F

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 6V
주파수-전환: 12GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz
이득: 13.5dB
전력-최대: 205mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 75 @ 30mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-343F
공급자 장치 패키지: SOT-343F

재고 있음7,200

2SC5754-A

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 5V 20GHZ SOT343F

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5V
주파수-전환: 20GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 12dB
전력-최대: 735mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 100mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-343F
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,254

2SC5754-T2-A

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 5V 20GHZ SOT343F

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5V
주파수-전환: 20GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 6.5dB
전력-최대: 735mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 100mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-343F
공급자 장치 패키지: SOT-343F

재고 있음7,920

40033

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,744

40036S

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,626

40036ST

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,538

42105

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
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장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,384

42106HS

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
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공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,526

42107HS

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
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재고 있음4,158

42108HS

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
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재고 있음3,042

42126

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
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재고 있음5,850

44010

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
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재고 있음5,616

44022H

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
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패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,220

44086H

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
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패키지 / 케이스: -
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재고 있음3,798

45005

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
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전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,600

46007T

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
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전력-최대: -
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패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,752

46010

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
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공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,888

46015

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
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작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,768

48042

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
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패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,064

55GN01CA-TB-E

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 10V 4.5GHZ 3CP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V
주파수-전환: 4.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.9dB @ 1GHz
이득: 9.5dB
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: 3-CP

재고 있음3,690

55GN01FA-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 10V 5.5GHZ 3SSFP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V
주파수-전환: 4.5GHz ~ 5.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.9dB @ 1GHz
이득: 11dB ~ 19dB @ 1GHz ~ 400MHz
전력-최대: 250mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-81
공급자 장치 패키지: 3-SSFP

재고 있음2,034

55GN01MA-TL-E

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 10V 5.5GHZ 3MCP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V
주파수-전환: 4.5GHz ~ 5.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.9dB @ 1GHz
이득: 10dB @ 1GHz
전력-최대: 400mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: 3-MCP

재고 있음25,806

58048

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,940

60099H

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,354

60158

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,478

60159

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,736

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