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64065
64065

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
  • 주파수-전환: -
  • 노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
  • 이득: -
  • 전력-최대: -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음6,246
64077
64077

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
  • 주파수-전환: -
  • 노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
  • 이득: -
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  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음8,460
66068B
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Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
  • 주파수-전환: -
  • 노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
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  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음4,572
66082B
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Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
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  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음2,160
66099
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Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
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  • 공급자 장치 패키지: -
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Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

  • 제조업체: Microsemi Corporation
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  • 장착 유형: -
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  • 공급자 장치 패키지: -
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66116
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Microsemi

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  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: -
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68106H
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  • 공급자 장치 패키지: -
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68201A
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Microsemi

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  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: -
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68231H
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  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
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Microsemi

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  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
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Microsemi

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  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
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70062A
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Microsemi

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  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
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  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
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74060H
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Microsemi

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  • 제조업체: Microsemi Corporation
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Microsemi

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  • 제조업체: Microsemi Corporation
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75086H
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Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

  • 제조업체: Microsemi Corporation
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Microsemi

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RF POWER TRANSISTOR

  • 제조업체: Microsemi Corporation
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75101H
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Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

  • 제조업체: Microsemi Corporation
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75102
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Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

  • 제조업체: Microsemi Corporation
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75109A
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Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
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75112
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Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

  • 제조업체: Microsemi Corporation
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76016S
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Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
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76020H
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Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
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80005
80005

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
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재고 있음7,002
80262
80262

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: -
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재고 있음5,436
80275H
80275H

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: -
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재고 있음3,726
80277H
80277H

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
  • 주파수-전환: -
  • 노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
  • 이득: -
  • 전력-최대: -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
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  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음4,338
80279H
80279H

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
  • 주파수-전환: -
  • 노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
  • 이득: -
  • 전력-최대: -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
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  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음4,176
82094
82094

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
  • 주파수-전환: -
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  • 이득: -
  • 전력-최대: -
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  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음3,222
90025HS
90025HS

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
  • 주파수-전환: -
  • 노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
  • 이득: -
  • 전력-최대: -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
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  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음3,546